Post on 10-Jul-2015
Leccin 5
OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIASistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin
El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente
C EL IGBT DE POTENCIAMOSFETBipolar
G EAlta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito
Estructura del IGBT
Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
EL IGBT DE POTENCIA
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones tpicas del IGBT
EL IGBT DE POTENCIA
Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (
35 mA 30 mA 40 mA
35 mA 30 mA 60 mA
70 mA 30 mA 60 mA
35 mA 30 mA 40 mA
TIRISTORES
IH < IL