Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la

trayectoria de la corriente.

Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de unión

-Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga (portadores mayoritarios)

-Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar (grandes ventajas para aplicaciones de microelectrónica)

-Gran impedancia de entrada

-Menos afectado que el BJT por diferentes fuentes de ruido

- Carece de tensión umbral (JFET y MOSFET empobrecido)

CARACTERÍSTICAS

- Tiene muy alta impedancia de entrada( 108 ohm.)

-Tiene muy buena inmunidad al ruido.

- No requiere tensión de umbral (arranque), que lo hace excelente en muy bajas señales.

VENTAJAS CON RESPECTO AL TRANSISTOR BIPOLAR

- Tiene menor producto Ganancia x Ancho de banda con respecto al transistor bipolar. De fábrica cada amplificador tiene un producto

Ganancia x Ancho de Banda = Cte.

- Se requiere gran precaución en el manipuleo, porque las cargas electrostáticas lodestruyen, aunque vienen con protección interna.

DESVENTAJAS

G - Puerta (GATE)D - Drenador (DRAIN)S - Surtidor o fuente (SOURCE)

SIMBOLOGIA