LABORATORIO 4POLARIZACION Y ANALISIS DE PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BJT1. Objetivosa. Evaluar el comportamiento del circuito de polarizacin del transistor NPNb. Evaluar la ganancia, la impedancia de entrada y salida del amplificador transistorizado.c. Evaluar la respuesta en frecuencia del amplificador de pequea seal.2. Fundamento Terico.- a. Polarizacin: El amplificador bsico con un transistor en la configuracin emisor comn se muestra en la figura. Las resistencias R1, R2, RE, y RC, as como la fuente de tensin Vcc se eligen de forma que el transistor opere linealmente y se obtenga la mxima variacin de cresta a cresta posible en IC. Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin con la tensin Vcc. La funcin de esta red es facilitar la polarizacin necesaria para la unin base-emisor este en la regin apropiada.3. Diagramas circuitales.- a) Para la polarizacin:

b) En anlisis de pequea seal

4. Mediciones e informacin experimental obtenida en el laboratorio a. Datos de la Polarizacin: VCC=12 [V]SIN CAPACITOR EN EMISOR (CE)

Punto QVCEQ[V]VEQ[V]ICQ[mA]IEQ[mA]IBQ[uA]VBE[V]

MEDIDO6.910.790.860.8656.40.66

CON CAPACITOR EN EMISOR (CE)

Punto QVCEQ[V]VEQ[V]ICQ[mA]IEQ[mA]IBQ[uA]VBE[V]

MEDIDO6.940.790.8640.7916.50.65

POTENCIA DISIPADA SIN CAPACITOR EN EMISOR (CE)

PD TRANSPRCPREPR1PR2

MEDIDO3.77 mW0.685mW1.059mW0.162 mW

POTENCIA DISIPADA CON CAPACITOR EN EMISOR (CE)

PD TRANSPRCPREPR1PR2

MEDIDO3.807mW0.685 mW1.062 mW0.160 mW

b. Anlisis de pequea seal:Ganancia de voltajeImpedancia de entradaImpedancia de salida

Sin CECon CESin CECon CESin CECon CE

MEDIDO5.2196.816.317 k3.640 k5.1 k5.1 k

c. Anlisis en frecuencia:Frecuencia de corte en bajas frecuenciasFrecuencia de corte en altas frecuencias

Sin CECon CESin CECon CE

9.4Hz37.53Hz94Hz3.7KHz

5. Resultados del trabajo y desarrolloa. Dibujar el diagrama circuital de la polarizacin del transistor e identifique las corrientes y voltajes de polarizacin, en cada uno de los componentes del circuito:

b. Explique cul es el procedimiento, con ayuda del hmetro para determinar el tipo de transistor (NPN o PNP) y la identificacin de sus terminalesi. Se coloca el hmetro en modo diodoii. Colocamos el transistor con la cara plana hacia arribaiii. Conectamos el negativo(N) del hmetro a la primera pata del transistor y el positivo(P) a la base (siempre al centro) nos dar una medida (x)iv. Conservamos el (P) en la base y cambiamos (N) a la tercera pata y medimos (y)v. Comparamos los valores (x) y (y) seguimos la siguiente regla:1. Si x>y es NPN y adems la primera pata ser el emisor2. Si x