Practica Nº 3 Lab Electronica
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Concepto de BJT: Dispositivo electrónico cuyas siglas provienen de Bipolar Junction Transistor, que sig Transistor de Unión Bipolar. Está hecho habitualente con silicio !"i# que es un aterial seiconductor . Uniendo dos tipos de seiconductor !unión $%# se fora el diodo de unión, y uniendo tres capas %&$&% o bien $&%&$ se fora el transistor de unió tabi'n llaado transistor BJT, y que es el ás conocido de los transistores y el que priero se inventó. "ibolog(a) Principios de operación del transistor BJT (BUSCALO A VER SI ESTA BIEN# El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de aterial seiconductor. Dos tipos de transistor bipolar) %$% y $%$, en dicha figura tabi'n se ilustran sus respectivos s(bolos el'ctricos. El transistor bipolar %$% contiene una delgada región p entre dos regiones n. *ientras que el transistor bipolar $%$ contiene una delgada región entre dos regiones p. +a capa interedia de aterial seiconductor se conoce coo región de la base, ientras que las capas e ternas conforan las regiones de colector y de eisor. Estas están asociadas a las terinales de base, colec eisor respectivaente. Dependiendo de la polari-ación de las dos uniones $% que conforan los transistores bipolares, estos pueden operar noralente en tres -onas de operación) -ona de corte, -ona activa y -ona de saturación. $ara las aplicacio del transistor coo aplificador es necesario operar el dispositivo en la -ona activa. $ara utili-ar el transistor coo un interruptor electrónico se requier operarlo en las -onas de corte !coo interruptor apagado# y saturación !coo interruptor encendido#. continuación se presenta una breve descripción de ca una de estas -onas de operación.
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Transcript of Practica Nº 3 Lab Electronica
Concepto de BJT:Dispositivo electrnico cuyas siglas provienen de Bipolar Junction Transistor, que significa Transistor de Unin Bipolar. Est hecho habitualmente con silicio (Si) que es un materialsemiconductor. Uniendo dos tipos de semiconductor (unin PN) se forma el diodo de unin, y uniendo tres capas N-P-N o bien P-N-P se forma el transistor de unin tambin llamado transistor BJT, y que es el ms conocido de los transistores y el que primero se invent.Simbologa:
Principios de operacin del transistor BJT (BUSCALO A VER SI ESTA BIEN)El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. Dos tipos de transistor bipolar:NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos elctricos. El transistor bipolar NPN contiene una delgada regin p entre dos regiones n. Mientras que el transistor bipolar PNP contiene una delgada regin n entre dos regiones p. La capa intermedia de material semiconductor se conoce como regin de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas estn asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente.Dependiendo de la polarizacin de las dos uniones PN que conforman los transistores bipolares, estos pueden operar normalmente en tres zonas de operacin: zona de corte, zona activa y zona de saturacin. Para las aplicaciones del transistor como amplificador es necesario operar el dispositivo en la zona activa. Para utilizar el transistor como un interruptor electrnico se requiere operarlo en las zonas de corte (como interruptor apagado) y saturacin (como interruptor encendido). A continuacin se presenta una breve descripcin de cada una de estas zonas de operacin.
factores que influyen en el diseo de un amplificador (no la consegui)importancia de la ubicacion del punto q de un amplificador(FALTA)
factores que producen distorsion de la salida en un amplificador
Para evitar la distorsin, las amplitudes de todas las frecuencias dentro del rango de funcionamiento del amplificador, deben ser amplificadas por el mismo factor. Un amplificador que satisface este requisito se dice que es perfectamente lineal. Si los picos de la forma de onda se recortan, esto da lugar a lo que se denominadistorsin armnica. Otro tipo de distorsin es ladistorsin de intermodulacin, que ocurre cuando diferentes frecuencias en la mezcla de seales producen frecuencias suma y diferencia, que no existan en la seal original. La distorsin transitoria ocurre cuando los componentes del amplificador no pueden manejar la velocidad de cambio de la seal, por ejemplo, en los rpidos ataques de percusin. Tambin hay distorsin de intermodulacin transitoria (TIM) a los que son susceptibles los circuitos integrados modernos. Para su linealidad, tales circuitos dependen de la realimentacin, pero los retardos en esta, pueden causar distorsin de intermodulacin en los rpidos transitorios de la seal.
Definicin del FET.Es en realidad una familia detransistoresque se basan en elcampo elctricopara controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse comoresistenciascontroladas pordiferencia de potencial.Simbologa:
Tipos de FetsEl canal de un FET esdopadopara producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: ElMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). ElJFET(Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n ElMESFET(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye launin PNdel JFET con unabarrera Schottky. En elHEMT(High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. LosMODFET(Modulation-Doped Field Effect Transistor) LosIGBT(Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as losPower MOSFETtodava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. LosFREDFETes un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. LosDNAFETes un tipo especializado de FET que acta comobiosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN igualescaracteristicas principales que diferencian al transistor de efecto de campo fet del transistor de Union Bipolar bjt (falta)aplicaciones en biomedica (falta)
Diferencias entre el JFET y el BJT
BJT Controlado por corriente de base. Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones. IC es una funcin de IB. (beta factor de amplificacin) Altas ganancias de corriente y voltaje. Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET Controlado por tensin entre puerta y fuente. Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) electrones (canal n). ID es una funcin de Vgs. gm (factor de transconductancia). Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
