Cuestionario Fisica de Semiconductores Unidad 1

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MATERIA: FISICA DE SEMICONDUCTORES CUESTIONARIO UNIDAD 1 1.- ¿Por qué es importante la distribución de electrones en la última orbita de un átomo?: 2.-Defina que es una celda unitaria: 3- Exponga cual es la diferencia entre un conductor y un semiconductor 4- ¿Indique el valor de la banda prohibida del Silicio y Germanio? 5.- Defina que es un diagrama de bandas de energía y sus partes que lo integran. 6.- proceso que se produce por la ruptura de enlaces covalentes debido a la temperatura. 7.- Que nombre recibe la técnica para cambiar un semiconductor intrínseco en extrínseco y en qué consiste 8.- describa que es una impureza, cuantos tipos existen y para qué sirve 9.- Defina y ponga su ecuación de la ley de ohm y la de Kirchhoff 10.-Que es una celda unitaria y como esta formada. 11.- Dibuje el símbolo de un semiconductor tipo p,n 12.-Defina que es la conductividad y movilidad de cargas. 13.- Cuál es la finalidad de emplear el efecto Hall en semiconductores. 14.- exprese la ecuación de conductividad y movilidad de partículas en un semiconductor intrínseco, extrínsecos tipo “P” y “N” 15.-16.- Una placa semiconductora de silicio, se contamina con átomos de Boro a razón de 10 16 átomos /cm -3 a 300°K ¿se desea conocer el valor de la energía del nivel de Fermi, y graficarlo en un diagrama de bandas de energía? 17.-18 Se desea, encontrar: a).- La resistividad intrínseca del Germanio a 300°K

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MATERIA: FISICA DE SEMICONDUCTORES CUESTIONARIO UNIDAD 1

1.- ¿Por qué es importante la distribución de electrones en la última orbita de un átomo?:

2.-Defina que es una celda unitaria:

3- Exponga cual es la diferencia entre un conductor y un semiconductor

4- ¿Indique el valor de la banda prohibida del Silicio y Germanio?

5.- Defina que es un diagrama de bandas de energía y sus partes que lo integran.

6.- proceso que se produce por la ruptura de enlaces covalentes debido a la temperatura.

7.- Que nombre recibe la técnica para cambiar un semiconductor intrínseco en extrínseco y en qué consiste

8.- describa que es una impureza, cuantos tipos existen y para qué sirve

9.- Defina y ponga su ecuación de la ley de ohm y la de Kirchhoff

10.-Que es una celda unitaria y como esta formada.

11.- Dibuje el símbolo de un semiconductor tipo p,n

12.-Defina que es la conductividad y movilidad de cargas.

13.- Cuál es la finalidad de emplear el efecto Hall en semiconductores.

14.- exprese la ecuación de conductividad y movilidad de partículas en un semiconductor intrínseco, extrínsecos tipo “P” y “N”

15.-16.- Una placa semiconductora de silicio, se contamina con átomos de Boro a razón de 1016 átomos /cm-3 a 300°K ¿se desea conocer el valor de la energía del nivel de Fermi, y graficarlo en un diagrama de bandas de energía?

17.-18 Se desea, encontrar:

a).- La resistividad intrínseca del Germanio a 300°K

b).- Si se Introduce ahora, una impureza donadora en proporción de 1 x 108 átomos de

Germanio x Cm -3 ¿Cuál seria la resistividad del nuevo material?

c).- Ahora, si el Germanio fuese un metal monovalente, encuentre la relación de su conductividad

Respecto al semiconductor tipo “N” del inciso anterior.

19.-Se cuenta con una muestra de Germanio tipo N que presenta una resistividad de 5 Ohm – cm. a

temperatura ambiente, se desea conocer la resistividad que presenta el material a: 230°K

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20.- .- Es aquel elemento que se encuentra disponible para la conducción en una muestra semiconductora

MARQUE CON UNA CRUZ LA RESPUESTA CORRECTA A CADA PREGUNTA.

21.- Es aquel material semiconductor que al doparse produce un portador libre.

( ) Extrínseco ( ) Intrínseco ( ) Extrínseco tipo “P” ( ) Extrínseco tipo “N”

22.- Es la partícula libre de un semiconductor intrínseco disponible para la conducción.

( ) Electrón ( ) Hueco ( ) Pares electrón - hueco ( ) no hay partículas libres

23.- Aquella que determina la movilidad de los portadores de carga y la resistividad del material se denomina

( ) Resistencia ( ) Conductividad ( ) Portador libre ( ) Velocidad de desplazamiento.

24- Aquel proceso que se produce por la ruptura de enlaces covalentes debido a la temperatura.

( ) Recombinación ( ) Generación ( ) efecto térmico ( ) desplazamiento de carga