Unidad 2:Amplificación y Conmutación

(El Transistor BJT)

UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA

FACULTAD DE INGENIERÍAESCUELA DE COMPUTACIÓNASIGNATURA: ELECTRÓNICA

PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):

Numero de Electrones: E > C y C >> B

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Estructura Interna y Simbología

Diodo Colector Base(Salida)

Diodo Emisor Base(Entrada) Aspecto

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Corrientes en los Diodos de Entrada y Salida

e

e

e

Diodo BE (Pol Directa)Diodo BC (Pol Inversa)La mayor cantidad de electronesse mueven del Emisor al Colector yuna pequeña cantidad salen por laBase.

Diodo BE (Pol Directa)Diodo BC (Pol Inversa)La mayor cantidad de electronesse mueven del Emisor al Colector yuna pequeña cantidad salen por laBase.

IC

IE

IB

IC

IE

IB

Según LKC: IE = IB + ICIB << IC IE es aproximadamente igual a IC

β = Ganancia de CorrienteRelación de corriente de salida sobre la corriente de entrada.

Análisis de Corrientes del BJT

β = IC / IB

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Circuito básico de polarización en

Configuración Emisor Común polarizado por la base

Parámetros Etapa de Entrada:VBB = Voltaje de la Fuente de BaseRB = Resistencia de polarización por la BaseIB = Corriente de BaseVBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio

Parámetros Etapa de Salida:VCC = Voltaje de la Fuente de ColectorRC = Resistencia limitadora de ColectorIC = Corriente de ColectorVCE = Voltaje Colector-EmisorIE = Corriente de Emisor

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Curva característica del BJT y Zonas de Operación

Zona Saturación

Zona Corte

Zona Activa

Punto de Operación (Q)

Recta de Carga

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Funciones básicas del BJT en Emisor Común

Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa

Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación