DELGADILLO HERNNDEZ ESTEFANIA GRUPO:01

INYECCION DE CARGA EN CCD:

La carga de seal en el CCD puede ser inyectado a travs de la inyeccin ptica y elctrica obtenida

de dos maneras. Inyeccin ptica es cuando la irradiacin de luz CCD oblea de silicio, cerca de la

puerta del cuerpo semiconductor produce pares electrn - hueco, los portadores mayoritarios se

han programado para abrir el voltaje de la puerta, portadores minoritarios se recogieron en la seal

de potencial bien formado cargo. La inyeccin elctrica llamada, es la estructura de CCD a travs de

la tensin de entrada o seal de corriente se realiza un muestreo, la seal de voltaje o corriente se

convierte en una carga de seal. En slo discutir temas relacionados con el mtodo de inyeccin de

la luz.

Funcin de conversin fotoelctrica CCD usando el proyecta sobre el CCD en la imagen ptica se

convierte en una seal elctrica, "imagen", que la cantidad de carga es ms o menos proporcional a

la iluminancia locales que varan en tamao de distribucin espacial de los paquetes de carga, y

luego utilizar el registro de desplazamiento funcin a los Yuan Yuan monedero "auto-escaneo"

elctrico a la misma salida, que van desde la formacin de una secuencia de pulsos de amplitud en

tiempo real. En el que la funcin de conversin fotoelctrica de la base fsica de la absorcin de luz

de semiconductores. Cuando la radiacin electromagntica en el semiconductor anteriormente, la

radiacin electromagntica se refleja, transmite a otra parte, y la parte restante es absorbida por el

semiconductor. El llamado semiconductores de absorcin ptica, es la absorcin electrnica de un

fotn y la transicin de un estado a otro de energa, proceso de nivel superior. Aqu vamos a

relacionar con la banda de valencia a la banda de electrones de conduccin cruz las transiciones

prohibidas, y localizada alrededor de las impurezas o defectos electrones ligados (o agujeros) en la

banda de conduccin (de la banda de valencia) transiciones. Se les conoce como la absorcin

intrnseca y extrnseca de absorcin. Superficie del CCD con el estado agotamiento profundo en una

serie de condensador MOS (referido como el elemento fotosensible o unidad fotosensible) la

recogida de los portadores minoritarios generados luz. Estos recaudacin potencial y aislados unos

de otros. Por lo tanto, el proceso de convertir la luz en electricidad es en realidad espacio continuo

incluye tambin una distribucin de intensidad de la luz de proceso de muestreo separados

espacialmente.

Adems, la absorcin de un fotn de cada sustrato, anti-tipo de regin, ms un electrn, el nmero

de fotones con la carga almacenada de esta relacin cuantitativa detector CCD es utilizada para el

anlisis cuantitativo de la base de la seal ptica.

DETECCION DE CARGA EN UN CCD:

Transferido a los cargos de la seal de salida del CCD del circuito de salida para lograr una carga /

tensin (corriente) de la transformacin lineal, llamado detector de carga. Desde el punto de la

solicitud de aplicacin del detector de carga es un detector lineal, el ruido detectado causado por la

ganancia y la deteccin. Para los diferentes requisitos, hay varios circuitos de deteccin de uso

comn, tales como puerta de carga de condensador integrador y el circuito diferencial con una

puerta flotante y el circuito de salida del amplificador de distribucin de puerta flotante.

BIBLIOGRAFIA:

http://es.swewe.net/word_show.htm/?342410_2&Dispositivo_de_carga_acoplada