Diodo PIN en polarización directa e inversa

En el estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con una resistencia Rz. Su modelo de circuito equivalente se muestra en la figura. Asumiendo que la señal de RF no afecta la carga almacenada, la resistencia serie de polarización directa R z

se obtiene con la siguiente expresión:

R z=w2

(μn+μp )ϕ

donde µn es la movilidad de los electrones, y µp es la movilidad de los huecos. La carga Q [C] es resultado de la recombinación de portadores (electrones y huecos) en la región intrínseca, y está dada por:

Q=IO τ

En situación de polarización inversa, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con el paralelo de una capacitancia CT y una resistencia RP, tal como se muestra en la figura 1b. El capacitor se puede obtener con:

CT=2 Aw

Donde z es la constante dieléctrica del material de diseño y A es el área de la unión del diodo.

Se considera a la resistencia RP infinita.