Los circuitos integrados

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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PROCESO DE FABRICACIÓN

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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

PROCESO DE FABRICACIÓN

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ÍNDICE

I. Fabricación de la obleaII. Oxidación térmica III. Proceso de dopadoIV. Fotolitografía V. Eliminación de película delgada VI.Deposición de película delgada VII.Secuencia

de procesos CMOS (flujo de procesos)

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FABRICACIÓN DE LA OBLEA

La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos:• Refinado del silicio.• Crecimiento del cristal: Método de Czochralski.• Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede

incrementarse con el diámetro de la oblea).

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OXIDACIÓN TÉRMICA

Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se formará una capa delgada de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie expuesta.

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PROCESO DE DOPADO

La difusión de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al gradiente de la concentración de dopantes presentes y a la energía térmica del proceso

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FOTOLITOGRAFÍA

Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que deben ser afectadas por un proceso de fabricación determinado.

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ELIMINACIÓN DE PELÍCULA DELGADA

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DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA

Son los métodos utilizados para depositar películas delgadas de materiales como aislante, conductor o semiconductor en la superficie de la oblea

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SECUENCIA DE PROCESOS CMOS (FLUJO DE PROCESOS)

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ALEJANDRA JUÁREZ SANTIAGO

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