Memoria DDR4

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Características generales TIPO: DIMM DRAM DDR4 BUS de Transferencia: La velocidad del bus de memoria comenzará en los 2133 MHz NUMERO de PINES: 284 pines en su conector Mientras que la versión SO-DIMM destinada a portátiles tendrán 256 pines. CAPACIDAD: 2 Gbytes de capacidad, operando a 1,2 voltios y ofreciendo un ancho de banda de 19,2 Gbytes por segundo con una interfaz I/O de 64 bits. FABRICANTE: Samsung

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Características generales

TIPO: DIMM DRAM DDR4

BUS de Transferencia:

La velocidad del bus de memoria comenzará en los 2133 MHz

NUMERO de PINES:  284 pines en su conector

Mientras que la versión SO-DIMM destinada a portátiles tendrán 256 pines.

CAPACIDAD:

2 Gbytes de capacidad, operando a 1,2 voltios y ofreciendo un ancho de banda de 19,2 Gbytes por segundo con una interfaz I/O de 64 bits.

FABRICANTE: Samsung

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MEMORIA DDR4

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), Transmisión Doble De Datos Cuarta Generación: Hace varios años que algunas compañías como Samsung vienen presentando sus primeros módulos de memoria DDR4, sumándose más recientemente Hynix y Micron,En pleno apogeo de las memorias DDR3 utilizadas por las plataformas tanto de Intel como de AMD, el gigante sur-coreano Samsung vuelve a marcar un hito en el desarrollo de memorias RAM y ha anunciado el  primer modulo de memoria DDR4 de 4GB

Este módulo DIMM utiliza chips de memorias de 30nm, operan a una velocidad de 2133Mhz con apenas 1.2v y utilizan lo que llaman Pseudo Open Drain (POD) como tecnología de ahorro de consumo, con esto los módulos DDR4 necesitan tan solo la mitad de corriente eléctrica que las memorias DDR3 para operaciones de lectura y escritura de datos.

Por ahora Samsung no ha apurado la adopción de memorias DDR4 por cuanto están muy conformes con las memorias DDR3 a quienes le quedan bastante vigencia aun, sin embargo, tal como ha ocurrido con generaciones

anteriores, las memorias DDR4 ofrecerán menores voltajes, menor consumo, menor disipación y mayores velocidades que DDR3, los primeros módulos DDR4 irán en velocidades de 1600Mhz a 3200Mhz, aunque podemos esperar que esas velocidades sean sobrepasadas sin problemas.

Los nuevos módulos DDR4 pueden alcanzar tasas de transferencia de 2.133 gigabits por segundo (Gbps) a 1.2v, comparado con los 1.35 y 1.5v de los módulos DDR3 actuales también con chips fabricados a 30nm y velocidades de 1.6Gbps, incluso en módulos para notebooks el ahorro puede ser de un 40% comparado con módulos DDR3 de 1.5v.

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Por ahora los únicos procesadores que tendrán soporte para la memoria RAM DDR4 serán los Haswell para el entorno profesional, pero no creemos que los módulos DDR4 tarden demasiado en llegar para los usuarios domésticos,

Con esto Samsung nuevamente vuelve a marcar un hito en el desarrollo de memorias RAM, algo que ya hizo en 1997 al desarrollar el primer modulo DDR DRAM, luego en el 2001 introdujo las primeras memorias DDR2 DRAM y en el 2005 también anuncio las primeras memorias DDR3 DRAM utilizando un proceso de 80nm, ahora iniciando el 2011 la historia se repite y anuncia los primeros módulos DDR4 con chips de 30nm.

Seguramente muchos usuarios todavía siguen usando memoria RAM DDR2 o incluso DDR en sus sistemas, puede que hasta hace muy poco tiempo hayan dado el salto a la memoria RAM DDR3, y es que el mundo del hardware avanza muy rápido.