NJW4153 - 新日本無線（NJR）NJW4153 - 4 - Ver.2013-03-21 電気的特性 (V+=V ON/OFF=12V,...

NJW4153

- 1 -Ver.2013-03-21

カレントモード 1A MOSFET内蔵降圧用スイッチングレギュレータ IC

概要外形特徴カレントモード制御最大定格電圧 45V 広動作電圧範囲 4.6V～40V スイッチング電流 1.4A min. PWM制御方式位相補償回路内蔵セラミックコンデンサ対応発振周波数 1MHz typ. (A ver.) ソフトスタート機能 4ms typ. 低電圧誤動作防止回路内蔵過電流保護機能（ヒカップ方式）過熱保護機能スタンバイ機能外形 NJW4153U2 : SOT-89-5 NJW4153KV1 : ESON8-V1 製品分類

製品名バージョン発振周波数パッケージ動作温度範囲 NJW4153U2-A A 1MHz typ. SOT-89-5 一般仕様：-40～+85°C NJW4153KV1-A A 1MHz typ. ESON8-V1 一般仕様：-40～+85°C

NJW4153は、40V, 1AのパワーMOSFETを内蔵した降圧用スイッチングレギュレータ ICです。カレントモード制御方式を採用し、出力セラミックコンデンサを容易に使用できます。位相補

償回路を内蔵し、最小限の外付け部品で降圧アプリケーションを

実現します。またソフトスタート機能による安定した回路起動が可能であ

り、過電流・過熱保護機能で異常時の回路保護を行います。マイクロプロセッサやDSPなど、過渡応答の優れた電源回路に最適です。

NJW4153U2

NJW4153KV1

NJW4153

- 2 - Ver.2013-03-21

端子配列

ブロック図

V+

IN-

ER⋅AMP

Buffer

OCP

CURRENTSENSE

TSD

VrefSoft Start

UVLO

SLOPECOMP.

0.8V

S QR

OSC

GND

High: ONLow : OFF (Standby)

ON/OFF

SW

PWM

StandbyON/OFF

Low FrequencyControl

450kΩ

ピン配置 1. ON/OFF 2. GND 3. IN- 4. SW 5. V+

NJW4153U2

1 2 3

4 5 (2)

NJW4153KV1

1 2 3 4

Exposed PAD on backside connect to GND.

8765

1234

8765

(Top View) (Bottom View)

ピン配置 1. SW 2. N.C. 3. V+ 4. N.C. 5. ON/OFF 6. GND 7. N.C. 8. IN-

NJW4153

- 3 -Ver.2013-03-21

絶対最大定格 (Ta=25°C)

項目記号定格単位入力電圧 V+ +45 V V+－SW 端子間電圧 VV-SW +45 V IN-端子電圧 VIN- -0.3～+6 V ON/OFF端子電圧 VON/OFF +45 V

消費電力 PD

SOT-89-5 ESON8-V1

625 (*1) 2,400 (*2)

600 (*3) 1,800 (*4)

mW

接合部温度範囲 Tj -40～+150 °C 動作温度範囲 Topr -40～+85 °C 保存温度範囲 Tstg -40～+150 °C

(*1): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つ銅箔面積100mm2 (*2): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4層 FR-4)でEIA/JEDEC 準拠による（4層基板内箔：74.2×74.2mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用） (*3): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (*4): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）推奨動作条件

項目記号最小標準最大単位電源電圧 V+ 4.6 － 40 V

NJW4153

- 4 - Ver.2013-03-21

電気的特性 (V+=VON/OFF=12V, Ta=25°C)

項目記号条件最小標準最大単位

低電圧誤動作防止回路部

ONスレッシホールド電圧 VT_ON V+= L → H 4.3 4.45 4.6 V OFFスレッシホールド電圧 VT_OFF V+= H → L 4.2 4.35 4.5 V ヒステリシス幅 VHYS 70 100 – mV ソフトスタート部

ソフトスタート時間 TSS VB=0.75V 2 4 8 ms 発振器部

発振周波数 fOSC Aバージョン, VIN-=0.7V 900 1,000 1,100 kHz 発振周波数（低発振周波数コントロール時）

fOSC_LOW VIN-=0.4V – 370 – kHz

周波数電源電圧変動 fDV V+=4.6～40V – 1 – % 周波数温度変動 fDT Ta= -40°C～+85°C – 5 – % 誤差増幅器部

基準電圧 VB -1.0% 0.8 +1.0% V 入力バイアス電流 IB -0.1 – 0.1 µA PWM比較器部

最大デューティーサイクル MAXDUTY VIN-=0.7V 85 90 – % 最小ON時間 tON-min – 140 180 ns 過電流保護回路部

COOL DOWN時間 tCOOL – 8 – ms 出力部

出力ON抵抗 RON ISW=1A – 0.45 0.75 Ω スイッチング電流制限 ILIM 1.4 1.9 2.4 A SWリーク電流 ILEAK VON/OFF=0V, V+=45V, VSW=0V – – 1 µA ON/OFF制御部

ON制御電圧 VON VON/OFF= L → H 1.6 – V+ V OFF制御電圧 VOFF VON/OFF= H → L 0 – 0.5 V プルダウン抵抗 RPD – 450 – kΩ 総合特性

消費電流 IDD RL=無負荷, VIN-=0.7V – 3.9 4.4 mA スタンバイ時消費電流 IDD_STB VON/OFF=0V – – 1 µA

NJW4153

- 5 -Ver.2013-03-21

アプリケーション回路例

SW

GND IN-

V+

NJW4153

ON/OFF

CFB R2

COUT

L

SBD

VIN

CIN

R1

VOUT

ON/OFFHigh: ONLow: OFF (Standby)

NJW4153

- 6 - Ver.2013-03-21

特性例

Reference Voltage vs. Supply Voltage(Ta=25°C)

0.79

0.795

0.8

0.805

0.81

0 10 20 30 40Supply Voltage V+ (V)

Ref

eren

ce V

olta

ge V

B (

V)Quiescent Current vs. Supply Voltage

(RL=no load, VIN-=0.7V, Ta=25°C)

0

1

2

3

4

5


Qui

esce

nt C

urre

nt I

DD (

mA

)

Oscillation Frequency vs. Supply Voltage(A ver., VIN-=0.7V, Ta=25°C)

980

990

1000

1010

1020


Osc

illat

ion

Freq

unec

ny f

OSC

(kH

z)

NJW4153

- 7 -Ver.2013-03-21

特性例

Reference Voltage vs. Temperature(V+=12V)

0.790

0.795

0.800

0.805

0.810

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150Ambient Temperature Ta (°C)

Ref

eren

ce V

olta

ge V

B (

V)

Switching Current Limit vs. Temperature

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6


Switc

hing

Cur

rent

Lim

it I L

IM (

A)

V+=4.6V

V+=40VV+=12V

Output ON Resistance vs. Temperature(ISW=1A)

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8


Out

put O

N R

esis

tanc

e R

ON (Ω

)

V+=4.6VV+=12VV+=40V

Under Voltage Lockout Voltage vs. Temperature

4.3

4.35

4.4

4.45

4.5

4.55

4.6


Thre

shol

d Vo

ltage

(V)

VT_ON

VT_OFF

Soft Start Time vs. Temperature(V+=12V, VB=0.75V)

2

3

4

5

6

7

8


Soft

Star

t Tim

e T

ss (

ms)

Oscillation Frequency vs Temperature(A ver., V+=12V, VIN-=0.7V)

850

900

950

1000

1050

1100


Osc

illat

ion

Freq

uenc

y fo

sc (

kHz)

NJW4153

- 8 - Ver.2013-03-21

特性例

Quiescent Current vs. Temperature(RL=no load, VIN-=0.7V)

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5


Qui

esce

nt C

urre

nt

I DD (

mA

)

V+=40VV+=12VV+=4.6V

Standby Current vs. Temperature(VON/OFF=0V)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1


Stan

dby

Cur

rent

ID

D_S

TB (

µA)

V+=40V

V+=12VV+=4.6V

Switching Leak Current vs. Temperature(V+=45V,VON/OFF=0V, VSW=0V)

0

1

2

3

4

5


Switc

hing

Lea

k C

urre

nt I

LEA

K (

µA)

Minimum ON Time vs. Temperature(V+=12V)

100

110

120

130

140

150

160

170

180

190

200


Min

imum

ON

Tim

e t O

N-m

in [

ns]

Maximum Duty Cycle vs. Temperature(V+=12V, VIN-=0.7V)

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95


Max

imum

Dut

y C

ycle

MA

XDU

TY (

%)

NJW4153

- 9 -Ver.2013-03-21

端子説明

端子番号端子名称

SOT-89-5 ESON8 機能

ON/OFF 1 5

NJW4153の動作・停止を制御する端子です。内部は450kΩでプルダウンされています。 Highレベルで動作、Lowレベルまたはオープンでスタンバイモードとなります。

GND 2 6 接地

IN- 3 8 出力電圧を検出する端子です。IN-端子電圧が基準電圧0.8V typ.となるように出力電圧を抵抗分割して入力します。

SW 4 1 パワーMOSFETのスイッチ出力端子です。

V+ 5 3 ICへの電源供給端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、ICの近傍に入力コンデンサを接続してください。

N.C. – 2, 4, 7 未接続 Exposed

PAD – – GND 端子に接続されています。（ESON8 パッケージのみ）

技術資料

NJW4153 Application Manual

NJW4153

- 10 - Ver.2013-03-21

各ブロックの機能説明スイッチングレギュレータ基本機能

エラーアンプ部 (ER⋅AMP) エラーアンプ部の非反転入力は、0.8V±1%の高精度基準電圧が接続されています。アンプの反転入力(IN-端子)にコンバータの出力を入力することで、出力電圧 0.8V からのアプリケーション設計を容易にできます。出力電圧を0.8V以上にする場合は、出力電圧を抵抗分割することで設定します。アンプ部では、最適なフィードバックが内蔵されているため、最小限の外付け部品でアプリケーション回路を構成で

きます。 PWM比較器部 (PWM)、発振回路部 (OSC)

NJW4153は、固定周波数のカレントモード制御方式で動作します。発振回路は、Aバージョンで1MHz typ.に設定されています。 PWM 比較器部では、出力電圧とスロープ補償されたスイッチング電流のフィードバックにより、PWM 信号を出力します。最大デューティー比は、90% typ.です。 NJW4153の最小ON時間 ton-minは140ns typ.に制限されています。降圧回路のON時間は、下記式によって決まります。

[ ]sfV

VtonOSCIN

OUT

×=

VINは入力電圧、VOUTは出力電圧を表します。ON時間が ton-minの 140ns以下となる場合は、出力電圧を安定状態に保つためにデューティーの変動やパルススキップ動作を行う可能性があります。

パワーMOSFET 内蔵されたパワーMOSFET のスイッチ動作によって、インダクタへ電力を供給します。過電流保護機能によって、パワーMOSFETに流せる電流は、ILIM =1.4A min.に制限されます。降圧回路では、パワーMOSFETのOFF時にインダクタ電流が外付けの回生ダイオードに流れて、順方向バイアス電圧を発生します。SW 端子は、PV+－SW 端子間

電圧で45Vまで許容されますが、ショットキーダイオードの順方向飽和電圧が十分に低いものを使用してください。電源、GND端子 (V+, GND) スイッチング動作に伴い、周波数に応じた電流が IC に流れます。電源ラインのインピーダンスが高いと電源供給が不安定になり、IC の性能を十分に引き出せません。V+端子－GND 端子間の近傍にバイパスコンデンサを挿入し、高周波インピーダンスを下げてください。

技術資料


NJW4153

- 11 -Ver.2013-03-21

２．保護機能、付加機能低電圧誤動作防止(UVLO)回路電源電圧が低い場合、UVLO回路によって動作を停止し、電源電圧 4.45V typ.以上でUVLO回路が解除されて ICの動作が開始します。電源電圧の立ち上がりと立ち下がりに100mV typ.のヒステリシス電圧幅を持たせています。これにより、UVLOの解除と動作のばたつきを防止し、NJW4153を安定して動作させます。

ソフトスタート機能ソフトスタート機能によって、コンバータの出力電圧は設定値まで緩やかに電圧を上昇します。ソフトスタート時間

は4ms typ.であり、エラーアンプの基準電圧が0～0.75Vになるまでの時間で定義されます。（図１）ソフトスタート回路は、UVLO解除、サーマルシャットダウンからの復帰後に動作します。IN-端子が約0.65Vになるまで、低発振周波数にコントロールされ、発振周波数は370kHz typ.で動作します。

SW pin

0.8V

ON

OFF

Vref,IN- pin Voltage

Soft Start時間 Tss=4ms typ.VB=0.75Vまで

通常動作

Soft Start効果時間 VB=0.8Vまで

UVLO(4.45V typ.)の解除、スタンバイ、

サーマルシャットダウン

からの復帰

OSC Waveform

低発振周波数動作

VIN-=約0.65V

図１ソフトスタートのタイミングチャート

技術資料


NJW4153

- 12 - Ver.2013-03-21

各ブロックの機能説明（続き）過電流保護機能 (OCP)

NJW4153にはヒカップ(Hiccup)方式の過電流保護機能を内蔵しており、過負荷時の発熱を低減するとともに、過電流の異常状態から回復にともない、スイッチングレギュレータの出力電圧を自動的に復帰させることができます。内蔵のパワーMOSFETに ILIM以上の電流が流れると、過電流保護機能によってパワーMOSFETをOFFにし、次の周期でスイッチング動作を復帰します。 IN-端子電圧が0.5V以下になると、低発振周波数にコントロールされ、発振周波数を370kHz typ.で動作します。同時にパルスカウントを開始し、約1msの過電流検出が続くとスイッチング動作を停止します。停止後は、クールダウン時間 8ms typ.経過後、ソフトスタートによる再起動を行います。

SW pinON

OFF

Sw itchingCurrent

ILIM

0

定常状態過負荷状態ソフトスタート動作

0.8V0.5V

0V

IN- pinVoltage

パルス・バイ・

パルス

低発振周波数コントロール

fOSC_LOW=370kHz typ.

パルスカウント　約1ms クールダウン時間　8ms typ.

発振周波数

fosc=1MHz typ.

図２過電流保護動作時のタイミングチャート

サーマルシャットダウン機能 (TSD) サーマルシャットダウン機能は、NJW4153のチップ温度が165*を超えるとSW動作を停止します。チップ温度を150*以下になると、ソフトスタートによるSW動作が開始されます。なおサーマルシャットダウン機能は、高温時における ICの熱暴走を防止するための予備回路であり、不適切な熱設計を補うためでは有りません。ICのジャンクション温度（～+150°C）範囲内で動作させるように、十分な余裕を満たすことをお奨めします。（* 参考値）

ON/OFF機能

ON/OFF端子を0.5V max.以下にすることでNJW4153の機能を停止させスタンバイ状態にします。内部は450kΩでプルダウンされており、端子オープン時はスタンバイモードに移行します。スタンバイ機能を使用しない場合は、ON/OFF端子をV+に接続してください。

技術資料


NJW4153

- 13 -Ver.2013-03-21

アプリケーション情報インダクタインダクタには大電流が流れるため、飽和しない電流能力を持たせる必要があります。NJW4153 では、位相補償が内蔵されており、最適なL値は、入力電圧と出力電圧によって決まります。インダクタの設定例（参考値） ViIN=12V → VOUT=5.0V ：L ≦ 10µH ViIN=24V → VOUT=5.0V ：L ≦ 10µH 上記に記載されたL値よりも小さいものを選定しますが、L値は、記載された値から半分までを目安にしてください。L値が小さくなると、出力電流に対するピーク電流が大きくなり、変換効率が低下しやすくなります。（図３）また過電流リミットに掛かりやすくなるため、出力電流が制限される点に注意しなければいけません。ピーク電流は、下記式によって求められます。

( )]A[

fVLVVV

IOSCIN

OUTOUTINL ××

×−=∆

]A[I

IIpk LOUT 2

∆+=

Output CurrentIOUT

IndunctorRipple Current ∆IL

0

Current

tON tOFF

Peak Current IPK

IndunctorRipple Current ∆IL

Peak Current IPK

tON tOFF

L値が小さいとき L値が大きいとき図３インダクタ電流の状態（電流連続モード動作時）

技術資料


NJW4153

- 14 - Ver.2013-03-21

アプリケーション情報（続き）キャッチ・ダイオードパワーMOSFETがOFFサイクルの時は、インダクタに蓄えられた電力がキャッチ・ダイオードを経由して出力コンデンサに流れます。そのためダイオードにはサイクル毎に、負荷電流に応じた電流が流れます。ダイオードの順方向

飽和電圧と電流の積が電力損失となるため、順方向飽和電圧の低いSBD (Schottky Barrier Diode)が最適です。また SBD は、逆回復時間が短い特徴を併せて持っています。逆回復時間が長くなると、スイッチングトランジスタが OFFから ONサイクルに移行した時、貫通電流が流れてしまいます。この電流によって効率の低下、ノイズの発生等に影響を及ぼす可能性が有ります。

入力コンデンサスイッチングレギュレータの入力部には、周波数に応じた過渡的な電流が流れます。電源回路に供給される電源イン

ピーダンスが大きいと入力電圧の変動につながり、NJW4153 の性能を十分に引き出せません。よって入力コンデンサは、できる限り ICの近くに挿入してください。 NJW4153 の入力コンデンサには、セラミックコンデンサが適しており、リップル電流を容易に満たすことが出来ます。入力実効電流は、下記計算式で表せます。

( )]A[

VVVV

IIIN

OUTINOUTOUTRMS

−××=

上記計算式は、VIN=2×VOUT時が最大になり、その時の結果は、IRMS=IOUT(MAX)÷2です。入力コンデンサの選定は、アプリケーションで評価の上、十分なマージンを持った物をご使用ください。

出力コンデンサ出力コンデンサは、インダクタンスからの電力を蓄え、出力への供給電圧を安定させる役割をします。 NJW4153は、低ESRの出力コンデンサが使用できるように位相補償を設定しており、セラミックコンデンサが最適です。コンデンサの最適容量（参考値） VOUT=5.0V ：COUT ≧ 22µF セラミックコンデンサは、DC 電圧印加や温度変化によって容量が低下するため、スペックシート等で特性を確認してください。出力コンデンサの選定には、ESR(等価直列抵抗：Equivalent Series Resistance)の特性、リップル電流、耐圧を考慮に入れる必要が有ります。低ESRタイプのコンデンサであれば、リップル電圧を下げることが出来ます。出力リップル電圧は、下記計算式で表せます。

]V[IESRV L)pp(ripple ∆×=−

コンデンサに流れるリップル電流の実効値(Irms)は、下記計算式で表せます。

]Arms[I

I Lrms

32∆

=


NJW4153

- 15 -Ver.2013-03-21

アプリケーション情報（続き）出力電圧設定抵抗、補償用コンデンサ出力電圧VOUTは、R1, R2の抵抗比で決まります。R1, R2に流れる電流は、Error AMPに流れるバイアス電流を無視できるような値とします。

]V[VRRV BOUT ×⎟

⎠⎞

⎜⎝⎛ += 1

12

R2とCFBによって、ゼロ点(fZ1)が形成され、スイッチングレギュレータの位相を補償します。ゼロ点は、下記計算式で表せます。

]Hz[CR

fFB

Z ××π×=

221

1

fZ1は、30k～50kHz程度を目安に設定してください。


NJW4153

- 16 - Ver.2013-03-21

アプリケーション情報（続き）基板レイアウトスイッチングレギュレータは、インダクタの充放電によって出力へ電力供給を行います。発振周波数に応じて電流が

流れるため、基板のレイアウトは重要な項目です。大電流の流れるラインは太く、短くし、ループ面積を最小限にし

てください。図４に降圧回路における電流ループを示します。特にスイッチングにおける高速な電流変化を伴うCIN－SW－SBD間は、最優先でループを構成します。寄生インダクタによって発生するスパイクノイズを低減するのに効果的です。

NJW4153内蔵SW

COUT

L

SBDCINVIN

NJW4153内蔵SW

COUT

L

SBDCINVIN

(a) 降圧回路 SW ON状態 (b) 降圧回路 SW OFF状態

図４降圧回路における電流ループ

GNDラインは、パワー系と信号系を分離した上で１点アースをとるのが望ましい接続です。また電圧検出のフィードバックラインは、できるだけインダクタンスから離します。本ラインはインピーダンスが高

いため、インダクタンスからの漏れ磁束でノイズの影響を避けるように配線します。図５に降圧回路での配線例、図６にレイアウト例を示します。

負荷近傍で電圧を検出し、

電圧降下が負荷へ影響を与え

ないように配慮する。

SW

GND

IN-

CFB

R2

COUT

L

SBD

NJW4153

R1

VOUT

RL（負荷）

ICのインピーダンスが高いため、電圧検出抵抗 R1,R2はできるだけICの近くに配置する。

信号系のGNDをパワー系と分離する。

V+

CINVIN

ICの近傍に挿入する。

図５降圧回路での配線例

技術資料


NJW4153

- 17 -Ver.2013-03-21

アプリケーション情報（続き）

CIN1

CFBRFB

R1

R2

VOUT

Power GND Area

Feed backsignal

GNDOUT

GND IN

VIN

Signal GND Area

CIN2

ON/OFF

SBD

L

COUT

1pin

裏面にてパワー系GNDと信号系GNDを接続

図６レイアウト例（上面パターン）

技術資料


NJW4153

- 18 - Ver.2013-03-21

パッケージパワーの計算降圧回路の損失の多くは、スイッチ動作を行うNJW4153のパワーMOSFETによって発生します。そのため下記式を目安にNJW4153の損失として考えます。入力電力：PIN = VIN × IIN [W] 出力電力：POUT = VOUT × IOUT [W] ダイオードの損失：PDIODE = VF × IL(avg) × OFF duty [W] NJW4153の消費電力：PLOSS = PIN − POUT − PDIODE [W]

ただし、

VIN ：コンバータの入力電圧 IIN ：コンバータの入力電流 VOUT ：コンバータの出力電圧 IOUT ：コンバータの出力電流

VF ：ダイオードの順方向飽和電圧 IL(avg) ：インダクタ平均電流 OFF duty ：スイッチOFF時間

変換効率 η は、下記式によって求められます。 η = (POUT ÷ PIN) × 100 [%]

求めた消費電力PDに対して温度ディレーティングを考慮します。消費電力対周囲温度特性例（図７）を参考に、定格内に収まるか確認してください。

(*5): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つ銅箔面積100mm2 (*6): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4層 FR-4)でEIA/JEDEC 準拠による（4層基板内箔：74.2×74.2mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

(*7): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (*8): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

図７消費電力対周囲温度特性例

技術資料


NJW4153KV1 (ESON8 Package)Power Dissipation vs. Ambient Temperature

(Tj=~150°C)

0

500

1000

1500

2000

2500

3000


Pow

er D

issi

patio

n P

D (

mW

)

At on 4 layer PC Board (*8)At on 2 layer PC Board (*7)

NJW4153U2 (SOT89-5 Package)Power Dissipation vs. Ambient Temperature

(Tj=~150°C)

0

500

1000

1500

2000

2500

3000


Pow

er D

issi

patio

n P

D (

mW

)

At on 4 layer PC Board (*6)At on 2 layer PC Board (*5)

NJW4153

- 19 -Ver.2013-03-21

アプリケーション設計例降圧アプリケーション仕様

IC ：NJW4153U2-A 入力電圧：VIN=12V, 24V 出力電圧：VOUT=5V 出力電流：IOUT=1A 発振周波数：fosc=1MHz

SW

GND IN-

V+

NJW4153

ON/OFF SBD

VIN=12V, 24V

CFB22pF

R2160kΩ

R130kΩ

COUT22µF/25V

L10µH3.4A

CIN110µF/50V

VOUT=5V


記号数量部品番号概要メーカー IC 1 NJW4153U2-A 1A MOSFET内蔵 SW.REG. IC New JRC

L 1 CDRH8D28HPNP-100N Inductor 10µH, 3.4A(Ta=25°C) / 2.5A(Ta=100°C) Sumida

SBD 1 CMS16 Schottky Diode 40V, 3A Toshiba CIN 1 UMK325BJ106MM Ceramic Capacitor 3225 10µF, 50V, X5R Taiyo Yuden COUT 1 GRM32EB31E226KE15 Ceramic Capacitor 3225 22µF, 25V, B Murata CFB 1 22pF Ceramic Capacitor 1608 22pF, 50V, CH Std. R1 1 30kΩ Resistor 1608 30kΩ, ±1%, 0.1W Std. R2 1 160kΩ Resistor 1608 160kΩ, ±1%, 0.1W Std.

技術資料


NJW4153

- 20 - Ver.2013-03-21

アプリケーション特性例 :NJW4153U2-A VOUT=5V設定時 (R1=30kΩ, R2=160kΩ)

VOUT=3.3V設定時 (R1=47kΩ, R2=150kΩ)

技術資料


Efficiency vs. Output Current(A ver., VOUT=5V, Ta=25°C)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1 10 100 1000Output Current IOUT (mA)

Effic

ienc

y η

(%

)

f=1MHzL=10µH

VIN=6VVIN=12VVIN=18VVIN=24V

Output Voltage vs. Output Current(A ver., Ta=25°C)

4.7

4.8

4.9

5

5.1

5.2

5.3


Out

put V

olta

ge V

OU

T (V

)


f=1MHzL=10µH

Efficiency vs. Output Current(A ver., VOUT=3.3V, Ta=25°C)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100


Effic

ienc

y η

(%

)

f=1MHzL=10µH


Output Voltage vs. Output Current(A ver., Ta=25°C)

3.1

3.15

3.2

3.25

3.3

3.35

3.4

3.45

3.5


Out

put V

olta

ge V

OU

T (V

)


f=1MHzL=10µH

NJW4153

- 21 -Ver.2013-03-21

極性反転回路例

SW

GND IN-

V+

NJW4153

ON/OFF

SBD


CFBOptional

R1910kΩ

L10µH/3.4A

VIN=15V

CIN10µF/50V R2

51kΩ

VOUT= -15V

COUT22µF/25V

CC0.47µF/50V

記号数量部品番号概要メーカー IC 1 NJW4153U2-A 1A MOSFET内蔵 SW.REG. IC New JRC

L 1 CDRH8D28HPNP-100N Inductor 10µH, 3.4A(Ta=25°C) / 2.5A(Ta=100°C) Sumida

SBD 1 CMS16 Schottky Diode 40V, 3A Toshiba CIN 1 UMK325BJ106MM Ceramic Capacitor 3225 10µF, 50V, X5R Taiyo Yuden COUT 1 GRM32EB31E226KE15 Ceramic Capacitor 3225 22µF, 25V, B Murata CC 1 GRM21BB31H474KA87 Ceramic Capacitor 2012 0.47µF, 50V, B Murata CFB 0 ⎯ (Optional) Optional ⎯ R1 1 910kΩ Resistor 1608 910kΩ, ±1%, 0.1W Std. R2 1 51kΩ Resistor 1608 51kΩ, ±1%, 0.1W Std.

技術資料


Efficiency vs. Output Current(A ver. , VIN=15V, VOUT=-15V, Ta=25°C)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100


Effic

ienc

y η

(%

)

f=1MHzL=10µH

Output Voltage vs. Output Current(A ver. , VIN=15V, Ta=25°C)

-17.0

-16.5

-16.0

-15.5

-15.0

-14.5

-14.0

-13.5

-13.01 10 100 1000

Output Cuurent IOUT (mA)

Out

put V

olta

ge V

OU

T (V

)

f=1MHzL=10µH

NJW4153

- 22 - Ver.2013-03-21

MEMO

＜注意事項＞

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万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

NJW4153 - 新日本無線（NJR）NJW4153 - 4 - Ver.2013-03-21 電気的特性 (V+=V ON/OFF=12V,...

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