5Introduccin a ORCAD CAPTURE. Dayana Moreno Solano. 15 de diciembre de 2010. UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

Escuela de Ingenieras Elctrica, Electrnica y de Telecomunicaciones

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

INTRODUCCIN A ORCAD CAPTURE

Gonzalo Alberto Franklin Gonzlez cod: 2071915 Grupo: H1I. INTRODUCCIN

En esta practica de laboratorio se tuvo como objetivo principal el acercamiento del estudiante hacia el software Pspice, Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis, especialmente a una de sus componentes, el ORCAD. Este software representa una herramienta muy til para la esquematizacin, simulacin y anlisis de circuitos elctricos y electrnicos tanto analgicos como digitales en ingeniera.

II. Objetivos Obtener un acercamiento hacia el software Pspice orientado al anlisis de circuitos analgicos. Simular y analizar los diferentes circuitos propuestos en esta practica.

Llevar a cabo el analisis grafico respectivo para cada circuito a partir de los esquemas y datos brindados.

III. Anlisis e Interpretacin de Datos

Esta parctica consistio en el analisis de la simulacion para tres circuitos analogicos diferentes.

Construccin del primer circuito.

Realice la construccin del circuito de la figura 1. Los valores de los elementos son:

R2= 10 K.

Vsin:

Frecuencia= 1KHz.

Amplitud = 8 Vpp

Offset= 0 V.

Simulacin del circuito en el dominio del tiempo (Anlisis Transitorio):

Se utiliza este tipo de anlisis cada vez que se estudie el comportamiento del circuito en funcin del tiempo. (Transient).

Siguiendo las indicaciones de la gua de la practica se obtiene:

Analizando el funcionamiento de un diodo.Observe la tensin de entrada y la tensin en las terminales a y b. Podra explicar tal situacin?, Qu puede concluir acerca del funcionamiento del Diodo?

A partir de la grafica obtenida se puede ver como el diodo rectifica la seal de entrada, dejando pasar tensiones positivas y eliminando la parte negativa de dicha seal.

Tambin se puede observar que se presenta una pequea cada de tensin en el diodo, ya que la amplitud de la tensin de la resistencia es un poco menor a la amplitud de la tensin de entrada.

Mediante la simulacin del circuito se puede observar el funcionamiento del diodo al rectificar el semiciclo negativo de la onda que describe la seal de entrada.

Mediante el botn Toggle cursor , tome datos de las amplitudes pico y pico-pico de la tensin de entrada y la de salida.

Variacin del voltaje de ruptura del diodo D1N4007 mediante el anlisis paramtricoEl anlisis paramtrico permite realizar el barrido de una variable en torno a un rango de valores. Posteriormente el programa realizar la simulacin del circuito para todos y cada uno de los valores que adquiera la variable especificada la cual puede ser una fuente, la temperatura, un parmetro de un modelo o un parmetro global.

En este caso se desea variar un parmetro del modelo del diodo D1N4007, este parmetro corresponde al voltaje de ruptura Vzk. BV = 4

BV = 3

Visualice la tensin suministrada por el Generador de seal y la seal de tensin presente en las terminales a y b para los diferentes valores de voltaje de ruptura del diodo. Qu diferencias observa con respecto al resultado del punto anterior?, Podra explicar tal situacin?, En qu regiones de operacin se encuentra el Diodo?

Se entra en la regin de ruptura cuando la magnitud de la tensin inversa supera un valor de umbral que se especifica para cada diodo y que se denomina voltaje de ruptura.

El voltaje de ruptura es el voltaje que se encuentra en la rodilla de la curva i-v de salida observada en la anterior simulacin para los valores BV=4 y BV=3 y se denota Vzk. Se puede observar en los terminales a y b como la corriente inversa aumenta rpidamente en la regin de ruptura mientras el aumento asociado con la cada de tensin es muy pequeo.

La seal de salida en los terminales a y b vara dependiendo del voltaje de ruptura del diodo empleado y en este caso se observ que el diodo trabaja en la regin de ruptura para los valores que se variaron.

Analizando la curva caracterstica del Diodo mediante un anlisis DC SweepEste anlisis permite hacer un barrido en torno a una serie de valores de una fuente de entrada independiente (de intensidad o de voltaje), de la temperatura, de un parmetro interno del modelo o de un parmetro global, calculando el punto de trabajo para cada uno de los valores que tome la variable en cuestin.

Realice la construccin del circuito que se observa en la figura.

En que regiones de operacin se encuentra el diodo para los diferentes valores de tensin de la fuente de entrada?. Para que valores de tensin de la fuente de entrada el diodo cambia de regin de operacin?.

En esta grafica observamos las tres regiones del diodo para dos voltajes diferentes de ruptura:

Vzk1=3 [V]

Vzk2=4 [V]

Para Vzk1 tenemos las regiones del diodo descritas como:

Polarizacin directa: V>1[V]

Polarizacin inversa: -3[V]