Examen Fin de Carrera

8/16/2019 Examen Fin de Carrera

1/27

EXAMEN DE FIN DE CARRERA

La Ley Orgánica de Educación Superior (LOES) establece que todas las Instituciones deEducación Superior (IES) deben acreditarse ante el Consejo de Evaluación, Acreditación yAseguramiento de la Calidad de la Educación Superior ( CEAACES).

El examen de fin de carrera es una herramienta que permite identificar los logros de aprendizajede los estudiantes con el fin de diagnosticar su nivel de conocimientos y habilidades paraelaborar e implementar planes de mejoramiento en la perspectiva de elevar la calidad

académica.

Componentes y referentes conceptual es a eval uarSe espera que las y los estudiantes demuestren el desarrollo de competencias derivadas de suformación tanto de en ciencias básicas como en el campo profesional. Se pondrá énfasis en losconceptos y crit erios de ingeniería desde el punto de v ista cualit ativ o más que cuantitativo.

Formación en Ciencias Básicas de Ingeniería:Comprende el conjunto de leyes y conocimientos cient íficos, deriv ados de las ciencias naturalesy ciencias básicas, que permit en la conceptualización y el análisis de los problemas deingeniería. Este campo es el puente necesario para la fundamentación de la ingenieríaprofesional y aplicada. Comprende las siguientes áreas:

Área de Señales y Sistemas: Incluye las subáreas de análisis de señales y sist emas, en eldominio del tiempo y frecuencia.

Área de Ciencias Básicas: Incluye las subáreas de programación, camposelect romagnéticos, estadística y probabilidad orientada a la ingeniería.

Área de Circuitos Eléct ricos: Incluye las subáreas de fundamentos de circuitos eléctricos,respuesta permanente y t ransitoria de los circuitos eléctricos, transferencia de energía,corrección de factor de potencia y aplicaciones generales.

Área de Circuitos Elect rónicos: Incluye las subáreas de física de semiconductores,dispositivos semiconductores y su aplicación, amplificadores de señal y amplificadoresde potencia, osci ladores y disposit ivos de conmutación

Campo de Formación Profesional

Hace referencia al conjunto de conocimientos básicos de un campo específico de la ingenieríamediante los cuales es posible desarrollar conocimientos y tecnología que permiten laaplicación de los principios de las ciencias básicas de la Ingeniería en Electrónica, Control yAutomatización Comprende el saber hacer de la profesión y comprende las siguientes áreas:

Área de Instrumentación y Mediciones: Incluye las subáreas de conceptos básicos demedición, inst rumentos eléctricos de medida, instrumentos electrónicos de medida ytransductores.

Área de Sist emas Digitales: Incluye las subáreas de circuitos lógicos y arquitectura y,organización de computadores.

Área de Sistemas de Control: Incluye las subáreas de modelamiento de sistemas, controlanalógico y control digit al.

CuestionarioEn el examen se utilizan preguntas de selección múltiple con única respuesta. Este tipo depreguntas consta de un enunciado y cuatro opciones (A, B, C, D). Sólo una de estas opcionesresponde correct amente la pregunta. El estudiante debe seleccionar la respuesta correcta ymarcarla en su Hoja de Respuestas rellenando el óvalo correspondiente a la letra que identificala opción elegida.

EJEMPLO:


2/27

En el circuito de la figura las capacitancias de los dos condensadores son iguales C1=C2=C. Uninterruptor S está abierto, el condensador C1 está cargado a un voltaje V y el condensador C2está descargado:

Después de cerrar el interruptor S:A. La tensión en los dos condensadores será V/2 y la carga almacenada en cada condensadorserá igual a la carga almacenada en C1.B. La carga almacenada en los dos condensadores será la misma y la energía almacenada enel sistema será igual a la energía inicial almacenada en C1.C. La tensión en los dos condensadores será igual a la tensión inicial V en el condensador C1 y laenergía será conservada.D. La carga en cada condensador será igual a la mitad de la carga inicial almacenada en elcondensador C1 y la energía total almacenada en el sistema será la mitad de la energía inicialalmacenada en C1.

Respuesta correcta: DResolución de la Pregunta:Circuito abierto:Carga: q. Energía almacenada en el sistema: 1/2 q 2C1 = ECircuito cerrado:Carga: q/2 + q/2. Energía almacenada en el sistema: 1/2 (q/2) 2 /C1 + 1/2 (q/2) 2/C1 = E/2

1. L a resi stencia eléctr i ca de un materi al no depende de...

a) Su resistividad. b) La temperatura.c) Sus dimensionesd) La gravedad.

2. L a un idad de medida de l as resi stenci as es el ...

a) Faradio. b) Ohmio.c) KOhmio.d) MOhmio

3. Para un determinado tipo de resistencia, el tamaño fila su…

a) Valor óhmico

b) Vida mediac) Voltaje o potenciad) Tolerancia

4. De los símbolos indicados en la figura…

a) R1 y R2 son los símbolos generales de resistencia. b) R3 no está normalizado.c) Sólo se utiliza Rl.d) Rl y R2 indican resistencia no reactiva.

5. Qu évalor de potenci a nomi nal no está normal i zado en l as resi stencias de usocomún?


3/27

a) 1/7 W. b) 1/4 W.c) 1/2 W.d) 1 W.

6. Una resi stencia de 2M2 ohmi os ti ene un valor de...

a) 2,2 . b) 2.200.000 .c) 220.000.000 .d) 2.200 .

7. En un montaje reostáti co, la potenci a máxi ma que puede di sipar l aresi stencia vari able.

a) Depende exclusivamente de la temperatura ambiente. b) Es constante.c) Depende de la posición del cursor.d) Es igual a la nominal.

8. En un montaje potenci ométr i co con un a resi stenci a de carga de valor muyelevado...

a) La potencia que puede disipar la resistencia variabledepende de la posición del cursor.

b) La corriente por el cursor será muy alta.c) La limitación más probable es la corriente máxima por

cursor.d) La tensión de entrada está limitada por la potencia máxima disipable.

9. En una resi stencia vari able bobinada de potenci a...

a) El recorrido eléctrico suele ser inferior al mecánico. b) El recorrido eléctrico es siempre superior al mecánico.c) Los recorridos eléctrico y mecánico son siempre iguales.d) No hay recorrido eléctrico, sólo mecánico.

10. L a resi stencia vari able que posee una l ey de vari ación como la mostrada en l afigura...

a) Debe ser fabricada modificando adecuadamente el espesor

de la pista resistiva. b) Únicamente podrá obtenerse utilizando resistencias bobinadas.

c) Tendría un tamaño exagerado.d) No es posible fabricarla porque presenta una zona donde la

resistencia disminuye al aumentar la rotación del cursor.

11. L a resolución de una resi stencia vari able li neal de pista conti nua.

a) Es nula. b) Depende del estado de la superficie de la pista resistiva.

c) Aumenta con la frecuencia de la señal aplicada.d) Depende exclusivamente del material con el que se fabrica el cursor.


4/27


5/27

b) 1 newton.c) 1 tesla.d) 1 weber.

20. Mediante el símbol o mostrado se representa el condensador...

a) De estator dividido. b) Diferencial.c) Pasamuros.d) Con toma de corriente.

21. En el condensador de pel ícul a pl ano de la figura, es falso que …

a) Las bandas de color I y II indican la 1a y la 2a cifra. b) La banda III es el coeficiente multiplicador.c) La banda IV corresponde al coeficiente de temperatura.d) La banda V representa la tensión máxima.

22. El condensador de l a fi gura ti ene una tolerancia de...

a) ±2,5%. b) ±5%.c) ±10%.d) ±20%.

23. El condensador de l a fi gura t i ene un val or de...

a) 0,047 F. b) 470 pF.c) 4,7 uF.d) 47 nF.

24. El condensador de pol i éster metal i zado de la f igur a ti ene...

a) Una capacidad de 250 nF. b) Una tolerancia del ±33%.c) Una tensión de trabajo de 250 V.d) Un coeficiente de temperatura de 250 ppm/°C.

25. Una bobina...

a) Almacena energía en forma de campo eléctrico. b) Se opone a las variaciones de la corriente

eléctrica.c) No almacena energía.d) Genera energía cinética.

26. Una bobina de 10 mH presenta al paso de una corr i ente al terna senoi dal de100 ll z una reactancia de...

a) 6,28 . b) 1000 c) 27 .

d) 0 .27. En CA senoi dal un a bobina pura o ideal ...


6/27

a) Produce un desfase de 180° entre tensión e intensidad.Adelanta la intensidad 90° respecto a la tensión.

b) Hace que tensión e intensidad estén en fase. s c) Retrasa la intensidad 90° respecto a la tensión.

28. En el conexi onado de bobinas en seri e y despreciando la inducción mutua, l ainductancia equi valente del conjun to es si empre...

a) Mayor que la mayor de ellas. b) Igual al producto de todas ellas.c) Menor que la mayor de ellas.d) Menor que la menor de ellas.

29. En el conexionado de bobinas en paralelo y despreciando l a inducción mutua,l a inductancia equi valente del conjunto es si empre...

a) Mayor que la mayor de ellas. b) Mayor que la menor de ellas.. c) Igual al producto de todas ellas.d) Menor que la menor de ellas.

30. L a constant e de ti empo de una bobina es...

a) = R/L. b) = RC.c) v = L/R.d) f = 2 fL.

31. Cuanto mayor es l a in ductanci a de una bobina, la resi stencia CC.

a) Aumenta. b) Disminuyec) No varía.d) Tiende a cero.

32. En l a bobina de l a figura...

a) La corriente eléctrica entra por el terminal 2 y sale por el1.

b) El polo norte está a la derecha.c) No hay campo magnético.d) Las espiras están en cortocircuito.

33. En el circui to de la f igur a, en el i nstante t-0 ju sto después de cerrar SI esmáxi ma.

a) La intensidad de corriente b) La tensión en la resistenciac) La intensión en la bobinad) La reactancia inductiva


7/27

34. En un t ransformador.

a) Cada devanado puede ser utilizado como primario o comosecundario indistintamente debido a que es reversible.

b) El devanado con mayor número de espiras es el primario.c) El devanado con mayor número de espiras es el secundario.d) Solamente si el primario y el secundario tienen el mismo número

de espiras es reversible.

35. El transformador permi te...

a) Separar eléctricamente e independizar circuitos. b) Amplificar o atenuar tensión continua.c) Filtrar los parásitos de la red.d) Rectificar señales alternas.

36. De los tr es símbolos i ndi cados en l a fi gur a.

a) Dos son transformadores trifásicos. b) Ninguno tiene núcleo.c) T3 es multifilar.d) Todos corresponden a transformadores.

37. En un t ransformador si empre se cumpl e que...

a) La potencia eléctrica del primario es igual a la potencia del secundario. b) La tensión del secundario es igual a la tensión del primario.c) La intensidad del primario es igual a la intensidad del secundario.d) La resistencia del primario es igual a la resistencia del secundario.

38. Si en un transformador l a relación de tr ansformaci ón r t > I , entonces.

a) Es elevador de tensión. b) Tiene más espiras en el arrollamiento primario que en el secundario.c) Es reductor de intensidad.d) Es elevador de potencia.

39. L os tr ansformadores de aisl amiento o de separaci ón decircuitos...

a)

Son elevadores. b) Son reductores.c) Tienen una r, = 1.d) Funcionan con CC.

40. El t ransformador centro deri vado se caracteri za porque..

a) Tiene una toma auxiliar que une primario y secundario a tierra. b) No tiene núcleo central.c) Posee una toma media en el secundario que lo divide en dos, con polaridades

opuestas a dicha toma.

d) Es de tipo toroidal y la tensión del secundario es exactamente la mitad de ladel primario.


8/27

41. El transformador de l a fi gura es.

a) Apantallado. b) Con acoplamiento variable.c) Con imán móvil.d) Con núcleo ajustable.

42. L os tr ansformadores que no se pueden fabri car con núcleo de hi err o sinocon ferr i ta, ai re, metal en pol vo prensado, etc., son l os...

a) De alimentación. b) Aulotransformadores.c) De aislamiento.d) De radiofrecuencia.

43. Cuál de los tr ansformadores ci tados a continu ación ti enen elinconveni ent e de que el secundari a no está ai sl adoeléctr i camente del pri mari o?

a) Transformadores adaptadores de impedancias. b) Autotransformadores.c) Transformadores de audiofrecuencia.d) Ninguno.

44. Trabajan con satu ración magnéti ca del núcleo los transformadores.

a) De aislamiento. b) De audiofrecuencia.c) De impulsos para disparo de tiristores.d) Con toma media en el secundario.

45. Al medir con un volt ímetro de al ta i mpedancia la tensión en bornes de unapi l a gastada...

a) Puede ser la misma que cuando estaba nueva. b) Cae rápidamente cuando se conecta a un receptor.c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.d) Obtenemos una lectura que corresponde con la mitad de su tensión nominal.

46. L as pi l as en forma de botón...a) Son herméticas. b) Tienen una descarga espontánea muy pequeña.c) Son de tamaño reducido.d) Todas las respuestas anteriores son ciertas.

47. L a tensión ent re los puntos a – b valena) Vab = 12 V. b) Vab = 6 V.c) Vab = 10 V.d) Vab = 5 V.

48. L a tensión ent re los puntos a – b valen

a) Vab = 17 V.


9/27

b) Vab = 3V.c) Vab = 10 V.d) Vab = 7V.

49. Si l as dos pi l as de l a figura son i gual es, la t ensión Vab vale...

a) Vab = V1/V2. b) Vab = VV1 + V2 .c) Vab = VI .V2.d) Vab = 0.

50. En l a conexi ón seri e de vari os generadores CC i gual es, la bateríaresultante...

a) Puede entregar una intensidad de corriente quees la misma que entregaría cualquiera de loselementos que la forman.

b) Tiene una resistencia interna cuyo valor coincidecon el de cualquiera de los elementos que la forman.c) Proporciona una tensión que es igual al inversode la suma de los inversos de las tensiones parciales.d) Proporciona una mayor tensión de salida a medida que disminuye el n° deelementos que la forman.

51. Para conectar vari as pi l as en paralelo es conveni ente que tengan...

a) Igual fem y Ri. b) Igual fem y distinta Ri.c) Distinta fem y distinta Ri.d) Distinta fem e igual Ri.

52. L a tensión de l a batería de plomo de la fi gur a depende de...

a) El número de bornes. b) El número de pares de placas que hay en cada vaso.c) El número de vasos o células.d) Sus dimensiones.

53. Respecto al mantenimiento de una batería de plomo ácido sabemos que...

a) En el proceso de descarga hay un aumento de la concentración del ácido. b) Para conocer el estado de carga de cada acumulador es necesario medir ladensidad del electrolito.c) En el proceso de carga, la tensión nunca llega a sobrepasar el valor nominal.d) No existe gaseado durante la carga y, por tanto, no hay que tomar

precauciones.

54. Dada la gráfi ca de l a fi gur a, que muestr a l a capaci dad de descarga de un abatería de plomo en funci ón de l a corri ent e,deduci mos que...

a) II >12 >13 >14. b) I1


10/27

55. Para r ell enar l as baterías de plomo ácido se emplea...

a) Agua corriente. b) Agua destilada.c) Agua mineral.d) Agua oxigenada

56. Estructu ral mente un diodo se compone de...

a) Tres cristales dopados y dos terminales externos de conexión. b) Dos uniones semiconductoras.c) Dos cristales dopados y dos terminales externos de conexión.d) Tres uniones semiconductoras.

57. Cuando en un di odo dir ectamente polar i zado exi ste un fl ujo de electronesde valenci a moviéndose haci a l a i zqui erda, signi fi ca que los hu ecosfl uyen hacia...

a) La derecha. b) La izquierda.c) Todas las direcciones, erráticamente.d) No se mueven.

58. En un di odo de si l i cio no polar i zado y a temperatur a ambiente, los iones dela zona de deplexi ón producen una barrera de potenci al de...

a) 0,2 V. b) 0,3 V.c) 0,7 V.d) 1,5 V.

59. Dentro de l a estructu ra cri stal i na de un diodo, los el ementos que nopueden despl azarse son...

a) Los electrones libres. b) Los huecos.c) Los portadores mayoritarios.d) Los iones.

60. En el diseño de un diodo recti fi cador, i nteresa una banda prohi bida ancha

porque...a) La corriente inversa de saturación será mayor. b) La temperatura afectará menos al semiconductor.c) La tensión umbral será menor.d) Ninguna respuesta es cierta, la banda prohibida debe ser

estrecha.

61. Cuando un a uni ón PN está polari zada según indi ca el esquema de bloquesde l a figura.

a) Circula una intensa corriente eléctrica a través de launión que se cierra por el circuito exterior.


11/27

b) Disminuye el campo eléctrico que se establece en la unión, lo quefavorece su capacidad de conducción.

c) Aumenta la barrera de potencial y el ancho de la zona de transición, conlo que será imposible que se establezca por ella una corriente directa.

d) Su zona de trabajo se encuentra en el primer cuadrante de la curvacaracterística.

62. ¿Cuál de l as característi cas de un di odo ci tadas a cont i nuación puedeencontr arse en su datasheet?

a) El color de la cápsula. b) Vida media del componente.c) Intensidad media máxima.d) Tensión inversa mínima.

63. Ateni éndonos a su código de designaci ón, ¿cuál de los siguientescomponentes es un di odo de un ión?

a) 2N3055. b) 1N4148.c) 7400.d) ZF12.

64. ¿Cuál de l as si gui entes afi rmaciones es cierta?

a) Cuando varios diodos están conectados en paralelo, la máximacorriente que puede entregar el conjunto está limitada a la deldiodo que menos corriente admite. b) Los diodos no pueden conectarse en serie.c) En la conexión de diodos en paralelo es preciso colocar unaresistencia de pequeño valor en serie con cada uno de ellos paracompensar las disimetrías.d) Los diodos sólo pueden conectarse en anti paralelo

65. Un recti fi cador monofásico en pu ente de Gr aetz está for mado por ....

a) 1 diodo. b) 2 diodos.c) 3 diodos.d) 4 diodos.

66. En un puente recti fi cador i ntegrado...

a) Los terminales marcados con el símbolo ~ corresponden a lasalida de tensión alterna.

b) Los terminales marcados con los signos + y - corresponden ala entrada de tensión continua pulsatoria simple.

c) Es obligatorio el uso de radiador.d) Los terminales marcados con los símbolos ~ son los de

entrada de tensión alterna, y los marcados con los signos + y -son los de salida de tensión continua pulsatoria doble.


12/27

67. Cuando se conectan en seri e vari os diodos de potencia del mismo t ipo...

a) La tensión inversa aplicada a la rama se reparte por igual entre todos ellos.

b) El tiempo de recuperación inversa será el mismo para todos.

c) Los diodos más rápidos dejarán de conducir antes, lo que les es favorable pues soportarán una tensión inversa menor.

d) La distribución de la tensión inversa entre los diodos de la rama puedeequilibrarse mediante la conexión de una resistencia en paralelo con cadauno.

68. Cuando se conectan en paral elo vari os diodos de potenci a del mismo ti po...

a) La dispersión de las características estáticas de los diodoshace que puedan provocarse fuertes desequilibrios en susrespectivas contribuciones a la corriente de carga.

b) Se crea un desequilibrio que se hace menos patente con elaumento de la temperatura, ya que es positivo el coeficientede temperatura de la tensión en los diodos.

c) Es preciso conectar una resistencia en paralelo con cadadiodo a fin de uniformar sus características.

d) El valor de la resistencia a conectar en serie con cada diodo será tantomayor cuanto mayor sea la corriente que deba circular por dicha rama.

69. El valor de l a corr i ente que un diodo de potenci a puede soportar , si suspicos se repi ten cada 20 ms con una duración del pi co de 1 ms y para unacierta temperatu ra de l a cápsul a, se denomi na...

a) IFA V- b) IFRM-c) IfSM-d ) IFRMS

70. El ti po de encapsul ado de un diodo de potenci adepende de...

a) La intensidad nominal del diodo. b) La caida de tensión directa.c) La temperatura ambiente.d) La corriente de fugas.

71. Del espesor “d” de la capa N - del di odo de potencia de la fi gura depende...

a) La comente directa media. b) La tensión de ruptura.c) La tensión de umbral.d) La tensión directa de pico repetitiva.

72. L os diodos zener trabajan habi tualmente...

a) En polarización directa. b) En polarización inversa.c) En ambas polarizaciones, directa e inversa.d) Por cátodo a masa.


13/27

73. En l a característi ca inversa corr espondiente a un diodo zener de la fi gura,el punto de tr abajo...

a) Ql es el adecuado porque aun no se ha producido laruptura.

b) Q3 está dentro de la zona de regulación.c) Q5 es idóneo para circuitos con corrientes fuertes.d) Q2 o Q4 están prohibidos.

74. L os diodos zener se ti t Hi -ti n pri nci palmente en...

a) Estabilización de tensiones, circuitos recortadores y protección contrasobretensiones.

b) Rectificación de potencia.c) Amplificación de señales de audio.d) Sintonización FM.

75. Cuál de los símbol os de la fi gura no representa al di odo zener?

a) Dl. b) D2.c) D3.d) D4.

76. El efecto zener y el efecto avalancha...

a) Son iguales. b) Se producen con polarizaciones diferentes: uno en directa y el otro en

inversa.c) Se diferencian en que uno es controlable y el otro destruye la unión PN.d) Solo se producen si el material semiconductor usado en la unión es el

Germanio.

77 . Los tr ansistores BJT o bi polares reciben este nombre porque...

a) Basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos. b) Tienen tres uniones PN.c) Pueden trabajar de dos modos diferentes: como conmutador y como amplificador.d) Necesitan dos fuentes de alimentación para ser polarizados.

78. El símbolo representado corr esponde a un tr ansistor ...

a) NPN b) PNPc) PPNd) NPP

79. El tr ansi stor bipolar fue i nventado en el año 1948 por

a) John Bardeen. b) Walter H. Brattain.c) Willian B. Shockley.d) Los tres anteriores

80. Un transi stor bipolar ti ene


14/27

a) Dos zonas dc dopado. b) Dos zonas de deplexion.c) Tres tipos de portadores de carga.d) Dos terminales.

81. Un tr ansi stor sin polari zar es si mil ar a

a) Dos diodos contrapuestos. Q b) Una resistencia variable.c) Un interruptor cerrado.d) Una red RC.

82. En un transi stor NPN l os portadores mayori tar i os en l a base son

a) Los huecos. b) Los electrones libres.c) Los iones positivos.d) Los iones negativos.

83. En l as característi cas de sal i da de un tr ansi stor bi polar mostradas en l a figura, lazona rayada corr esponde a...

a) La zona de saturación. b) La zona de corte.c) La zona activa.d) La zona prohibida.

84. Para que un transi stor BJT este polar i zado en la zona activa debe tener.

a) La unión E-B y la unión C-B directamente polarizadas. Q b) La unión E-B y la unión C-B inversamente polarizadas.c) La unión E-B directamente polarizada y la unión C-B inversamente polarizada.d) La unión E-B inversamente polarizada y la unión C-B directamente polarizada.

85. En un transi stor N PN que tr abaja en sum ru e ion se veri fi ca que...

a) VCE = 0V. b) Ic - 0 A.c) V

CE = V

CC. Q

d) Ic = IM.

86. Un t ransi stor NPN con l os valores indi cados se encuentr a

a) En la zona activa. b) Saturado.c) En corte. LId) Bloqueado

87 . Habi endo real i zado a un tr ansi stor N PN con un óhmetro anal ógico l as medidas

indicadas, sabemos que...a) Esta estropeado. b) Aparentemente se encuentra en buen estado.


15/27

c) Puede funcionar solamente como conmutador.d) Tiene fugas pero funciona bien.

88. El punto de trabajo de un tr ansi stor se conoce como.

a) Punto Q, que signifies Quiescent point, es decir, punto quieto, inmóvil o dereposo. b) Punto W, del ingles Working point, es decir, punto de trabajo.c) Punto C, del ingles Charge point, es decir, punto de máxima carga.d) Punto T, en castellano.

89. Que montaje básico del tr ansi stor t i ene una ganancia de corr i ente próxima a l aunidad?

a) Emisor común. b) Base común.c) Colector común.d) Ninguno.

90. El montaje en colector común ti ene...

a) Alta impedancia de entrada y baja de salida. b) Alta impedancia de entrada y alta de salida.c) Baja impedancia de entrada y alta de salida.d) Baja impedancia de entrada y baja de salida.

91. En un transistor , bipolar , discreto conectado en emisor común, el fenómeno de“embalamiento térmico”…

a) No existe. b) Se produce al someter al componente a temperaturas inferiores a las de trabajorecomendadas.c) No puede evitarse aunque se coloquen dispositivos de estabilización térmica, pero suefecto es despreciable.d) Es un proceso acumulativo provocado por una elevación de temperatura, que a su vezaumenta la IC así sucesivamente, hasta destruir el transistor.

92. L os tr ansistor es de efecto de campo de unión...

a) Están dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendoun único terminal exterior. b) Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitución interna.c) De doble puerta tiene un campo de aplicación mucho más amplio que los de puertaúnica.d) No presentan ningún tipo de analogía con respecto a los BJT.

93. A medida que la tensión de puerta de un JF ET canal N es más negati va, eI canalse hace...

a) Más ancho. b) Más estrecho.c) Más conductor.d) Más largo.

94. La di ferenci a más clara ent re el JF ET y el M OSF ET de empobrecimiento es


16/27

que...

a) Uno se gobierna por tensión y el otro por corriente. b) El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas.c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.d) En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.

95. El circuito de polarización de la figura…

a) Es correcto para la configuración en surtidor común. b) Tiene la pila V66 conectada al revés.c) Está en montaje drenador común.d) Todas las respuestas anteriores son falsas.

96. El tr ansi stor JF ET di fi ere del bipolar en que...

a) Su velocidad de conmutación es alrededor de 10 vecesmenor. b) Su impedancia de entrada es mucho menor.c) Tiene mucha menos ganancia de tensión.d) Para magnitudes elevadas de tensión, la corriente no semantiene constante y en aplicaciones con altas intensidadesno presenta pérdidas.

97. En los característi cas de drenador de un JF ET canal N de la fi gura se cumpleque…

a) VGS4V GS1.c) VGS4=V GS3=V GS2=V GS1.d) VGS4= 0 V

98. En l os tr ansi stores MOSFET, el sustrato se suele un i r i ntern amente a...

a) La fuente b) El drenadorc) La puertad) La capsula

99. El símbolo del MOSF ET de acumul ación canal N es el de...

a) Q1. b) Q2.c) Q3.d) Q4.

100. L os tr ansistor es MOSF ET de acumul ación se conocen también por elnombre de…

a) MOS de empobrecimiento. b) MOS de enriquecimiento o de canal inducido.c) MOS de deplexión.d) MOS de canal difuso.

101. En el circui to de pol ari zación del MOSFE T de l a fi gura.


17/27


18/27

1. LED son las sigl as de,

□ a) Luz en diodos.□ b) Diodo iluminado.□ c) Diodo emisor de luz.□ d) Diodo electroluminiscente.

2. Un LED puede encenderse cuando trabaja con

□ a) Polarización directa.□ b) Polarización inversa.□ c) Elevada intens idad, del orden de amperios.□ d) Nunca se enciende, sino que funciona cuando

incide luz sobre él.

3. Las ventajas de los LED fr en te a las lamparitas de filamento son, entre otras, que…

□ a) Aprovechan mejor la energía consumida y proporcionanmayor luminosidad con menor consumo.

□ b) Tienen un tiempo de respuesta mucho más rápido, permitiéndoles trabajar a mayor frecuencia.

□ c) Su vida útil es mucho más larga.□ d) Todas las respues tas anteriores son ciertas.

4. ¿Cuál de las cur vas car acter ísticas de la f igura cor responde a un LED ?

□ a) Curva 1□ b) Curva 2□ c) Curva 3□ d) Curva 4

5. El LED con mayor tensión dir ecta es el de color .

Rojo. Naranja.Amarillo.

Azul.

6. El valor exacto de la caída de tensión directa de un LED depende de …

□ a) La corriente que circula a través de su unión.□ b) El color de la radiación emitida.□ c) La tolerancia de fabricación.□ d) Todas las respues tas anteriores son ciertas.

7. En el LED de la figur a.

El terminal más corto corresponde al cátodo.El terminal más corto corresponde ai ánodo.Los terminales tienen distinta longitud porque ha salido defectuoso de fábrica.

□ a)□ b)□ c)

□ d)

□ a)□ b)□ c)□ d)

LED


19/27

Cualquiera de los dos terminales puede s er indistintamente ánodo o cátodo.

8. Observando un LED desde su par te inf erior ...

□ a) El terminal más cercano a la muesca es elánodo.□ b) El terminal más cercano a la muesca es el

cátodo.□ c) Cualquiera de los dos terminales puede ser

indistintamente ánodo o cátodo.□ d) La muesca no es original, ha sido producida

por rozamiento con algo.

9. El gráfi co cor r iente-luminancia del LE D mostrado en la fi gura indica que...

□ a) Luce menos a mayor intens idad.□ b) Existe una relación logarítmica entre la corriente y la

iluminación.□ c) Existe una relación exponencial entre la corriente y la

iluminación.□ d) A medida que aumenta la intensidad de corriente que

lo atraviesa emite mayor luminosidad.

10. ¿Cuál de las características del datasheet descr itas a continuación no pertenece a un LED?

□ a) Corriente directa máxima y nominal (en mA).□ b) Tens ión inversa máxima y tensión directa nominal (en V).

□ c) Potencia de disipación (en mW).□ d) Resistencia de aislamiento (en MÍX).

11 . Los circuitos integrados lógicos o digitales …

. a) Trabajan con variables que pueden tomar infinitos valores.

. b) Se les llama lógicos porque se fabrican en un proceso lógico.

. c) Pueden realizar cualquier función eléctrica o electrónica.

. d) Trabajan con dos valores de tensión distintos.

12 . Los CI digitales que contienen entre 100 y 9.999 puertas equivalen tes por chip son …

. a) De pequeña escala de integración, SSI.

. b) De media escala de integración, MSL.

. c) De alta escala de integración, LSI..

. d) De muy alta escala de integración, VLSI.

13 . Los La cal idad de una familia lógica viene determinada por …

. a) La potencia que disipa..

. b) La velocidad de conmutación.

. c) El producto potencia disipada-retardo de propagación.

. d) El fan-out.


20/27

14 . Las letras intermedias de las subfamilias TTL de la serie 74xx indican …

. a) 74Sxx: estándar.

. b) 74LSxx: estándar, alta velocidad.

. c) 74 ALSxx: bajo consumo, Schottky avanzada.

. d) 74Fxx: Schottky, bajo consumo15 . La subfamilia CMOS que es compatible tanto en patillaje como en alimentación con la familia TTL

es …

. a) HE40xx.

. b) 74HCTxx.

. c) 40xxA.

. d) 40xxUB.16 . ¿Cuál es la tensión de alimentación nominal de los CI digitales en tecnología TTL?…

. a) 10 V.

. b) 15 V.

. c) 5 V.

. d) 12 V.17 . La familia lógica que funciona con tensiones de alimentación entre 3 y 18 V es …

. a) TTL Schottky.

. b) HTL.

. c) CMOS serie 4000.

. d) RTL.

18 . El símbolo que acompaña el pin del CI de la figu ra denominado CLK indica que dicha entrada esactiva …

. a) A nivel bajo.

. b) A nivel alto.

. c) Por flanco de bajada.

. d) Por flanco de subida.

19 . Sin Modificar el estado de los conmutadores de la figura, la puerta lógica que mantiene el LEDapagado es …

. a) NAND.

. b) OR-exclusiva.

. c) NOR.

. d) Todas las respues tas anteriores son ciertas.

20 . ¿Cuál de la señales indicadas está presente en la sal ida de la puerta de la figura?…

. a) OUT 1.

. b) OUT 2.

. c) OUT 3.

. d) Ninguna

21 . ¿Cuál de los estados lógicos siguiente son se presen ta enla salida de la puerta triestado de la figura …

. a) OUT 0.

. b) OUT 1.


21/27

. c) OUT = Z ( alta impedancia).

. d) OUT = Z (baja impedancia).22 . ¿Cuál de los circuitos con contactos realiza la misma función lógica que la puerta de la figura?…

. a) Circuito I.

. b) Circuito II.

. c) Circuito III.

. d) Circuito IV.

23 . La puerta NAND de la figura se comporta como …

. a) Un inversor.

. b) Un decodificador.

. c) Un buffer.

. d) Una puerta AND.

24 . Las memorias RAM se caracterizan por …

. a) Ser de sólo lectura.

. b) Venir grabadas de fábrica

. c) Perder la información que almacenan cuando se les desconecta de la fuente de alimentación

. d) Ser de acceso secuencial

25 . La capacidad de la memoria de la figura es de …

. a) 1.024 bits.

. b) 8.192 bits.

. c) 3.000 bits.

. d) 256 bytes.

26 . La memoria que necesita periódicamente de ciclos de refresco para evitar la pérdida de datos es …

. a) RAM estática.

. b) RAM dinámica.

. c) PROM.

. d) Flash.27 . Las memorias ROM grabadas por máscara…

. a) Se pueden reprogramar cuantas veces se desee.

. b) Están internamente cons tituidas por transistores BJT.

. c) Sólo pueden ser grabadas durante el proceso de fabricación.

. d) Se borran mediante su exposición a rayos ultravioleta.

28 . La secuencia de operaciones mostrada en la figura y correspondiente a una memoria hace …

. a) Lectura.

. b) Escritura.

. c) Borrado de datos.

. d) Refresco de datos.

29 . La memoria de la figura dispone d…

. a) 11 líneas de direcciones .

. b) 7 líneas de datos.

. c) 1 línea de alimentación.

. d) 3 líneas de control.


22/27

30. El hardware de un sistema microprogramable es el conjunto de…

. a) Instrucciones y rutinas con que se programa el sistema.

. b) Señales analógicas y digitales que fluyen por el sistema.

. c) Circuitos y componentes electrónicos que cons tituyen el sistema.

. d) Conductores eléctricos que interconecta los dispos itivos del sistema.

31. Al conjunto de líneas que usan los microprocesadores para enviar o recibir órdenes se ledenomina…

. a) Bus de direcciones.

. b) Bus de control.

. c) Bus de datos .

. d) Bus de instrucciones.

32. La velocidad de funcionamiento del microprocesador está determinada por …

. a) El tiempo de acceso de la memoria.

. b) La frecuencia del reloj.

. c) El número de componentes que integran el sistema.

. d) Las características eléctricas de los periféricos con los que intercambia información.

33. En un sistema microprogramable la función de la memoria ROM es …

. a) Contener aquellos programas y datos que la CPU o el usuario puedan modificar.

. b) El almacenamiento temporal de los datos recibidos desde el exterior.

. c) Contener los datos y programas de arranque que precisa el sistema para su activación.

. d) El almacenamiento de aquellos datos que la CPU envía para su pos terior visualización en pantallas o displays.

34. La long itud de la palabra binaria que procesa el microprocesador determina el número de hilosdel…

. a) Bus de direcciones.

. b) Bus de control.

. c) Bus de datos .

. d) Bus de instrucciones.

35. Un bus de direcciones de 16 líneas permite al microprocesador gobernar una memoria de hasta …

. a) 8 K posiciones.

. b) 16 K posiciones .

. c) 32 K pos iciones.

. d) 64 K posiciones .

36. Los dispositivos lógicos triestado …

. a) Disponen de una entrada de control que autoriza el funcionamiento del circuito o lo inhibe poniéndolo en estado de alta impedancia.

. b) Tienen tres estados de salida pos ibles: bajo (L), alto (H) e indiferente (X).. c) Tienen tres terminales: una entrada y dos salidas, una inversora y la otra no inversora.

Vo

Vi

S1

S2

E1


23/27

. d) Permiten intercomunicar los tres buses del sistema para aumentar su versatilidad.

37. En un microprocesador las entradas de control X1- X2…

. a) Suelen llevar conectadas un cristal de cuarzo o una red LC o RC para estabilizar el generadorde

reloj interno.. b) Controlan la transferencia de datos serie y paralelo, respectivamente.. c) Llevan conectadas la tensión de alimentación del chip.. d) Reciben una petición de servicio de la memoria o del dispos itivo I/O.

38. La señal de control que indica al microprocesador si la memoria o el dispositivo de I/O está o nolisto para realizar una transferencia de datos es…

. a) HLD.

. b) INTR.

. c) ALE.

. d) READY.

39. En un microprocesador de 8 bits, el stack pointer o puntero de la pila es generalmente...

. a) Un registro de propós ito general de 8 bits.

. b) Un registro de propós ito especial de 16 bits.

. c) Un registro de propósito especial de 8 bits.

. d) Un registro de propós ito general de 16 bits.

40. Cuando al efectuar una suma lógica el resultado tiene un número impar de unos, el flag

. a) P=l.

. b) Z = 1.

. c) C = 1.

. d) P = 0.

41. El bloque de lógica cableada dentro del microprocesador que controla y sincroniza las transferenciasde datos y las operaciones que se realizan con ellos se denomina …

. a) Unidad lógica-aritmética.

. b) Decodificador de instrucciones.

. c) Unidad de control.

. d) Registro de instrucciones.

42. El registro que memoriza la dirección de la siguiente instrucción que se ha de ejecutar se denomina …

. a) Contador de programa.

. b) Puntero de la pila.

. c) Registro de estado.


43. Al registro que ofrece información auxiliar acerca del resultado de las operaciones lógicas oaritméticas que realiza la ALUse le llama …

. a) Acumulador. . b) Registro de datos .


24/27

. c) Registro de estado.


44. En las instrucciones de comparación …

. a) El contenido del acumulador se resta del segundo dato.

. b) El resultado de la diferencia se carga en el acumulador.

. c) El estado de los flags s e carga en el acumulador.

. d) El contenido de los bytes que se comparan no se modifica.

45. No es c ierto que…

. a) En una bifurcación sea imposible volver al punto en que se interrumpió la secuencia

. b) En una toma de decisión se testee el estado de alguno de los flags.

. c) Las bifurcaciones puedan ser condicionales y no condicionales.

. d) Sea posible romper la ejecución secuencial de un programa.

46. En una instrucción de salto condicional…

. a) Si no se cumple la condición, se produce el salto.

. b) El estado de los bits de condición no se modifica.

. c) Si se cumple la condición, el contenido del contador del programa no se modifica.

. d) Si no se cumple la condición, el valor de la dirección que acompaña al código de operación secarga en el contador del programa.

47. Una subrutina es…

. a) El eje principal de un programa en el que se especifican las direcciones de memoria en las quese

encuentran los datos a procesar. . b) Un grupo de instrucciones de un programa que realiza una operación concreta y que se repite

íntegramente en varias zonas del mismo.. c) El mnemònico as ignado a una dirección.. d) El programa ensamblador que traduce los mnemónicos a código máquina automáticamente.

48. En un microprocesador la pila es …

. a) Una zona de la memoria RAM de uso exclusivo del microprocesador y que se utiliza paraguardar

únicamente la dirección de retomo en las llamadas a subrutinas.

. b) Un conjunto limitado de registros internos que dispone el microprocesador para salvar elcontenidodel contador del programa en las instrucciones de salto incondicional.

. c) Una zona de la memoria ROM que está en principio reservada para el microprocesador, peroque

también puede ser utilizada por el usuario para s alvar el contenido del acumulador y delregistro de

estado. . d) Una zona de la memoria RAM donde se puede almacenar el contenido de los registros del

microprocesador cuando se quiere ejecutar una subrutina o atender a una petición deinterrupción.

49. El amplificador diferencia l de la figura funciona en modo…


25/27

7V

-7V

14V

-14V

SAT+

SAT-

Vo(V)

Vi(V)

Vi2

Ii2

Vo

Vi1

Io-

+

Ii1

1 10010 1K

Av(dB)

100

-2010K 100K 10M1M

0

20

40

60

80

F(Hz)

. a) Entrada simétrica, salida simétrica.

. b) Entrada simétrica, salida asimétrica.

. c) Entrada asimétrica, salida asimétrica.

. d) Entrada asimétrica, salida simétrica.

50. La entrada de polarización de un AOP de transconductancia tiene…

. a) La misma tensión que la entrada (+).

. b) La misma tensión que la entrada (-).

. c) 0,7V más que la entrada – Vcc.

. d) 0,7V mas que la entrada +Vcc.

51. La corriente de salida máxima de un OTA en configuración típica suele ser…

. a) Mayor que la de polarización.

. b) Igual a la de polarización

. c) Menor que la de polarización. d) Cero.

52. Los operacionales de transconductancia tienen la particularidad de…

. a) Que la etapa diferencial de entrada posee control externo para su corriente de polarización.

. b) Estar construidos con transistores MOSFET.

. c) Ser idóneos para aplicaciones en circuitos controlados por corriente.

. d) Que todas sus entradas tienen el mismo consumo.

53. La ecuación característica de un operacional de transcon ductancia es…

. a) ( ).

. b) ( ).

. c) ( ).

. d) ( ).

54. En la curva de transferencia de la figu ra, la ganancia de tensión del operacional vale…

. a) Av=2.

. b) Av=-2.

. c) Av= saturación positiva.

. d) Av=7.

55. Analizando la curva de respuesta a la frecuencia de un AOP se puede afirmar que…

. a) Las líneas discontinuas corresponden aconexiones en lazo cerrado.

. b) La línea continua corresponde a conexión enlazo cerrado.

. c) El ancho de banda aumenta a medida que

Vo

Vi

S1

S2

E1


26/27

|aumenta la ganancia.. d) Los ejes están graduados de forma lineal.


27/27

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÒNICA

Examen Fin de Carrera

Documents

Transcript of Examen Fin de Carrera