Optoacopladores
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Optoacopladores
Objetivo:
Dar a conocer al participante los diferentes tipos
de optoacopladores que existen en el mercado,
clasificndolos de diferentes formas y describiendo sus
caractersticas y aplicaciones.
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Qu es un optoacoplador?
La asociacin de una fuente luminosa y uno o varios
receptores fotosensibles en una misma cpsula constituye, lo
que se conoce con el nombre de Optoacopladores.
Hay muchas variantes de optoacopladores (tambin llamados
dispositivos electropticos, optoaisladores, etc), pudiendo
clasificarse en varias categporas generales.
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1.- Los que tienen como fuente una lmpara de incandescencia y
como elemento fotosensible una fotorresistencia, que suelen
encontrase con el nombre de foto restatos.
a) Lmpara de incandescencia y fotorresistencia; b) Tubo de
nen y fotorresistencia; c) diodo electroluminescente y elemento
fotosensible de unin.
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2.- La categora mas ampliamente representada es la formada
por un tubo de Nen como fuente excitatriz y una o varios
fotorrestencias.
3.- Los que tienen como fuente un Led y como
elemento de salida un dispostivo fotosensible de
unin (fotodiodo, fototransistor fototiristor).
Una propiedad importante que tienen los Optoacopladores
debido a su construccin es su alto aislamiento galvnico
entre la salida y la entrada.
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Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor
formado por un fotoemisor, fotorreceptor y entre ambos hay un
camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo
DIP.
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Estructura.La figura muestra la perspectiva interna de un
optoacoplador. Una resina aloja al elemento sensitivo a la luz
(fototransistor o fototransistor de salida Darlington) que esta
rodeado por otra resina que permite la transmisin de la luz.
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CONSTRUCCIN DE OPTOACOPLADORES.
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Construccin mecnica.
La figura muestra la construccin mecnica y la capacitancia
parsita de acople resultante entre la entrada (diodo luminiscente) y
la salida (fototransistor).
Altas resistencias de aislamiento, tpicamente 1011 ohms
entre la entrada y la salida, pueden lograrse de manera que en la
prctica la resistencia de aislamiento est determinada por el
material del circuito impreso y la contaminacin superficial que
ocurre inevitablemente.
Las captancias de acople entre el diodo luminiscente y el
fototransistor son las que mas probablemente limitan el desempeo
en operacin normal.
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Diseo
El diseo de un optoacoplador bsico debe
satisfacer cinco requerimientos esenciales:
Buen comportamiento en cuanto a la funcin del
aislamiento,
Alta relacin de transferencia de corriente (CTR),
Degradacin lenta (al ser dispositivo de estado
slido, sin partes mviles),
Baja capacidad de acoplamiento,
Imposibilidad de un funcionamiento incontrolado
debido a influencias de campos externos.
-
Estos factores dependen esencialmente del diseo , de los
materiales empleados y de los correspondientes chips usados
para el emisor-receptor.
Para explicar las caractersticas de diseo de un optoacoplador
nos basaremos en el tipo denominado PIN de 6 terminales que el
optoacoplador mas usado.
En dichos optoacopladores, el emisor y el receptor estn
colocados uno al lado del otro. A este tipo de distribucin del
emisor y del receptor se le denomina optoacoplador por reflexin.
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Sobre ambos chips se coloca un semielipsoide de cierto
material que mejora la capacidad de reflexin. Todo este
conjunto se cubre con un material plstico que sea
impermeable al rango del infrarrojo y tenga adems una
constante dielctica alta.
El sistema completo se envuelve en un compuesto de
plstico impermeable a la luz para asegurar que ninguna
influencia externa (luz, polvo, etc) altere al acoplador.
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El espacio libre entre el emisor y el receptor es de 0.75 mm y
est, de este modo, mecnicamente estable incluso bajo
sobrecargas trmicas; por ejemplo, se descarta la posibilidad de
un corto circuito causado por la deformacin del material.
Gracias a su gran espacio libre, estos optoacopladores tienen
una capacitancia de acoplamiento baja, de aproximadamente 2 pF.
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Los acopladores con diseos convencionales, por ejemplo,
de donde el emisor y el receptor se adaptan cara a cara
(optoacopladores directos o cara a cata), tienen valores de la
capacidad de acoplamiento mas altos del orden de 1.3-2 veces los
anteriores.
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En circuitos digitales debemos tener muy en cuenta la
capacidad de acoplamiento, pues en estos los picos de los
pulsos de la seal se superponen as mismo en la seal de
control.
Es evidente que se desea una capacidad de acoplamiento lo
mas baja posible, que significa un mayor aislamiento entre las
etapas de entrada y salida del optoacoplador. Con una
capacidad de acoplamiento baja, la transmisin de esas
interferencias se suprimen entre la entrada y salida del
acoplador.
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Detallando las caractersticas y operaciones bsicas de los
dispositivos optoelectrnicos podemos tener una idea de que se
puede esperar del semiconductor. Los dispositivos optoelectrnicos
bsicos puede ser empaquetados para proporcionar:
Emisores y detectores discretos los cuales emiten y detectan luz.
Mdulos Interruptores / Reflectores que detectan el objeto
modificando la direccin de la luz.
Aisladores / Acopladores, los cuales transmiten seales elctricas
sin conexin elctrica.
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Mdulos Interruptor / Reflector.
El uso de mdulos interruptores o reflectores elimina la
mayora de los clculos pticos, y geomtricos y los problemas
de la conversin en los mecnicos posiciona posicionan dndose
cuenta de las aplicaciones. Estos mdulos se especifican
elctricamente, simultneamente a la entrada y salida, es decir,
como un par acoplado, y ha definido las limitaciones en la
entrada mecnica.
Todos los diseos necesitan ser provedos de corriente de
entrada y entrada mecnica (es decir, paso en un infrarrojo - de
un objeto opaco a travs del hueco interruptor) supervisa el
rendimiento elctrico:
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Lo anterior coloca a los mdulos de sensor en la misma categora
del plan como los interruptores de lmite de precisin mecnicos,
solo que con el mecanismo activando, bloqueando o reflejando la
luz en lugar de aplicar una fuerza. As se eliminan el uso
mecnico y efectos de la deformacin.
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Esto tambin explica la falta de mdulos reflexivos normales,
porque el espacio firme entre el mdulo y los actuadores mecnicos
deben mantenerse para proporcionar el acoplamiento ptico
adecuado, mientras llevando a los requisitos de la montura
mecnicos diferentes para cada sistema mecnico.
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CLASIFICACION DE LOS OPTOACOPLADORES
DEFINICIN:
Dispositivo empaquetado con un par emisor_detector y donde este
par se ajusta para que la respuesta de longitud de onda pueda ser lo
mas idntica posible y se tenga la mayor medida de acoplamiento.
Tomando como base las caractersticas principales de cada tipo de
optoacoplador los podemos clasificar de la siguiente manera:
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Por su tipo de
salidaANALGICA
Baja
Potencia
Alta
Potencia
Foto
Transistor.
Foto
Darlintong.
Foto FET
Foto SCR
Foto Triac
DIGITAL Smitch Trigger
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Los optoacopladores con salida analgica de baja potencia son
conocidos como de uso general, debido a que se utilizan
principalmente en etapas de control.
A continuacin se describirn los diferentes tipos de
optoacopladores para dar una base de comparacin entre unos y
otros.BAJA POTENCIA
FOTO TRANSISTOR
Caractersticas:
Alta velocidad de respuesta (Mhz)
(limitada solamente por las capacidades de la unin)
-
Bajo nivel de ruido.
Bajo costo.
No maneja etapas de potencia.
(bajos niveles de voltaje y corriente).
Funcionamiento:
IC = HFE (I)
El transmisor lo forma un LED o IRED y el receptor lo forma
un fototransistor.
Al activar la fuente de luz esta incide sobre la unin
fotosensible colector_base.
Se provoca una generacin de portadores (debido al efecto
fotoelctrico) y esta es la corriente de base (con la base en
circuito abierto) I = I entonces se tiene que......
-
Esta corriente (I) activa el transistor, llevndolo al estado de
amplificacin (debido a la ganancia del transistor). Esto genera
una corriente de unos cuantos mili amperios para ser usada en
algn circuito de control.
En algunos empaquetados se cuenta con la capacidad de conexin
con la base, lo que nos permite variar la sensibilidad del
fototransistor.
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NTE3040
Optoisolator
NPN Transistor Output
Description:
The NTE3040 is a gallium arsenide, infrared emitting diode in a 6-
Lead DIP type package coupled with a silicon phototransistor.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C C unless otherwise
specified)
Infrared Emitting Diode
Reverse Voltage, VR 3V
Continuous Forward Current, IF 60mA
Peak Forward Current (Pulse Width 1s, 300pps), IF 3A
Power Dissipation, PD 200mW
Derate Above +25C 2.6mW/C
-
Phototransistor
Collector-Emitter Voltage, VCEO 30V
Emitter-Collector Voltage, VECO 7V
Collector-Base Voltage, VCBO 70V
Continuous Collector Current, IC 100mA
Detector Power Dissipation, PD 200mW
Derate Above +25C 2.6mW/C
-
Total Device
Isolation Source Voltage (Input-to-Output),
VISO Pea RMS
1500V
1060V
Operating Temperature Range, Topr -55 to +100C
Storage Temperature Range, Tstg -55 to +150C
Lead Temperature (During Soldering,
10sec), TL+260C
-
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
ParameterSymb
ol
Test
Conditions
Mi
n
Ty
p
Ma
x
Uni
t
Infrared Emitting Diode
Forward Voltage VF IF = 10mA - 1.1 1.5 V
Reverse Leakage
CurrentIR VR = 3V - - 10 mA
Capacitance CJV = 0, f =
1MHz- 50 - pF
-
Collector-Emitter
Dark CurrentICEO
VCE = 10V,
IF = 0- 5 50 nA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)
CEO
IC = 10mA,
IF = 030 - - V
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)
CBO
IC = 100A,
IF = 070 - - V
Emitter-Collector
Breakdown Voltage
V(BR)E
CO
IE = 100A,
IF = 07 - - V
Collector-Emitter
CapacitanceCCE
VCE = 5V, f
= 1MHz- 7 - pF
Capacitance CJVCE = 10V, f
= 1MHz- 2 - pF
Phototransistor
-
Coupled Characteristics
DC Current
Transfer RatioCTR
IF = 10mA, VCE =
10V6 - - %
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(
sat)
IF = 60mA, IC =
1.6mA
10
0- - V
Isolation
ResistanceRISO V = 500V
10
0- -
G
Ohm
Isolation
CapacitanceCISO V = 0, f = 1MHz - - 2 pF
Switching Times tr, tf
VCE = 10V, ICE =
2mA, RL = 100 - 5 - s
VCE = 10V, ICB =
50A, RL = 100 - 3 - s
-
FOTO DARLINTONG
Caractersticas:
Alta velocidad de respuesta (MHz)
Bajo nivel de ruido.
Bajo costo.
Manejo de mediana potencia.
Funcionamiento:
El transmisor lo forma un LED o un IRED y el receptor es
una arreglo de transistores en Darlintong, donde el primero es
un fototransistor y el segundo un transistor normal.
Al activarse la fuente de luz, esta incide sobre la unin
fotosensible colector_base del transistor.
-
Debido a la incidencia de luz se genera una fotocorriente
(efecto fotoelctrico) en la unin Colector _base del
fototransistor y esta corriente () es amplificada por la ganancia
(hFE) del fototransistor.
Ahora, esta corriente amplificadad, es la que fluye por la base
del segundo transistor y es amplificada, es la que fluye por la
base del segundo transistor y es amplificada por la ganancia del
mismo.
Si los dos transistores son iguales, entonces 1 y 2 son iguales
lo cual nos da una ganacia de 2. Si se tiene un factor de
ganancia de 120 (tpico), entonces la ganancia del fotodarlintong
es de aproximadamente 14,400 lo cual genera una corriente
grande y que puede llegar al orden de los amperes.
-
Este optoacoplador nos ofrece la ventaja de trabajar con
potencia media a un costo bajo por unidad.
Al igual que el foto transistor, este dispositivo cuanta con una
pata para conectar la base del foto transistor, con lo cual
ampliamos la sensibilidad del receptor.
-
NTE3045
Optoisolator
Silicon NPN Darlington Phototransistor Output
Description:
The NTE3045 is a gallium arsenide LED optically coupled to a
Silicon Photo Darlington transistor in a 6-Lead DIP type package
designed for applications requiring electrical isolation, high
breakdown voltage, and high current transfer ratios. Characterized
for use as telephone relay drivers but provides excellent
performance in interfacing and coupling systems, phase and
feedback controls, solid state relays, and general purpose switching
circuits.
-
Features:
High Sensitivity to Low Input Drive Current
High Collector-Emitter Breakdown
Voltage: V(BR)CEO = 80V (Min)
High Input-Output Isolation Guaranteed: VISO =
7500V (Peak)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C C unless otherwise
specified)
Input LED
Reverse Voltage, VR 3V
Continuous Forward Current, IF 60mALED Power Dissipation (With Negligible Power in
Output Detector), PD120mW
Derate Above +25C 1.41mW/C
-
Output Detector
Collector-Emitter Voltage, VCEO 80V
Emitter-Collector Voltage, VECO 5VDetector Power Dissipation (With Negligible
Power in Input LED), PD150mW
Derate Above +25C 1.76mW/C
Total Device
Isolation Source Voltage (Peak AC Voltage,
60Hz, 1sec Duration, Note 1), VISO7500V
Total Device Power Dissipation, PD 250mW
Derate Above +25C2.94mW/
C
-
Operating Ambient Temperature Range, TA-55 to
+100C
Storage Temperature Range, Tstg-55 to
+150C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16" from
case, 10sec), TL+260C
Not
e 1
Isolation Surge Voltage is an internal device dielectric breakdown
rating. For this test, Pin1 and Pin2 are common, and Pin4, Pin5,
and Pin6 are common.
-
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
ParameterSymb
ol
Test
ConditionsMin Typ
Ma
x
Uni
t
Input LED
Reverse Leakage
CurrentIR VR = 3V - 0.05 10 A
Forward Voltage VF IF = 10mA - 1.15 2.0 V
Capacitance CJVR = 0, f =
1MHz- 18 - pF
-
Photodarlington (TA = +25C, IF = 0 unless otherwise specified)
Collector-Emitter Dark
CurrentICEO VCE = 60V - - 1 A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)C
EO
IC = 1mA 80 - - V
Emitter-Collector
Breakdown Voltage
V(BR)E
CO
IE = 100A 5 - - V
Coupled (TA = +25C unless otherwise specified)
Output Collector
Current
IC IF = 10mA, VCE = 1.5V 50 - - mA
Isolation Surge
Voltage
VISO 60Hz Peak AC, 5sec,
Note 2, Note 3
7500 - - V
Isolation
ResistanceRISO V = 500V, Note 2 - 10
11 - Ohm
Isolation
Capacitance
CISO V = 0, f = 1MHz, Note 2 - 0.2 - pF
-
Switching
Turn-On Time ton IF = 5mA, VCC = 10V, RL= 100 Ohms
- 3.5 - s
Turn-Off Time toff - 95 - s
Rise Time tr - 1 - s
Fall Time tf - 2 - s
Note
2.
For this test LED Pin1 and Pin2 are common and
Phototransistor Pin4 and Pin5 are common.
Note
3.
Isolation Surge Voltage, VISO is an internal device
dielectric breakdown rating.