UUNIVERSIDADNIVERSIDAD N NACIONALACIONAL

M MAYORAYOR DEDE S SANAN M MARCOSARCOS..

FACULTAD DE SISTEMAS EFACULTAD DE SISTEMAS E INFORMATICAINFORMATICA

CURSO : SISTEMAS DIGITALES

PROFESOR : SANTIAGO MORI

TEMA : LABORATORIO DE MEMORIAS RAM CIRCUITO 1 Y 2

LIMA – PERU.2008

MEMORIA RAM

La memoria de acceso aleatorio, o memoria de acceso directo (en inglés: Random Access Memory, cuyo acrónimo es RAM), o más conocida como memoria RAM, se compone de uno o más chips y se utiliza como memoria de trabajo para programas y datos.Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando se queda sin energía (por ejemplo, al apagar la computadora), por lo cual es una memoria volátil. Esto es cierto desde el punto de vista teórico: Científicos de la Universidad de Princeton han descubierto que existe una destrucción gradual de los datos almacenados en la memoria RAM que oscila entre unos segundos y varios minutos, siendo inversamente proporcional a la temperatura. Esto puede significar una brecha en la seguridad en tanto que las claves de acceso de cifradores de informacion como BitLocker quedan almacenadas en la memoria RAM.

La denominación surgió antiguamente para diferenciarlas de las memorias de acceso secuencial. Debido a que en los comienzos de la computación las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas), es frecuente que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominación no es demasiado acertada.

Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer como escribir información. Se utiliza normalmente como memoria temporal para almacenar resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son independientes entre sí (no obstante, el resto de memorias ROM, ROM borrables y Flash, también son de acceso aleatorio). Por ejemplo, si un disco rígido debe hacer dos accesos consecutivos a sectores alejados físicamente entre sí, se pierde un tiempo en mover la cabeza lecto-grabadora hasta la pista deseada (o esperar que el sector pase por debajo, si ambos están en la misma pista), tiempo que no se pierde en la RAM. Sin embargo, las memorias que se encuentran en la computadora, son volátiles, es decir, pierde su contenido al desconectar la energía eléctrica ; pero hay memorias (como la memoria RAM flash), que no lo son porque almacenan datos.

En general, las RAMs se dividen en estáticas y dinámicas. Una memoria RAM estática mantiene su contenido inalterado mientras esté alimentada. En cambio en una memoria RAM dinámica la lectura es destructiva, es decir que la información se pierde al leerla, para evitarlo hay que restaurar la información contenida en sus celdas, operación denominada refresco.

Además, las memorias se agrupan en módulos, que se conectan a la placa base de la computadora. Según los tipos de conectores que lleven los módulos, se clasifican en módulos SIMM (Single In-line Memory Module), con 30 ó 72 contactos, módulos DIMM (Dual In-line Memory Module), con 168 contactos y módulos RIMM (RAMBUS In-line Memory Module) con 184 contactos.

TIPOS DE MEMORIA RAM

TIPOS DE RAM ESTÁTICA

Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM.Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit deRAM estática se construye con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede con las RAMs dinámicas, pero usan mucha más energía y espacio. La misma es usada como memoria caché.

SYNC SRAMSynchronous Static Random Access Memory –Es también un tipo de memoria caché. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66 mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual TIene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

PB SRAMPipeline Burst Static Random Access Memory – Es un tipo de memoria estática pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como caché al igual que la SRAM, y la más rápida de la actualidad con soporte para buses de 75 mhz ó superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos.

TIPOS DE RAM DINÁMICA

DRAMDynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70 nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera

de la siguiente manera, las posiciones de memoria están organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila, después la columna y por último decimos si deseamos escribir o leer en esa posición. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posición en la salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posición seleccionada si el acceso es de escritura.

FPMFast Page Memory - Memoria en modo paginado. También es llamada FPM RAM, FPM DRAM ó DRAM puesto que evoluciona directamente de ella es algo más rápida ya que su velocidad es de 70 ó 60 nanosegundos. Físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos. Con el modo pagina, la fila se selecciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando así un rápido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 mhz, generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 mhz y en algunos 486.

EDO RAMExtended Data Output Random Access Memory – Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos.Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 ó 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque también se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en una serie de latchs que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede acceder a un único byte la EDO permite mover un bloque completo de memoria. Muy común en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.

SDRAMSynchronous Dynamic Random Access Memory – Memoria de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20 % más rápida que le EDO RAM. La SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso, es capaz de sincronizar todas las señales de entrada y salida con la velocidad del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 mhz por lo que su refrescamiento debe ser mucho más rápido alcanzando el mismo velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra físicamente en módulos DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium II de menos de 350 mhz y en los Celeron. PC100 o SDRAM de 100 mhz Teóricamente es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a la calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidos por Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea para que realmente funcionen a esos 100 mhz. Es usada en los AMD K6-2,Pentium II a 350 mhz y micros aún más modernos. La memoria PC100 es la más usada en la actualidad. Hay todavía realmente una gran confusión con respecto al módulo PC100, no se sabe de que consta. Hay varios módulos que se venden hoy como PC100 pero desgraciadamente, todavía no se opera fiablemente a los 100 mhz. BEDO RAM Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la

SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 mhz. De esta clasificacion los mas resaltantes son las siguientes:

SRAM

La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con más frecuencia la memoria DRAM la cual es más barata y más pequeña, pero también más lenta, además necesita periódicas señales de refresco para que no pierda su contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias son volátiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de corriente, los datos almacenados se pierden.

Debido al alto coste de fabricación de la SRAM y a su alta velocidad, su uso más común está en la memoria caché de los ordenadores.

"Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la memoria donde los datos será leídos o escritos, no sigue ningún orden. Cada bit en una SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta célula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 ó 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la célula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura.

Otra diferencia con la DRAM que contribuye a hacer SRAM más rápido es que los chips comerciales aceptan todos los bits de dirección a la vez. El tamaño de la SRAM con m líneas de dirección y n líneas de datos es 2m palabras, o 2m*n

bits.

Tipos de memoria SRAM

Así, y atendiendo a la utilización de la SRAM como memoria caché de nuestros sistemas informáticos, tenemos tres tipos:

Async SRAM: memoria asíncrona y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos, utilizada como caché de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium,

Sync SRAM:memoria síncrona y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Muy utilizada en sistemas a 66 MHz de bus.

Pipelined SRAM: memoria síncrona con tiempos de acceso entre 8 y 4,5 nanosegundos. Tarda más que la anterior en cargar los datos, pero una vez cargados, accede a ellos con mayor rapidez.

Memoria Tag RAM

Este tipo de memoria almacena las direcciones de memoria de cada uno de los datos de la DRAM almacenados en la memoria caché del sistema. Así, si el procesador requiere un dato y encuentra su dirección en la Tag RAM, va a buscarlo inmediatamente a la caché, lo que agiliza el proceso.

Memoria VRAM

Este tipo de memoria fue utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos) para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema, y podría ser incluida dentro de la categoría de Peripheral RAM. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported. No obstante, fue sustituida inicialmente por la SDRAM (más rápida y barata) y posteriormente por la DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 (también denominada GDDR4: Graphics DDR4), más rápidas y eficientes. Se están frabicando para 2009 DDR5 con características similares a la DDR.

Memoria FRAM

La memoria FRAM (RAM Ferroeléctrica) es una memoria de estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que contiene un funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrite. Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscópico condensador, contiene dentro moléculas que preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico.

Características:

Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar como memoria principal con la mayoría de los microcontroladores.

Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura es destructiva. Esto no representa un problema ya que el chip se encarga de reescribir los datos luego de una lectura.

No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la alimentación para la retención de datos.

Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria de apoyo).

Tipos de módulos

Tipos de módulos de arriba abajo (los dos primeros soldados directamente en placa): DIP, DIP switch, SIMM 30 contactos, SIMM 72 contactos, DIMM 168 contactos, DIMM 184 contactos

Módulo de memoria SIMM de 30 pines: SIMM es un acrónimo del idioma ingles que expresa Single in Line Memory Module o modulo de memoria de una sola línea, es decir, un modulo de memoria SIMM es un conjunto de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Este modulo normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 8 bits.

Módulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO RAM: Este módulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de 30 pines. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits.

Módulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología SDR SDRAM: DIMM es un acrónimo inglés que expresa Dual in Line Memory Module o módulo de memoria de doble línea. Este módulo generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits.

Módulo de memoria DIMM de 184 pines con tecnología DDR SDRAM: Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria DDR SDRAM, con un bus de datos de 64 bits y posee 184 pines (lo que evita confundirlo con el de 168 pines y conectarlo en placas que no lo soporten).

Módulo de memoria RIMM de 184 pines con tecnología RDRAM: Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria RDRAM, por lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en módulos

específicos. Suelen tener una protección metálica que favorece la disipación térmica.

Memoria DRAM (Dynamic RAM)

La memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es una memoria RAM electrónica construida mediante condensadores. Los condensadores son capaces de almacenar un bit de información almacenando una carga, por lo que necesita refrescarse cada cierto tiempo: el refresco de una memoria RAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado un uno para evitar que la información se pierda por culpa de las fugas (de ahí lo de "Dynamic"). La memoria DRAM es más lenta que la memoria SRAM, pero por el contrario es mucho más barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria RAM más comúnmente utilizada como memoria principal.

También se denomina DRAM a la memoria asíncrona de los primeros IBM-PC, su tiempo de refresco era de 80 ó 70 ns (nanosegundos). Se utilizó en la época de los i386, en forma de módulos SIMM o DIMM

Tipos de DRAM

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Memoria asíncrona, más rápida que la anterior (modo de Página Rápida) y con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns. Esta memoria se encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generación de Pentium. Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el proximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo.

Memoria asíncrona, esta memoria permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con tiempos de acceso de 40 ó 30 ns.es decor modo of zaid

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Memoria asíncrona, variante de la anterior, es sensiblemente más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst).

Memoria síncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en:

PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MiB/s.

PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MiB/s.

PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1.066 MiB/s.

SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)

Memoria SDRAM

Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. Se comercializó en módulos de 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologías fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.

La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.

Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en:

PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son Memorias Sincronas Dinamicas.

Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere un caché con velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Módulo de memoria DDR.

Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDR SDRAM, en función de la frecuencia del sistema se clasifican en (según JEDEC):

RDRAM (Rambus DRAM)

Módulo de memoria Rambus

Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar royalties en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la famosa PlayStation 2. Se clasifica en:

o Rambus PC-600: se caracteriza por utilizar dos canales en vez de

uno y ofrece unas tasas de transferencia de 1,06 GiB/s por canal => 2,12 GiB/s a una frecuencia de 266 MHz.

o Rambus PC-700: igual que el anterior, trabaja a una frecuencia de 356 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,42 GiB/s por canal => 2,84 GiB/s.

o Rambus PC-800: del mismo modo, trabaja a 400 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,6 GiB/s por canal => 3,2 GiB/s.

ESDRAM (Enhanced SDRAM)

Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.

Las memorias mas recientes

ESDRAMEnhanced SDRAM – Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia como un caché dentro de la memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4 veces mayor al de la memoria DRAM.

SLDRAM

Sysnclink DRAM - La SLDRAM es una DRAM fruto de un desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia más cercana de Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un grupo de 12 compañías fabricantes de memoria. La SLDRAM es una extensión más rápida y mejorada de la arquitectura SDRAM que amplía el actual diseño de 4 bancos a 16 bancos. La SLDRAM se encuentra actualmente en fase de desarrollo y se prevé que entre en fase de producción en el 2000. El ancho de banda de SLDRAM es de los más altos 3.2GB/s y su costo no seria tan elevado. RDRAM

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de transferencia las siguientes: Rambus PC600: 2x2 bytes/ciclo x 300 Mhz = 1,20 Gb/sRambus PC700: 2x2 bytes/ciclo x 356 Mhz = 1,42 Gb/sRambus PC800: 2x2 bytes/ciclo x 400 Mhz = 1,60 Gb/sEl bus usa características de líneas de transmisión para mantener unaalta intregridad en la señal. El control de la temperatura se hace a través de un disipador y un elastómero térmicamente conductor.

Se pueden usar hasta tres módulos RIMM en una placa base de un PCde escritorio, como se muestra en la imagen. Aquí el canal Rambus se extiende desde el controlador a través de cada módulo RIMM usado de una forma continua hasta que se alcanza la terminación del canal. Los módulos de

continuidad de bajo costo se usan para mantener la integración del canal en sistemas que tengan menos de tres módulos RIMM.Un chip en placa SPD (Serial Presence Detect) PROM se usa para permitir la inicialización de la información al procesador del sistema en el encendido. Esta técnica asegurala compatibilidad de todos los fabricantes de RDRAM Direct Rambus que producen dispositivos DRAM de varias densidades.La creciente lista de fabricantes de Rambus que producen los módulos RIMM incluyen los más importantes fabricantes de módulos de memoria. Se planea una variante de los módulos RIMM para los PCs portátiles. La tecnología Direct Rambus también se desarrolla para servidores de gran escala, estaciones de trabajo y aplicaciones de comunicaciones.A nivel de sistema, los fabricantes que lideran la industria se han asociado en torno al Rambus para desarrollar los componentes de la infraestructura estandarizada de Direct Rambus incluyendo dispositivos de memoria RDRAM, controladores de memoria, chips de reloj y conectores

MEMORIA RAM 7489

La memoria RAM 7489 está organizada en 16 palabras de 4 bits. Por tanto, se

necesitarán 4 bits para definir las direcciones de las posiciones de memoria.

Para ello pueden usarse cuatro conmutadores manuales o bien un contador, y

para observar la dirección escogida se usarán cuatro leds. Debe tenerse en

cuenta que la RAM 7489 es de colector abierto y por consiguiente al conectar

los leds de visualización debe usarse una resistencia de apoyo a la fuente.

Modo de escritura: Una vez fijada la dirección se coloca el conmutador de

lectura/escritura en la posición W. Seguidamente se elige un dato cualquiera de

entrada y se introduce a través de D0, D1, D2 y D3. Se repite el proceso para

cada una de las posiciones de memoria tomando nota de los datos que se han

grabado para la posterior comprobación en el modo de lectura. Obviamente

para pasar de una dirección a la siguiente deberemos cambiar los

conmutadores manuales de dirección (o introducir un nuevo pulso en el

contador).

Modo de lectura: Colocanco el conmutador R/W en R, se observan en leds

conectados a las salidas Q0, Q1, Q2 y Q3 los datos almacenados en la

dirección de memoria elegida (el método de direccionamiento es, lógicamente,

el explicado anteriormente.

El código siguiente presenta la codificación de la memoria RAM 7489, una memoria de16 direcciones y un bus de 4 bits, que se muestra en la figura 3.

PRUEBA DEL 2DO LABORATORIO

HACER QUE SE PRENDAN LOS LEDS 1 PAR SI UN PAR NO

De acuerdo a lo establecido el circuito debe guardar los siguientes datos y luego mostrarlos: 1 2 5 6 9 10 13 14 Siendo el funcionamiento como sigue:Se tiene un contador ascendente de modulo 16 (0-15), representado mediante leds, luego en cada pulso del contador se deberá guardar los datos ya mencionados, estos se elegirán a través del dipswitch de datos, luego de lo cual se presionará el pulsador para activar el modo de escritura y así poder guardar el dato en la posición respectiva.Luego cuando el contador vuelva a cero y estando en modo de lectura, se mostrará los datos guardados mediante leds (16).

El circuito antes descrito se resume en la siguiente tabla:

  Dirección en que se guarda   Dato que se guarda #Led que se enciende  Contador Ascendente                 Dato leído             0 0 0 0     0 0 0 0   0    0 0 0 1     0 0 0 1   1    0 0 1 0     0 1 0 0   4    0 0 1 1     0 1 0 1   5    0 1 0 0     0 1 0 0   8    0 1 0 1     0 1 0 1   9    0 1 1 0     1 1 0 0   12    0 1 1 1     1 1 0 1   13    1 0 0 0     1 1 0 1   0    1 0 0 1     1 1 0 1   1    1 0 1 0     1 1 0 1   4    1 0 1 1     1 1 0 1   5    1 1 0 0     1 1 0 1   8    1 1 0 1     1 1 0 1   9    1 1 1 0     1 1 0 1   12    1 1 1 1         1 1 0 1   13