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FETLos transistores FET se denominan asi porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del transistor. Tambien se denominan unipolares para que no sean confundidos con los bipolares de unión.Estos presentan una impedancia de entrada muy alta, y consumen poca potencia por lo que su uso es mas aplicado en los circuitos integrados.

JFETEsta formada por un semiconductor tipo n con dos contactos ohmicos en sus extremos, uno de ellos es la fuente y el otro es el drenador, hay un tercero que es la compuerta o puerta la cual esta constituida por dos regiones tipo P.Si el semiconductor es de tipo N, la flecha debe apuntar hacie adentro para indicar el carácter n del semiconductorEn el caso del tipo P, la flecha de la puerta tiene la dirección opuesta a la figuraEste tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg) asi que a mayor voltaje (Vgg) más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL PSe trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado. En la mayoría de las aplicaciones el sustrato B es conectado direstamente a la fuente o al punto de voltaje más negativo (para canal n), para asegurar que las uniones renador-sustrato y fuente-sustrato se mantengan polarizadas en inversa.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL NLa fuente S y el drenador D son regiones fuertemente dopadas difundidas en un sustrato B (Body) de tipo p. Una compuerta conductora G (Gate) se aisla del silicio mediante una fina capa de SiO2 Durante el funcionamiento”normal activo” una tensión positiva es aplicada entre la fuente y el sustrato, lo cual produce una atracción de los conductores de la fuente y el drenador creando un canal de conducción entre ellos. Este enriquecimiento de carga negativa (en este caso) le da su nombre al dispositivo.

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MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL NSe compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una válvula electrónica, en donde los electrones libres circulan desde el cátodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de “fuente” al de “drenaje”, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la válvula lo hacen por el vacío y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulación electrónica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

MOSFEN DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL P

Se construye igual al de canal N, salvo que ahora se invierten los materiales N y P al igual que las polaridades de las tensiones y corrientes.; su funcionamiento es análogo teniendo en cuenta las salvedades mencionadas.

MESFET

MESFET significa de metal-semiconductor transistor de efecto campo. Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en lugar de utilizar una unión pn para una puerta, una Schoctty ( de metal - semiconductor ) se utiliza de unión. MESFETs generalmente se construyen en las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la superficie, tales como GaAs , InP, o SiC, y son más rápidos pero más caros que los basados en silicio JFET o MOSFET .