TRANSISTORES JFET

TRANSISTORESJFET

SCONSTRUCCIN

FUNCIONAMIENTO(Controlado con VGS)

PARMETROS DE IMPORTANCIAAl igual que cualquier otro dispositivo, el transistor JFET tiene algunos parmetros de suma importancia, estos son:VGSVDSIDVGS (off) = Voltaje de corteVP = Voltaje de estrangulamientoIDSS = Corriente de saturacin (mxima)

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO(VGS(off) Curva de transferencia)

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO(VP Curva de transferencia)

FUNCIONAMIENTO(Curva de transferencia completa)

VOLTAJE DE ESTRANGULAMIENTO(VP)Como se habr podido notar, VDS inicialmente aumenta ms rpido que la resistencia del canal, y por lo tanto la corriente de drenaje (ID) aumenta. Eventualmente, llegar un punto donde al incrementar el valor de VDS estar a la misma proporcin que la resistencia del canal. El valor de VDS en donde ocurre esto, se llama voltaje de estrangulamiento (VP).En consecuencia, el valor de ID permanece constante, cuando VDS incrementa ms all del valor de VP.

CORRIENTE DE SATURACIN(IDSS)Cuando VGS = 0 V, las terminales de compuerta y fuente se encuentran cortocircuitadas, y la corriente de drenaje alcanza su mximo valor, IDSS. El valor de IDSS , en la hoja de especificaciones es medido bajo esta condicin:VGS = 0 V VDS = VP

La corriente a travs del JFET no puede exceder el valor de IDSS.

VOLTAJE DE CORTE(VGS(off))Cuando VGS es ms negativo que 0 V:

El JFET pasa a un estado de apagado a un voltaje menor que su voltaje de corte.La corriente ID cae por debajo del valor de IDSS.

El valor de VGS que causa que ID caiga a un valor de aproximadamente cero, se llama voltaje de corte (VGSS(off)).

RELACIN ENTRE VGS(off) y VPLos valores de Vp y VGS(off) son los mismos en magnitud pero con polaridad opuesta. Por ejemplo, si un JFET tiene un valor de VGS(off) = -12 V, entonces tendr un valor de VP = 12 V.Debido a esto, slo el valor de VGS(off) es dado en la hoja de datos del dispositivo.POLARIZACIN DEL JFETLa unin compuerta-fuente del JFET nunca debe de polarizarse en directa, porque el material de la compuerta para soportar cantidades significativas de corriente.

Si se llegase a polarizar en directa la unin compuerta-fuente, la corriente de compuerta podra destruir el componente.POLARIZACIN DEL JFETEl JFET tiene la caracterstica de tener una alta impedancia en la compuerta, en el orden de los M. Esta alta impedancia, hace que la compuerta tenga una corriente muy pequea, lo que ayuda a que los circuitos integrados se mantengan relativamente fros, permitiendo ubicar ms elementos en un espacio reducido.COMPONENTE DE CONTROLAs como en el BJT, la corriente de colector era controlada por la corriente de base. La corriente de drenaje del JFET es controlada por el voltaje compuerta-fuente (VGS).ID est dado por:

RESISTOR CONTROLADO POR VOLTAJECuando VDS < VP, se dice que el JFET opera en la regin hmica. Este nombre recibe porque entre el drenaje y la fuente se forma una resistencia que depende del voltaje VGS. As se obtiene la siguiente ecuacin:

DIFERENCIAS ENTRE JFET Y BJT

DIFERENCIAS ENTRE JFET Y BJT

EJEMPLO

Determine:a) VGSQb) IDQc) VDSd) VDe) VGf) VSEJEMPLO

REFERENCIAS BIBLIOGRFICASBoylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Mxico, Mxico: PEARSON.

Paynter, R., & Boydell, T. (2009). Electronics Technology Fundamentals. Upper Saddle River, New Jersey, United States: PEARSON.