Gto

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GTO Características No tiene capacidad de bloqueo inverso Control: encendido y Apagado Necesita circuitos amortiguadores Tiempos de recuperación directa cortos Casi iguales pérdidas estado activo Potencia media - alta Estructura Diferencias Estructura G-K muy interdigitadas Maximiza periferia del K Maximiza distancia G -K(centro) Grabado de silicio para las áreas del K Cortocircuito del A Zonas n+ penetran al ánodo tipo p Y hacen contacto con n- Modificaciones Para desconexión Reducir tiempos de vida de portadores Retirar huecos de la capa n1 Caída de E en activo mas alta Zonas n+ Difusión de huecos rápida Conmutación Redes Snubber Circuitos amortiguadores Velocidad voltaje A-K limitada GTO puede encenderse nuevamente Transitorio de Encendido Si: Igate es 0 & Ia dismunuye -- Islas de K dejan de conducir Pulso inicial grande Circuito de accionamiento Transistores TG1 y TG2 En la gate Sobreimpulso Ia Recuperación inversa de Df Tiempos Mínimos Estado Activo Debe mantenerse por un periodo Antes de desconectarse Puede existir mala compartición d corrientes En las islas de K Estado Pasivo No se debe encender Hasta haber acabado todo su periodo Transitorio de Apagado Apagado I- grande en la gate 1/5 a 1/3 la Ia en al apagado Circuito de accionamiento Activa transistor TG3 Intervalos Tiempo de almacenamiento Retira carga en p2 y n2 tfi Caída de la corriente anódica Subida rápida de E(AK) Inductancia parásita tw2 ruptura de avalancha Unión G-K < al valor especificado Si no: destruye GTO Corriente de cola Se acciona Diferencia de E entre A-G Contribuye a mayores pérdidas Tension en el GTO es elevada Alvaro Velasco GTO (1).mmap - 09/11/2014 - Mindjet

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GTO

Características

No tiene capacidad de bloqueo inversoControl: encendido y Apagado

Necesita circuitosamortiguadoresTiempos de recuperación directa cortosCasi iguales pérdidas estado activoPotencia media - alta

Estructura

Diferencias

Estructura G-K muy interdigitadasMaximiza periferia del K

Maximiza distancia G -K(centro)

Grabado de silicio para las áreas del K

Cortocircuito del AZonas n+ penetran al ánodo tipo p

Y hacen contacto con n-

Modificaciones

Para desconexiónReducir tiempos de vida de portadores

Retirar huecos de la capa n1

Caída de E en activo mas alta

Zonas n+ Difusión de huecos rápida

ConmutaciónRedes Snubber

Circuitos amortiguadores

Velocidad voltaje A-Klimitada

GTO puede encenderse nuevamente

Transitorio deEncendido

Si:Igate es 0 & Ia dismunuye -- Islas de K dejan de conducir

Pulso inicialgrande

Circuito de accionamiento Transistores TG1 y TG2

En la gate

SobreimpulsoIa Recuperación inversa de Df

TiemposMínimos

Estado ActivoDebe mantenerse por un periodo

Antes de desconectarse

Puede existir mala compartición d corrientes

En las islas de K

Estado PasivoNo se debe encenderHasta haber acabado todo su periodo

Transitorio deApagado

ApagadoI- grande en la gate1/5 a 1/3 la Ia en al apagado

Circuito de accionamientoActiva transistor TG3

Intervalos

Tiempo de almacenamientoRetira carga en p2 y n2

tfiCaída de la corriente anódica

Subida rápida de E(AK)Inductancia parásita

tw2

ruptura de avalanchaUnión G-K

< al valor especificadoSi no: destruye GTO

Corriente de cola

Se accionaDiferencia de E entre A-G

Contribuye a mayores pérdidas

Tension en el GTO es elevada

Alvaro Velasco

GTO (1).mmap - 09/11/2014 - Mindjet