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NOTAS

Miércoles 15 de enero del 2014

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salidaen respuesta a otra señal de entrada.[] Cumple unciones de ampliicador! oscilador! conmutador orectiicador. "#ttp$%%es.&i'ipedia.or(%&i'i%)ransistor *.

Miércoles 15 de enero del 2014

 +ntes de 1,50 todo e-uipo electrónico utilizaa v/lvulas al vaco! -ue son ulos con un rillo tenue! -ue predominaan en la industria. El caleactor de una v/lvula al vaco normal consuma unpar de &atts! por lo -ue el e-uipo re-uera una el primer transistor de unión! -ue ue todo unacontecimiento por-ue si(niicó un (ran camio. El impacto del transistor en la electrónica #a sidoenorme! pues adem/s de uente de alimentación voluminosa -ue (eneraa una cantidadconsiderale de calor! lo cual preocupaa soremanera a los diseñadores. El resultado era une-uipo anticuado pesado. En 1,51 3#oc'le inventó iniciar la industria multinllonaria de lossemiconductores! #a sido el precursor de otros inventos como son los circuitos inte(rados! losdispositivos optoelectrónicos los microprocesadores. +ctualmente! casi todo e-uipo electrónicoutiliza dispositivos semiconductores. os camios #an sido m/s notales en la industria de las

computadoras.6n transistor puede considerarse ormado por dos diodos semiconductores con una zona comn.En un transistor e7isten! por consi(uiente! tres terminales. a zona comn se denomina ase lasdos zonas e7teriores en contacto con la ase son el emisor el colector.8ara -ue el transistor uncione correctamente! la unión correspondiente al diodo emisorase deepolarizarse en sentido directo! mientras -ue la unión correspondiente al colectorase #a de estar polarizada en sentido inverso.3i se conecta nicamente el circuito emisorase! con dolarización directa! se estalece unacirculación eléctrica desde el emisor a la ase a través de la unión. 9esconectando la alimentaciónen el circuito emisorase comunicando el conectorase con dolarización en sentido inverso! lacirculación ser/ pr/cticamente amas uniones emisorase colectorase! se estalecer/ unacorriente entre el emisor el colector. 9ic#a corriente est/ determinada por la tensión positiva delemisor la ne(ativa del colector! siempre con relación a la ase.El actor de ampliicación de corriente de in transistor es la relación entre la corriente de colector la del emisor.a caracterstica del transistor en virtud de la cual! al vaciar la tensión del emisor! se puedenotener variaciones en la corriente del colector! comporta -ue pueda compar/rsele con una v/lvulatermoiónica. El emisor! la ase el colector del transistor pueden identiicarse con el c/todo! re:illa /nodo de trodo! respectivamente. "#ttp$%%&&&.tarin(a.net%posts%apuntesmono(raias%2;<5;01%)ransistorestodolo-uesepuedesaer.#tml*

Jueves 16 de enero del 2014

Transistor de contacto puntual

lamado tamién transistor de punta de contacto! ue el primer transistor capaz de otener 

(anancia! inventado en 1,4; por =o#n >ardeen ?alter >rattain. Consta de una ase de(ermanio! semiconductor para entonces me:or conocido -ue la cominación coreó7ido de core!sore la -ue se apoan! mu :untas! dos puntas met/licas -ue constituen el emisor el colector.a corriente de ase es capaz de modular la resistencia -ue se @veA en el colector! de a# elnomre de @transfer resistor A. 3e asa en eectos de supericie! poco conocidos en su da. Esdicil de aricar "las puntas se a:ustaan a mano*! r/(il "un (olpe poda desplazar las puntas* ruidoso. 3in emar(o convivió con el transistor de unión "?. 3#oc'le! 1,4B* deido a su maor anc#o de anda. En la actualidad #a desaparecido. "#ttp$%%electrocev.lo(ia.com%2010%0,0;02transistordecontactopuntual.p#p*

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Jueves 16 de enero del 2014

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión ipolar! o >=) por sus si(las en in(lés! se arica /sicamente sore unmonocristal de ermanio! 3ilicio o +rseniuro de (alio! -ue tienen cualidades de semiconductores!

estado intermedio entre conductores como los metales  los aislantes como el diamante. 3ore elsustrato de cristal! se contaminan en orma mu controlada tres zonas! dos de las cuales son delmismo tipo! D8D o 8D8! -uedando ormadas dos uniones D8.

a zona D con elementos donantes de electrones "car(as ne(ativas* la zona 8 de aceptadores o@#uecosA "car(as positivas*. Dormalmente se utilizan como elementos aceptadores 8 al ndio "n*!

 +luminio "+l* o alio "a* donantes D al +rsénico "+s* o Fósoro "8*.

a coni(uración de uniones 8D! dan como resultado transistores 8D8 o D8D! donde la letraintermedia siempre corresponde a la caracterstica de la ase! las otras dos al emisor alcolector -ue! si ien son del mismo tipo de si(no contrario a la ase! tienen dierentecontaminación entre ellas "por lo (eneral! el emisor est/ muc#o m/s contaminado -ue el colector*.

El mecanismo -ue representa el comportamiento semiconductor depender/ de dic#ascontaminaciones! de la (eometra asociada del tipo de tecnolo(a de contaminación "diusión(aseosa! epita7ial! etc.* del comportamiento cu/ntico de la unión.

Transistor de efecto de campo

El transistor de eecto de campo de unión "=FE)*! ue el primer transistor de eecto de campo en lapr/ctica. o orma una arra de material semiconductor de silicio de tipo D o 8. En los terminalesde la arra se estalece un contacto ó#mico! tenemos as un transistor de eecto de campo tipo Dde la orma m/s /sica. 3i se diunden dos re(iones 8 en una arra de material D se conectane7ternamente entre s! se producir/ una puerta. + uno de estos contactos le llamaremos surtidor al otro drenador. +plicando tensión positiva entre el drenador el surtidor conectando la puerta alsurtidor! estaleceremos una corriente! a la -ue llamaremos corriente de drenador con polarizacióncero. Con un potencial ne(ativo de puerta al -ue llamamos tensión de estran(ulamiento! cesa laconducción en el canal.

El transistor de eecto de campo o FE) por sus si(las en in(lés! -ue controla la corriente en unciónde una tensiónG tienen alta impedancia de entrada.

• )ransistor de eecto de campo de unión! =FE)! construido mediante una unión 8D.

• )ransistor de eecto de campo de compuerta aislada! FE)! en el -ue la compuerta seasla del canal mediante un dieléctrico.

• )ransistor de eecto de campo MH3! MH3FE)! donde MOS  si(niica MetalI7ido

3emiconductor! en este caso la compuerta es met/lica est/ separada del canalsemiconductor por una capa de ó7ido.

Fototransistor 

os ototransistores son sensiles a la radiación electroma(nética en recuencias cercanas a la dela luz visileG deido a esto su lu:o de corriente puede ser re(ulado por medio de la luz incidente.6n ototransistor es! en esencia! lo mismo -ue un transistor normal! sólo -ue puede traa:ar de 2maneras dierentes$

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• Como un transistor normal con la corriente de ase ">* "modo comn*G

• Como ototransistor! cuando la luz -ue incide en este elemento #ace las veces de corrientede ase. "8* "modo de iluminación*. " #ttp$%%es.&i'ipedia.or(%&i'i%)ransistor *.

Jueves 16 de enero del 2014

aracter!sticas

 +l(unas caractersticas de los transistores de contacto puntual diieren del transistor de unióndespués$

• a ase de la (anancia de corriente de un transistor de contacto comn es de alrededor de2 a <! mientras -ue la de un de un transistor de unión ipolar es tpicamente entre 0!,B 0!,,B.

• Jesistencia ne(ativa dierencial.

• Cuando se utiliza en el modo saturado en la ló(ica di(ital! se en(anc#an en el onestado!

por lo -ue es necesario eliminar el poder por un reve periodo de tiempo en cada ciclo dela m/-uina -ue se les devuelva el estado de descone7ión."#ttp$%%centrodearti(os.com%articulosnoticiasconse:os%articleK140B;<.#tml*

Jueves 1" de enero del 2014

Transistor de efecto de campo #F$T%

&enta'as del F$T

1* 3on dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada mu elevada "10; a1012 o#mios*.

2* os F$T (eneran un nivel de ruido menor -ue los >=).<* os F$T son m/s estales con la temperatura -ue los >=).4* os F$T son m/s /ciles de aricar -ue los >=) pues precisan menos pasos permiteninte(rar m/s dispositivos en un C.5* os F$T se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pe-ueños detensión drena:euente.L* a alta impedancia de entrada de los F$T les permite retener car(a el tiempo suiciente parapermitir su utilización como elementos de almacenamiento.;* os F$T de potencia pueden disipar una potencia maor conmutar corrientes (randes.

(esventa'as )ue limitan la utili*ación de los F$T

1* os F$T presentan una respuesta en recuencia pore deido a la alta capacidad de entrada.

2* os F$T presentan una linealidad mu pore! en (eneral son menos lineales -ue los>=).<* os F$T se pueden dañar deido a la electricidad est/tica.En este apartado se estudiar/n revemente las caractersticas de amos dispositivosorientadas principalmente a sus aplicaciones analó(icas."#ttp$%%&&&.unicrom.com%)utKtransistoresKeectoKcampo.asp*

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