Diodos
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DiodosFISICA ELECTRONICA
DIODO
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest.Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas constituidos por dos electrodosrodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
FICHA TÉCNICA DE 5 DIODOS
DIODOS RECTIFICADORES
• Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeñas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando así a los diodos termoiónicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y microscopios electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de alimentación se utilizan los diodos formando configuración en puente (con cuatro diodos en sistemas monofásicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseño de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de este valor el encapsulado es metálico y en potencias más elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.
DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402
• Voltaje reverso máximo recurrente máximo (VRRM): 200V• Voltaje máximo del RMS (VRMS): 140V• Voltaje de bloqueo de la C.C. del máximo
(VDC): 200V• Corriente adelante rectificada media
máxima (IO): 3A• Sobretensión delantera máxima (IFSM):
200A• Corriente reversa de la C.C. del máximo
(IR): 5µA• Gama de temperaturas de
funcionamiento: -65°C a +175°C• Tipo sin plomo• RoHS obediente• Propósito-tipo general
DIODO RECTIFICADOR 3A 1000V (DIODO 3A)
•Diodo Rectificador 3A 1000V (DIODO 3A)•1N5408 Equivale al ECG5809 = NTE5809•Encapsulado DO-201AD
DIODOS LED ( Light Emitting Diode)
• Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensión de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo. • Color• Tensión en directo• Infrarrojo 1,3v• Rojo 1,7v• Naranja 2,0v• Amarillo 2,5v• Verde 2,5v• Azul 4,0v
DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW
• Corriente delantera máxima: 400ma• Longitud de onda: 808nm, 980nm,
405nm, 445nm, 635nm, 650nm• Voltaje delantero máximo: 2.4v• Energía: 50mw, 100mw, 250mw,
300mw, 3000mw, 5000mw• potencia: 50mw, 100mw, 250mw,
300mw, 3000mw
DIODO 50w de alta potencia led/diodo
• De energía: 50 vatios• El modelo no.:Lsp-520cwsa-g45-
ac5b-bht-55• Voltaje de funcionamiento: 31~35
v• Corriente de trabajo: 1500 ma• Temperatura de color: 5500~6500 k• Lúmenes: 4000~4500 lm• El ángulo de visión: 100~120 deg• Medio ambiente de trabajo:- 20&
deg; c~+80& deg; c• Duración de la vida: @& @50, hrs
000
DIODO 3V
• Corriente delantera máxima: 350ma• temperatura de color: 2700-3200k• voltaje hacia• el ángulo de visión: 120 grado
adelante: 3.0-3.6v• Voltaje delantero máximo: 3.6v• lumious flujo: 110-120ml• el consumo de energía: 1w
DIODO ZENER HOJA DE DATOS• máximo típico de coeficiente de temperatura&
delta; vbr = 0.1% x• Vbr@25& deg; c x& delta; tç• pasivado chip unión p600 en el paquete• 5000w pico del pulso en capadility 10& veces;
1000& mu; s de forma de onda, la repetición• Tasa de( ciclos de trabajo): 0.01%• rápido tiempo de respuesta: por lo general
menosde1.0ps de 0 voltios a bv min• ir menos de 5& mu; por encima de un 12v• de alta temperatura de soldadura garantiza:
260& deg; c/40 segundos/0.375& y rdquo;,( 9.5mm) plomo longitud, 5 libras.,( 2.3kg) la tensiónde inflamabilidad
FOTODIODO
• Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarán inversamente, con lo que producirán una cierta circulación de corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construcción se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensión exterior, generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las células fotoeléctricas. Actualmente, y en muchos circuitos estás últimas se están sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada.
FOTO DIODO
• Tipo de embalaje: con plomo• Paquete forma: T-1 ¾• Dimensiones (mm): Ø 5• Área de Radiant sensible (en mm2): 0,78• Conduce con stand-off• Sensibilidad radiante de alta• Horario de bloqueo de filtro adaptado con 870 nm a 950 nm emisores• Ancho de banda de alta:> 100 MHz a VR = 12 V• Tiempos de respuesta rápidos• Ángulo de media sensibilidad: φ = ± 20 °• Cumple con la directiva RoHS 2002/95/CE y en conformidad con WEEE 2002/96/CE