LABORATORIO ELECTRONICA 2(Prof.J.H.Castellanos-2015-3)PRACTICA 1

APLICACIÓN DE FUENTE DE CORRIENTE (POLARIZACION; CARGA ACTIVA)

(Utilizar arreglo de transistores CA3086)1-Montar el diseño de la red resistiva clásica de polarización para ICQ= 0.4 mA, VCC = ±6 V. Verificar voltajes y corriente IC. (Polarizar para VRC≈VCE≈VRE en malla salida) completar tabla.

VRC VCE VRE IC

Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medida calculada

2-Polarizar ahora el transistor utilizando fuente de corriente, para las mismas condiciones del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con los obtenidos en paso anterior.

VRC VCE VRE IC

Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medida calculada

3-Utilizar una carga activa, utilizando fuente de corriente, a cambio de Rc(con transistores PNP con características similares a los del arreglo CA8086) para mismas condiciones paso 1. Medir y anotar en tabla. (Incluido Av y comparar con la del paso 1)4-¿Es sencillo lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre los transistores de malla salida? Explique.5-Comentar y concluir comparando con lo predicho por la teoría.

PRACTICA 2EL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA, FRECUENCIA SUPERIOR DE CORTE(fH) Y

PRODUCTO GANANCIA DE CORRIENTE-ANCHO DE BANDA DEL BJT(fT)

1-Polarizar el transistor para un RB elevado, montar el diseño obtenido en configuración EC (para buen fT y hfe según curvas hojas de datos) y medir la ganancia de corriente (para esto utilizar R de monitoreo de valor pequeño) efectuando barrido de frecuencia (mínimo 20 puntos) desde 10 KHZ en adelante. (Usar uno de transistores del arreglo CA3086 o equivalente).

f Ii IO Φ Ai

medido calculado medido calculado

Graficar en papel semilog, Ai -f y Φ-f. De esta gráfica obtener la fHi; contrastar con la medida para el 70% de Ai

2-Obtener fT (producto ganancia de corriente-ancho de banda), para esto, utilizar una frecuencia por lo menos de 2fβ. (Consultar cómo efectuar la medición práctica)

fT = ______

3-Medir ahora la ganancia de voltaje y el fHV del amplificador EC. Para esta medida usar: Rb1, Rb2

(aplicando barrido de frecuencia a partir de 10 KHz, mínimo 20 puntos)

f Vi Vo AV

Graficar AV-f y Φ-f. Obtener de la gráfica fHV. Contrastar con la F medida a 70% de AV;Comparar con el fHi

4-comentar y concluir comparando con la teoría.

PRACTICA 3RESPUESTA EN FRECUENCIA (VOLTAJE) DE LAS TRES CONFIGURACIONES DEL BJT

Polarizar para las mismas condiciones de la practica 2.Graficar en la misma hoja, las respuestas en frecuencia incluida la de la practica 2(EC).BASE COMUN1-Montar el circuito obtenido, verificar polarización, y efectuar barrido en frecuencia (mínimo 20 puntos) a partir de 10KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla

f Vi Vo AV

medido calculado

Graficar AV-f y obtener fHV.

COLECTOR COMUN2-Montar el circuito obtenido, verificar polarización, y efectuar barrido en frecuencia a partir de 10KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla

f Vi Vo AV

medido calculado

Graficar AV-f y obtener fHV..

3-De acuerdo con los resultados obtenidos, cuál de las tres configuraciones muestra la frecuencia

superior más alta? Comentar resultado.4-Colocar un C = 1 nF, en paralelo con la R en donde se mide la salida, en el ultima configuración (CC), obtener la nueva fHV . Explicar el resultado.5-Concluir.

PRACTICA 4EL FET EN ALTA FRECUENCIA

Utilizar JFET canal N. (2SK170 o equivalente)1-Montar el circuito obtenido, verificar polarización2-Efectuar barrido en frecuencia (mínimo 20 puntos), iniciando en 10KHz, medir y anotar en tabla

f Vi Vo AV Φ

Calculado Medido Calculada medida

Graficar AV-f y obtener fHV.( cuando la Av cae al 70%)3-Medir la impedancia de entrada a fHV (indicar el método aplicado) y compararla con la medida a f = 10 KHZ. Comentar4-Comentar y concluir comparando con la respuesta del BJT.

PRACTICA 5AMPLIFICADOR MULTIETAPA ACOPLE DIRECTO: EL CASCODE

Utilizando arreglo CA3086 y sonda compensada para el osciloscopio.1-Montar el circuito diseñado para mismas condiciones del EC, práctica 2. Verificar correcta polarización.2-Obtener la respuesta en alta frecuencia, efectuando un barrido a partir de 10 KHz (mínimo 20 puntos) .Medir y anotar en tabla:

f Vi Vo1 AV1 VO2 AV2

Medido calculado Medido calculado

Graficar AV-f obtener fHT:_____3-Comparar con la frecuencia superior de corte obtenida en práctica 2.4-Repetir paso 2 para baja frecuencia, graficar magnitud y fase contra frecuencia5-Obtener la frecuencia superior e inferior de corte:

-utilizando el método de onda cuadrada6. Concluir, comparando con respecto a lo predicho por la teoría.

PRACTICA 6EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

Polarización clásica:1-Montar el circuito obtenido, para ICQ= 0.5 mA,VCC= +/- 12V. Verificar correcta polarización.2-Aplicar Vi = Vpsenωt a base 1, con base 2 a tierra AC. Obtener Ad.

Vi Vo1 Vo2 Adbalanceada Addesbalanceada

Medida Teórica Medida teórica

3-Aplicar entre ambas entradas Vi = Vpsenωt. Obtener Ac y el CMRR. Anotar en tabla apropiada.

Polarización utilizando espejo de corriente:4-Cambiar RE por una fuente de corriente constante (utilizar espejo de corriente básico) para las mismas condiciones del paso 1.Repetir pasos 2 y 3. Con estos resultados comparar los CMRR.5-Cambiar RC por una carga activa, utilizando espejo de corriente, obtener la Ad y comparar con la obtenida en paso 2, comentar y concluir.6-Utilizando un amplificador diferencial constitutivo de un mismo microcircuito (usar el incluido en el circuito integrado LM 723), verificar el voltaje en c/u de los tres transistores de malla salida, medir Ad y comparar con lo obtenido en paso 5.

PRACTICA 7AMPLIFICADOR REALIMENTADO SERIE-SERIE (S-S)

PRACTICA 8REALIMENTACION MULTIETAPA(S-P)

PRACTICA 9EL TRANSISTOR EN CORTE Y SATURACION

1-diseñar un multivibrador astable con transistores (usar el arreglo CA3086 o equivalente) para f0= 1KHz con DC = 50%2-diseñar un divisor por 4 (con transistores) utilizando multivibrador biestable. Probar con f = 400 Hz.3-repetir punto 2, utilizando multivibrador monoestable.4-Comentar y concluir.

SESIONES 10 A 13

PROYECTO AMPLIFICADOR DE POTENCIA (PL ≥ 20 W) utilizando en la etapa de salida transistores IGBT ( Vent ≤ 100mvp). Justificar la utilización de cada etapa (preamplificadora,

drive y potencia)