Conducción de calor en estado estable en paredes planas.

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Conducción de calor en estado estable en paredes planas.

Equipo 2

2IV31

Transferencia de calor

Conducción de calor en estado estable en paredes planas.

Los problemas de transferencia de calor en ingeniería por lo general se clasifican como estacionarios (estables) o transitorios (no estables o no estacionarios). El término estacionario implica que no hay cambio en las condiciones de un sistema con el tiempo, mientras que transitorio implica cambios con el tiempo o dependencia respecto al tiempo.

Para ejemplificar la transferencia de calor en estado estacionario aplicado a paredes planas se considerara el caso de una casa durante un día de invierno. Se sabe que se pierde calor en forma continua hacia el exterior a través de la pared. Además, se considera que la temperatura en varios lugares sobre la superficie interior o exterior de la pared son las mismas.

La ley de Fourier de la conducción de calor para la pared se puede expresar

Al separar las variables e integrar desde x=0, hasta x=L, se obtiene

Resistencia Termica o resistencia a la coduccion. Es la facilidad que posse un material a permitir la transferencia de calor atravez del mismo.

De manera general los fenomenos de transferencia de calor unidereccional son analogos al flujo de corriente electrica.

Conduccion de calor en paredes planas de capas multiples en serie

A menudo se encuentran paredes planas que constan de varias capas de materiales diferentes. Todavia se puede usar el concepto de resistencia termica con el fin de determinar la razon de la transferencia de calor estacionaria a traves de esas paredes compuestas. Considere una pared plana que consta de dos capas ( como un muro de ladrillos con una capa de aislamiento). La razon de transferencia de calor estacionaria a traves de esta pared compuesta de dos capas se puede expresar como:

donde Rtotal es la resistencia termica total, expresada como

Rtotal=R pared, 1+R pared, 2

Q̇=T ∞1−T ∞2L1k1∗A

+L2k2∗A

[¿ ]W

Conduccion de calor en paredes planas de capas multiples en paralelo

Tambien se puede usar el concepto de resistencia termica o la analogia elertrica para resolver problemas de transferencia de calor en estado estacionario que comprenden

capas en paralelo o disposiciones combinadas serie-paralelo.

Para el caso de arreglos en paralelo, el calor total es la suma de los calores en cada capa de material en el sistema.

Ejemplo:

Pérdida de calor a través de una pared compuesta:

Una pared de 3 m de alto y 5 m de ancho consta de ladrillos de 16 X 22 cm de sección transversal horizontal (k =0.72 W/m · °C) separados por capas de mortero (k =0.22 W/m · °C) de 3 cm de espesor. También se tienen capas de mortero de 2 cm de espesor sobre cada lado del ladrillo y una espuma rígida (k= 0.026 W/m · °C) de 3 cm de espesor sobre el lado interior de la pared, como se muestra en la figura. Las temperaturas dentro y fuera son de 20°C y 10°C, respectivamente, y los coeficientes de transferencia de calor por convección sobre los lados interior y exterior son h1= 10 W/m2 · °C y h2= 25 W/m2· °C, respectivamente. Si se supone transferencia de calor unidimensional y se descarta la radiación, determine la razón de la transferencia de calor a través de la pared.

SOLUCIÓN Se da la composición de una pared compuesta. Se debe determinar la razón de la transferencia de calor a través de la pared.

Suposiciones 1 La transferencia de calor es estacionaria dado que no hay indicación de cambio con el tiempo. 2 La transferencia de calor se puede considerar como si fuera unidimensional, ya que se realiza de manera predominante en la dirección x. 3 Las conductividades térmicas son constantes. 4 La transferencia de calor por radiación es despreciable.

Propiedades Se da que las conductividades térmicas son k=0.72 W/m · °C, para los ladrillos, k=0.22 W/m · °C, para las capas de mortero y k= 0.026W/m · °C, para la espuma rígida.

Análisis Existe un patrón en la construcción de esta pared que se repite cada 25 cm de distancia en la dirección vertical. No hay variación en la dirección horizontal. Por lo tanto, se considera una porción de 1 m de profundidad y 0.25 m de alto de la pared, ya que es representativa de toda ella.

Si se supone que cualquier sección transversal de la pared normal a la dirección x es isotérmica, la red de resistencias térmicas para la sección representativa de la pared queda como se muestra en la figura. Cada una de las resistencias se evalúa como:

Las tres resistencias R3, R4 y R5 de en medio son paralelas y su resistencia equivalente se determina a partir de:

lo

cual da:

Ahora todas las resistencias están en serie y la resistencia total es:

Entonces la razón de transferencia de calor estacionaria a través de la pared queda:

o sea, 4.38/0.25 =17.5 W por m2 de área. El área total de la pared es A= 3 m x 5 m= 15 m2. Entonces la razón de la transferencia de calor a través de toda la pared queda:

Ejemplo 2:

Resistencia por contacto de los transistores

Cuatro transistores idénticos de potencia con caja de aluminio están sujetos a uno de los lados de una placa cuadrada de cobre de 20 cm x 20 cm y 1 cm de espesor (k =386 W/m · °C) por medio de tornillos que ejercen una presión promedio de 6 MPa. El área de la base de cada transistor es 8 cm2 y cada uno de ellos está colocado en el centro de una sección de 10 cm x 10 cm que constituye la cuarta parte de la placa. Se estima que la aspereza de la interfase es alrededor de 1.5 μm. Todos los transistores están cubiertos de una gruesa capa de plexiglas, que es un mal conductor del calor y, por tanto, todo el calor generado en la unión del transistor debe ser disipado hacia el ambiente que está a 20°C, a través de la superficie posterior de la placa de cobre. El coeficiente combinado de transferencia de calor por convección/radiación en la superficie posterior se puede tomar como 25 W/m2 · °C. Si la temperatura de la caja del transistor no debe sobrepasar los 70°C, determine la potencia máxima que cada transistor puede disipar con seguridad y el salto de temperatura en la interfase caja-placa.

SOLUCIÓN

Cuatro transistores idénticos de potencia están sujetos a una placa de cobre. Para una temperatura máxima de la caja de 70°C, se deben determinar la disipación máxima de potencia y el salto de temperatura en la interfase.

Suposiciones

1 Existen condiciones estacionarias de operación.

2 La transferencia de calor se puede considerar como si fuera unidimensional, aun cuando se reconoce que, en algunas partes de la placa, la conducción de calor será bidimensional, dado que el área de la placa es mucho más grande que el área de la base del transistor. Pero la gran conductividad térmica del cobre minimizará este efecto.

3 Todo el calor generado en la unión se disipa a través de la superficie posterior de la placa, ya que los transistores están cubiertos por una gruesa capa de plexiglas.

4 Las conductividades térmicas son constantes.

Propiedades

Se da la conductividad térmica del cobre como k =386 W/m ·°C. La conductancia por contacto es de hc=42 000 W/m2 · °C, la cual corresponde a la interfase cobre-aluminio para el caso de unaaspereza de 1.3–1.4 m y una presión de 5 MPa, la cual es suficientemente cercana a la que se tiene.

Análisis Se dice que el área de contacto entre la caja y la placa es de 8 cm2 y el área de esta última para cada transistor es de 100 cm2. La red de resistencias térmicas de este problema consta de tres resistencias en serie (interfase, placa y convección), las cuales se determina que son:

Entonces la resistencia térmica total es:

Note que la resistencia térmica de una placa de cobre es muy pequeña y se puede ignorar por completo. Entonces se determina que la razón de la transferencia de calor es:

Por lo tanto, el transistor de potencia no debe operarse a niveles de potencia mayores que 12.4 W, si la temperatura de la caja no debe sobrepasar los 70°C. El salto de temperatura en la interfase se determina a partir de:

que no es muy grande. Por lo tanto, incluso si se elimina por completo la resistencia por contacto térmico en la interfase, en este caso se bajará la temperaturade operación del transistor en menos de 0.4°C.