Bjt tips
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Tips para análisis de transistores BJT
Circuitos ElectrónicosClaudio Alarcón R.
Primavera 2007
Circuitos ElectrónicosClaudio Alarcón R.
Primavera 2007
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Transistores BJT• 4 zonas de operación:
– Corte– Amplificación– Saturación (switch).– Inversa activa.
• 4 zonas de operación:– Corte– Amplificación– Saturación (switch).– Inversa activa.
NPN
“No PeNetra”
PNP
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• Zona de corte:– Cuando iB < 0
– En ese caso, el transistor queda abierto (iE = iC = 0), y voltaje Colector – Emisor (VCE) no queda definido.
• Zona de corte:– Cuando iB < 0
– En ese caso, el transistor queda abierto (iE = iC = 0), y voltaje Colector – Emisor (VCE) no queda definido.
Transistores BJT
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Transistores BJT
• Cuando está encendido:
– Se puede asumir que VBE 0.6V para NPN, -0.6V para PNP.
– Conduce corriente en el sentido de la flecha del emisor. Si la corriente queda invertida el transistor se quema.
• Cuando está encendido:
– Se puede asumir que VBE 0.6V para NPN, -0.6V para PNP.
– Conduce corriente en el sentido de la flecha del emisor. Si la corriente queda invertida el transistor se quema.
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Transistores BJT• Zona de amplificación:
– Cuando iB << iC
– En este caso la ecuación queda: iC = (β+1)iB
β (hfe en datasheets) varía entre 100 y 300 típicamente. Ganancia no debe depender de β si es amplificador.
– Transistor es una fuente de corriente => Alta Impedancia.
• Zona de amplificación:– Cuando iB << iC
– En este caso la ecuación queda: iC = (β+1)iB
β (hfe en datasheets) varía entre 100 y 300 típicamente. Ganancia no debe depender de β si es amplificador.
– Transistor es una fuente de corriente => Alta Impedancia.
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Transistores BJT
• Zona de saturación (switch):– Cuando iB iC– En este caso iE = iB + iC– VCE se puede asumir que tiene 0.2V en
NPN, VEC es 0.2V en PNP.
– No es necesaria alta corriente, sólo cumplir condición iB iC
• Zona de saturación (switch):– Cuando iB iC– En este caso iE = iB + iC– VCE se puede asumir que tiene 0.2V en
NPN, VEC es 0.2V en PNP.
– No es necesaria alta corriente, sólo cumplir condición iB iC
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Transistores BJT
• Inversa Activa:– Se invierten papeles de Colector y
Emisor– En este caso la amplificación de
corriente (el equivalente a b en caso de zona activa) es del orden de 5.
– No es muy utilizada
• Inversa Activa:– Se invierten papeles de Colector y
Emisor– En este caso la amplificación de
corriente (el equivalente a b en caso de zona activa) es del orden de 5.
– No es muy utilizada
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Transistores BJT
• Configuraciones típicas:– Colector común (seguidor voltaje)– Emisor Común (amplificador)– Base Común (seguidor corriente)– Configuraciones en corte / saturación
• Configuraciones típicas:– Colector común (seguidor voltaje)– Emisor Común (amplificador)– Base Común (seguidor corriente)– Configuraciones en corte / saturación
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Transistores BJT
• Colector común (seguidor emisor)– Vout = Vin – 0.6V
– C1 acopla polarización (divisor entre R1 y R2) con entrada (Vin)
– Aumenta la impedancia de entrada:
Zin = (β+1)RE
• Colector común (seguidor emisor)– Vout = Vin – 0.6V
– C1 acopla polarización (divisor entre R1 y R2) con entrada (Vin)
– Aumenta la impedancia de entrada:
Zin = (β+1)RE
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Transistores BJT
• Emisor común– Δvout = (-RC/RE)Δvin
– Se suma componente continua de la polarización.
– Se debe cumplir 0 < vout < Vcc
• Emisor común– Δvout = (-RC/RE)Δvin
– Se suma componente continua de la polarización.
– Se debe cumplir 0 < vout < Vcc
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Transistores BJT
• Base común– Seguidor de corriente
– Δiout = Δiin(β+1)/β Δiin
– Δvout = -RC ΔVin/(βRE)
• Base común– Seguidor de corriente
– Δiout = Δiin(β+1)/β Δiin
– Δvout = -RC ΔVin/(βRE)
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Transistores BJT
• Corte/saturación– Funcionan como inversores
lógicos.
– vout = Vcc si vin = 0V 0.2V si vin = Vcc
– Debe cumplirse condición de saturación:
(vin - 0.7)/RB Vcc/RC
– Configuración típica para activar relés.
• Corte/saturación– Funcionan como inversores
lógicos.
– vout = Vcc si vin = 0V 0.2V si vin = Vcc
– Debe cumplirse condición de saturación:
(vin - 0.7)/RB Vcc/RC
– Configuración típica para activar relés.