[DSE] 0 Polarizacion de transistores BJT y FET
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Diseño y Simulación Electrónica
0. Tema: Polarización de transistores BJT y FET
En este tema se repasará el análisis en continua de los transistores BJT y FET. Para ello, se realizarán los ejercicios de examen de la asignatura Electrónica Analógica correspondientes a los cursos 2005/2006 y 2006/2007.
0.1. EA (2007-09-10)
Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.
T1 ≡ T4 T2 T3β = 100
VBE,ON = VBE,SAT = 0.7vVCE,SAT = 0.2v
|IDS| = 10mA|VP| = 6v
|K| = 0.15mA/V2|VT| = 10v
SOLUCIÓN
T1 es un BJT de tipo NPN
1
150kΩ
5kΩ
T1
3kΩ
3kΩ
T2
20kΩ
1kΩ
1.33MΩT3
500Ω
T4
5kΩ
3kΩ
20 V
-20 V
Diseño y Simulación Electrónica
T2 es un JFET de canal n
Suponemos T2 en SATURACIÓN
Comprobamos que T2 está en saturación
2
Diseño y Simulación Electrónica
T3 es un MOSFET de enriquecimiento de canal n
Suponemos T3 en SATURACIÓN
T4 es un BJT de tipo NPN
Suponemos T4 en ACTIVA
3
Diseño y Simulación Electrónica
Nueva suposición: T4 está SATURADO
Comprobamos que T4 está en saturación
Volvemos al transistor T3 para calcular su VDS3
Comprobamos que T3 está en saturación
4
Diseño y Simulación Electrónica
0.2. EA (2007-05-29)
Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.
SOLUCIÓN
T1 es un BJT de tipo NPN
5
T1: VCE,sat = 0,2 vVBE,sat = 0,8 vVBE,on = 0,7
T2: | IDS | = 7 mA| VP | = 5 v
T3: | K | = 0.75 mA/V2
| VT | = 7 v
T4: | IDS | = 10 mA | VP | = 6 v
Diseño y Simulación Electrónica
Suponemos que T1 en ACTIVA
T2 es un JFET de canal n
Suponemos T2 en saturación
duezeztatzenosaketaHasierako
MOZTUTAT
vV
dunbaieztatzeosaketaHasierako
ASETUTAT
vV
VV
GS
GS
GSGS
sup
2
7
sup
2
3
08.20101
2
2
22
2
Volvemos al transistor T1 para calcular su VCE1
zuzenaSuposaketaVvvV
V
IIVIV
IVIV
sareaIrteerakoV
SATCECE
CE
CBCECGS
ECECS
CE
,11
1
11112
1112
1
2.064.13
02017.10117.0517.133
02053
02053
?
6
Diseño y Simulación Electrónica
Volvemos al transistor T2 para calcular su VDS2
Comprobamos que T2 está en saturación
T3 es un MOSFET de enriquicimiento de canal n
Suponemos T3 en SATURACIÓN
T4 es un MOSFET de empobrecimiento de canal n y está
saturado en modo acumulación
Volvemos al transistor T3 para calcular su VGS3
7
Diseño y Simulación Electrónica
duezeztatzenosaketaHasierako
MOZTUTAT
vV
dunbaieztatzeosaketaHasierako
ASETUTAT
vV
GS
GS
sup
3
1.2
sup
3
8.11
3
3
Comprobamos que T3 está en saturación
Volvemos al transistor T4 para calcular su VDS4
Comprobamos que T4 está en saturación
0.3. EA (2006-09-04)
Calcular el punto de trabajo de cada uno de los transistores del siguiente circuito.
8
Diseño y Simulación Electrónica
SOLUCIÓN
T2 es un BJT de tipo NPN
Suponemos T2 en ACTIVA
9
T1: |K| = 0.25 mA/V2
| VT | = 8 v
T2: = 150 VCE,sat = 0,2 vVBE,sat = 0,8 vVBE,on = 0,7 v
T3: | IDS | = 24 mA| VP | = 4 v
T4: = 300VEB,on = 0,7 v(despreciar IB)
Diseño y Simulación Electrónica
Nueva suposición: T2 en SATURACIÓN
Comprobamos que T2 está en saturación
10
Diseño y Simulación Electrónica
T3 es un MOSFET de empobrecimiento de canal p
Suponemos T3 en SATURACIÓN
T4 es un BJT de tipo PNP
Suponemos T4 en ACTIVA
Volvemos al transistor T3 para calcular su VGS3
11
Diseño y Simulación Electrónica
Comprobamos que T3 está saturado en modo deplexión
Volvemos al transistor T4 para calcular su VEC4
12