INFORME PREVIO

ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRONICAINFORME PREVIOTEMA: TRANSISTOR JFET

Docente: CUZCANO RIVAS, ABILIOIntegrantes:- Vaca Tllez, Alex Fabio Kevin 1313210171- Sanchez Casa, Javier 1313210198- Perez Camargo, Benito 082183h

TRANSISTOR JFETEl transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuentedelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

NotacinSmboloUnidadesDescripcin

ACorriente de compuerta

ACorriente de fuente

ACorriente de drenaje

ACorriente de drenaje en saturacin

VVoltaje drenaje-fuente en CD

VVoltaje compuerta-fuente en CD

VVoltaje drenaje-fuente en el punto de operacin en CD

VVoltaje compuerta-fuente en el punto de operacin en CD

VVoltaje compuerta-fuente en CA

VVoltaje de ruptura (Pinch voltage)

VVoltaje de Early

A/VTransconductancia para el modelo de pequea seal

Resistencia de salida para el modelo de pequea seal

Modulacin de la longitud del canal

Como notacin estndar, las variables que se escriben en maysculas y con subndices en maysculas hacen referencia a valores determinados (o analizados) en corriente directa, aquellas se escriben en minsculas e igualmente sus subndices son valores determinados en corriente alterna; finalmente aquellas que se escriben en minsculas con subndices en maysculas es la suma de la variable en corriente directa ms la variable en corriente alterna. De manera general en todo circuito con comportamiento lineal es posible aplicar el principio de superposicin, en el caso de amplificadores a transistores, se hace uso frecuentemente de este principio, analizando primeramente en corriente directa (polarizacin del transistor) y posteriormente el anlisis en corriente alterna.Ecuaciones y modelos fundamentalesEstos transistores poseen dos regiones de polarizacin fundamentales: la regin lineal (o de triodo) y la regin de saturacin (o de estrangulamiento).Transistor Canal N

Todas las regiones

Adems se cumple:Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor dese puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Transistor Canal P

Todas las regiones

Adems se cumple:Regin de corte

Regin de triodo

Entonces se puede despreciar dicho trmino en la ecuacin quedando:

Regin de estrangulamiento

Generalmente el valor dese puede despreciar, quedando as la ecuacin:

Modelo del transistor JFET a pequea seal

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequea seal con corriente alterna.

Se observa que ste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT.Para que el modelo de pequea seal tenga validez, debe cumplirse la siguiente condicin:

Esta condicin, en general es utilizada para el diseo y anlisis de amplificadores, sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el amplificador en la entrada sin que haya distorsin en la seal de salida