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4-6 DEFECTOS PUNTUALESSon discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones, que se muestran en la fig. 4-11, pueden ser generados en el materias mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante el procedimiento del materias; mediante la introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las aleaciones.

Vacancias: Una vacancia se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de daos por radiacin. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas se incrementan de manera exponencial conforme se aumentan la temperatura, como se muestra en la siguiente ecuacin de Arrhenius:EJEMPLO 4-6 DISEO DE UN TRATAMIENTO TRMICO PARA PRODUCIR VACANCIAS.Disee un tratamiento trmico que proporcione 1000 veces ms vacancias en el cobre de las que estn normalmente presentes a temperatura ambiente. Se requiere aproximadamente 20,000 cal/mol para producir una vacancia en el cobre.SOLUCIN:Al calentar el cobre ligeramente por encima de 100C (quizs incluso colocando en agua hirviendo), y a continuacin enfrindolo rpidamente hasta la temperatura ambiente , la cantidad de vacancias atrapadas en la estructura podra ser 100 veces mayor que la cantidad de vacancias al equilibrio a temperatura ambiente. DEFECTOS:*Intersticiales : Se forman un defecto intersticial cuando se inserta un tomo adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina.

*Sustitucionales : Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un tomo por otro de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la posicin original.

*Otros defectos puntuales : Se crean un intersticio cuando una tomo idntico a los de los puntos normales de la red de coloca en un lugar intersticial.

El defecto de Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formado cuando un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial, despejando detrs una vacancia.

Un defecto Schottky es un par de vacancia en un material de enlace inico; deben faltar tanto un anin como un catin de la red si se ha de preservar la neutralidad elctrica del crista. Este defectos es comn en materiales cermicos de enlace inico.

Un ultimo defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a otro con carga distinta. Como se muestra en la figura:

Importancia de los defectos puntuales:Alteran el arreglo perfecto de los tomos circndales, distorsionando la red a lo largo de quizs cientos de espaciamientos atmicos, a partir del defecto.