Semiconductores IES Astures

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ELECTRONICA ELECTRONICA ANALÓGICA DIGITAL tiempo Señal tiempo Señal Solo 2 valores Cualquier valor

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ELECTRONICAELECTRONICA

ANALÓGICA DIGITAL

tiempo

Señal

tiempo

Señal Solo 2 valores

Cualquier valor

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ELECTRÓNICA ANALÓGICA

• SEMICONDUCTORES

• COMPONENTES ELECTRONICOS

• BLOQUES FUNCIONALES

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SEMICONDUCTORES

Unión P-N

El átomo

Bandas de energía

El semiconductor

La circulación de corriente

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El átomoEl átomo

Np = nº protones

núcleoNe = nº electrones

periferia

•Última = órbita de valencia•Enlaces = f(órbita de valencia)

•Los electrones están distribuidos en órbitas de distinta energía•Para pasar de una a otra un electrón ha de absorber o liberar la siguiente energía:•E = hv h= constante de Plank

v = frecuencia de radiación

•Ne > Np

•Ne = Np

•Ne < Np •positivo

•neutro

•negativo

•Carga del átomo

•Distribución de electrones

Page 5: Semiconductores IES Astures

•Cada órbita de electrones constituye una banda energética en la que pueden estar los electrones.• Entre las distintas órbitas hay bandas energéticas en las que no pueden estar los electrones.

•Cada órbita de electrones constituye una banda energética en la que pueden estar los electrones.• Entre las distintas órbitas hay bandas energéticas en las que no pueden estar los electrones.

B. conducción

B. prohibida

B. valencia Intervalo energético donde están los electrones de la última órbita

•Energía que ha de adquirir un electrón de la banda de valencia para poder moverse libremente por el material

Intervalo energético donde están aquellos electrones que pueden moverse libremente

B. conducción

•B. prohibida

B. valenciaB. conducción

B. valencia

B. conducción

•B. prohibida

B. valencia

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El semiconductor I• B. prohibida <<

• 4 de valencia

• Enlaces covalentes

Conductor oaislante

CARACTERÍSTICAS

GeSi

AsGa Otros

Histórico PrincipalAlgunasaplicacionesespecíficas

Pocousados

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El semiconductor II

•Átomo de Si

•Electrón de valencia

•Enlace covalente

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El semiconductor III

+ energía

•Térmica•Luminosa•Eléctrica•Etc.

•Número electrones

=•Numero de huecosElectrón

libreHueco

Parelectrón-hueco

•RUPTURA

Energía

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El semiconductor IV

•Arsénico•Antimonio•Fósforo•Etc.

Átomo con 5 electrones de valencia

•Aluminio•Boro•Galio•Etc.

Átomo con 3 electrones de valencia

Tipo NTipo N Tipo PTipo P

Nº de portadores = Nº de impurezas

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•La circulación tiene lugar en la banda de conducción

=Los conductores

•La circulación tiene lugar en la banda de conducción

=Los conductores

V+

V-

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•La circulación tiene lugar en la banda de valencia

•La circulación tiene lugar en la banda de valencia

V+

V-

Page 12: Semiconductores IES Astures

V+ V+V+

V- V- V-

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P N

P N

mayoritarios

minoritarios

Page 14: Semiconductores IES Astures

MUCHOS

P N P N

MUCHOS

P NP N

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Al juntarse un y un desaparecen ambos, apareciendo la zona

despoblada

P N

P N

Zona

despo-blada

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•Fuerza de la barrera de potencial

•Fuerza de difusión

P N

•La barrera de potencial se opone al paso de y

•Impureza con 3 electrones

•Impureza con 5 electrones

•EQUILIBRIO

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Los minoritarios Los minoritarios NO circulanNO circulan

P N

V

•Para que circulen los portadores mayoritarios ha de ser V > la tensión de la Barrera de Potencial

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Los mayoritarios Los mayoritarios NO circulan, SE NO circulan, SE REAGRUPAN.REAGRUPAN.

•Solo hay corriente de minoritarios•D = f(V)

P N

V

D

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P N

V

d

C = * S

d

•C es la capacidad• es la constante dieléctrica•S es la superficie•d es la distancia

El ancho de la zona despoblada se El ancho de la zona despoblada se modifica con el valor de Vmodifica con el valor de V

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P

V

N

I

I

VI = I0*(exp(V/n*VT) -1)

•VT = KT/q

•I0 = corriente inversa de saturación•q = carga del electrón: 1,6*10-19 culombios•K = constante de Boltzman: 1,36*10-23 J/ºK•T = Temperatura en grados Kelvin•n = constante empírica ( 1-germanio; 2-silicio)

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COMPONENTES

•El diodo ideal•Diodos reales•El diodo de unión P-N•El diodo zener•El fotodiodo•El LED•El Optoacoplador

•La función transistor•El transistor bipolar•Transistores de efecto de campo

-JFET-MOSFET

DIODOS TRANSISTORES

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I

V

I

V

Símbolo

POLARIZACIÓN DIRECTA

•R = 0•Puede circular cualquier corriente

POLARIZACIÓN INVERSA

•R = •No hay corriente

8

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OTROS DIODOS

•De Gas•De Selenio•De Óxido de cobre•De Puntas de contacto•De Unión P-N

Diodo de vacío

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I

V

I

V

SímboloP

V

N

I

V

I

VR

VC

VC = 0,7 en el Si

VR = Tensión de ruptura

Curva realCurva realAproximaciónAproximación

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V

I

VZ

VZ = Tensión de funcionamiento

AproximaciónAproximación

Izmáx

Zona de funcionamiento

I

V

Símbolo

•El diodo zener está diseñado para trabajar en la zona de ruptura, siempre que no se sobrepase su intensidad máxima.

•Existen en el mercado diodos zener con diversas tensiones de funcionamiento.

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Circuito típico de regulación con zener

VZV

Rs

RL

•El zener impide que la tensión en la resistencia de carga RL supere el valor de su tensión nominal.•El zener no puede impedir que la tensión baje por debajo de su tensión nominal.•La regulación la consigue absorbiendo más o menos corriente, en función de las características del circuito. La diferencia de tensión entre la alimentación y la carga se va a RS

V

I

VZ

Izmáx

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•En polarización directa se comporta como un diodo normal.•En polarización inversa sólo conduce cuando le incide luz.•Al incidir la luz se rompen muchos enlaces y por tanto se incrementa el número de minoritarios que son los responsables de la corriente inversa.

Símbolo

Circuito típico con fotodiodo

V

RL

I

I

V

LuzLuz

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Símbolo

Circuito típico con LED

V

RL

I

Display de 7 segmentosDisplay de 7 segmentos

Light Emitting Diode

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V

RL

IV

RL

I

•La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre el circuito de entrada y el de salida. •El único contacto que hay es un haz de luz.

Page 30: Semiconductores IES Astures

•Actúa como un interruptor•Se usa en electrónica digital (ordenadores, etc)

•Amplifica la señal de entrada•Se usa tanto en analógica como en digital

entrada

salida

3 terminales

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NN PE

B

C

Símbolo

Estructura

E

B

C

N PPE

B

C

Símbolo

Estructura

E

B

C

NPN PNP

•El transistor bipolar sustituyó con éxito a las válvulas de vacío.•Sus principales ventajas son: más pequeño, más barato, más fiable, menos consumo y mayor tiempo de vida.•Ha sido desplazado por los FET en la mayor parte de las aplicaciones de electrónica digital, pero sigue siendo competitivo en amplificación y en alta velocidad de conmutación.

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E B

C

NPN

•Al estar polarizada directa-mente la unión B-E, el E inyecta electrones libres en la base.•Al llegar los electrones del E a la B son arrastrados, la ma-yoría, al C, debido a la polari-zación inversa de la unión C-B y a que la base es estrecha y está poco dopada. Solo unos pocos forman la corriente de B-E, mucho más pequeña que la de E-C.•En definitiva la polarización B-E, gobierna la corriente en-tre E-C.•La relación entre las corrien-tes de B y C determinan la ga-nancia del transistor.•Existen en el transistor otras corrientes menos importantes que no están reflejadas en este gráfico.

aislante aislante aislante

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E

B

CIC

IB

IE

• Aplicando la 1ª ley de Kirchoff al transistor obtenemos:

IE = IB + IC

• El transistor tiene un comportamiento no lineal. Existen varios modelos para describir la relación entre las tensiones y corrientes que circulan por él. El más usado es el de Everst-Mole:

IC = ßIB + (1 + ß)IC0

• Normalmente IC0 es despreciable con lo que la ecuación anterior se simplifica:

IC ßIB

• Por otra parte como ß siempre es mayor de 10 se deduce que IB es despreciable frente a IC, por lo que:

IE IC

Page 34: Semiconductores IES Astures

ICC

VCECE

IB7B7

IB6B6

IB5B5

IB4B4

IB3B3

IB2B2

IB1B1

VCC

CURVAS DE SALIDA

Circuito típico de amplificación con un transistor

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E

B

C IC

IB

IE

E

B C

• El transistor bipolar es un dispositivo no lineal. Pero cuando trabaja en pequeña señal su comportamiento es aproximadamente lineal.

• Existen diversos circuitos que representan bien el comportamiento lineal del transistor, los cuales permiten resolver los circuitos con transistores mediante la Teoría de Circuitos.

• Uno de los más usados es el modelo simplificado de parámetros H en emisor común, que se representa a continuación:

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FET: Field Effect Transistor

FET

JFET

MOSFET

Canal n

Canal n

Canal n

Canal p

Canal p

Canal p

•El FET es un dispositivo controlado en V•Se denominan transistores unipolares porque tienen un solo portador de carga•Tienen una gran impedancia de entrada•Producen poco ruido•Ocupan poco espacio•Tienen problemas a altas frecuencias

acumulación

despoblamiento

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G

D

S

N

P PS

G

D

Canal N

G

D

S

P

N NS

G

D

Canal P

G

D

S

•El JFET, al contrario que el bipolar, tiene la unión G-S polarizada en inverso. Esto determina que la corriente de entrada sea mucho más pequeña. Es tanto como decir que es un dispositivo con una gran impedancia de entrada.•El surtidor emite los portadores de carga y el drenador los recibe.•La polarización inversa de puerta permite hacer el canal más ancho o más estrecho.

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Acumulación

S DG

N N

P

aislanteconductor

S

S

D

D

G

G

Canal N

Canal P • En el Mosfet de acumulación no existe inicialmente canal. Este se crea mediante la polarización de puerta surtidor. En el de canal N esta polarización es positiva y en el de canal P es negativa.

Page 39: Semiconductores IES Astures

Despoblamiento

S DG

N N

P

aislanteconductor

S

S

D

D

G

G

Canal N

Canal P • En el Mosfet de despoblamiento existe canal inicial. Esto permite dos tipos de polarización en puerta (+ y - ). Con polarización positiva se incrementa el canal. Con polarización negativa se disminuye.

Page 40: Semiconductores IES Astures

•Rectificadores•Filtros•Amplificadores•Realimentación•Operacional•Generadores de señal

Page 41: Semiconductores IES Astures

¿Por qué?

V125/220

t

V

t

V

t

V

t

variaciónV

t

variación

Alimentaciónde red

Es preciso convertirC.A./C.C.

Circuitoselectrónicos

¿Cómo?

C.A.C.C.

Red Transformador Rectificador Filtro Regulador

Circuitos analógicos

Page 42: Semiconductores IES Astures

Rectificador

v

t

Circuitos analógicos

v

t

v

t

v

t

Media Onda

Onda CompletaSon los que se usan enla práctica

Poco interés práctico

Page 43: Semiconductores IES Astures

En el semiciclopositivo si hay

corriente

En el semiciclonegativo no hay

corriente

V125/220

t

V

t

V

t

Rectificador de media onda

+-

+-

125/220

125/220

Circuitos analógicos

Page 44: Semiconductores IES Astures

El puente de diodos está constituido por cuatro diodos encapsulados juntos.El transformador deberá tener la relación de transformación adecuada a latensión continua que se desee.

V125/220

t

V

t

Rectificador de onda completa

Circuitos analógicos

V

t

125/220 Puente dediodos

~

~ +

-

Page 45: Semiconductores IES Astures

Filtros

Circuitos analógicos

Son circuitos electrónicosque permiten seleccionar,atenuar o eliminar señales

de una determinadafrecuencia.

=

Esto se consigue usandocomponentes cuya respuestasea función de la frecuencia

ZC=1

jωCZL=jωL

Ejemplos

Page 46: Semiconductores IES Astures

Tipos Básicos de Filtros

Circuitos analógicos

1

t

R

fC2 fC1

1

t

R

fC2 fC1

Filtro Paso Banda

1

t

R

fC

1

t

R

fC

Filtro Paso Alto

1

t

R

fC

1

t

R

fC

Filtro Paso Bajo

Page 47: Semiconductores IES Astures

CUESTIÓN PREVIA

Circuitos analógicos

RSe SS = Se * R

Cuando una señal pasa por un circuito, la señal desalida se obtiene multiplicando la señal de entradapor la función de transferencia o respuesta delcircuito.

Page 48: Semiconductores IES Astures

¿Cómo actúa un filtro?

Circuitos analógicos

Paso Banda

1

t

R

fC2 fC1

Paso Alto

1

t

R

fC

Paso Bajo

1

t

R

fC

Sa ( f < fC1 )

Sb (fC1 < f < fC2 )

Sc ( f > fC2 )

Sa ( f < fC )

Sb ( f > fC )

Sa ( f < fC )

Sb ( f > fC )

Sa ( f < fC1 )* 0 = 0

Sb (fC1 < f < fC2 )* 1 = Sb (fC1 < f < fC2 )

Sc ( f > fC2 ) )* 0 = 0

Sa ( f < fC )* 0 = 0

Sb ( f > fC )* 1 = Sb ( f > fC )

Sa ( f < fC )* 1 = Sa ( f < fC )

Sb ( f > fC )* 0 = 0

Page 49: Semiconductores IES Astures

Descomposición de señales

Circuitos analógicos

Cualquier señalse puede

descomponer en lasuma de una señalcontinua y un

conjunto de señalessenoidales

V

t

Fourier

Series Transformada=

V

t

Page 50: Semiconductores IES Astures

Ejemplo de descomposición de una señal periódica

Circuitos analógicos

=

V

t

V

t

V

t

V

t

V

t

++ + +

Page 51: Semiconductores IES Astures

Filtros + Descomposición de Señales

Circuitos analógicos

V

t

RectificadorF. Paso-bajo

V

t

Señal Teórica

V

t

Señal Real

Extraer una señalde una determinada

frecuencia.

Page 52: Semiconductores IES Astures

Filtros + Descomposición de Señales

Circuitos analógicos

t

V

t

VFiltro

Paso-Alto

FiltroPaso-Bajo

Modificar las características de una señal.

t

V

Page 53: Semiconductores IES Astures

SS= A · Se

GV Ganancia en tensiónGI Ganancia en intensidad

GV Ganancia en tensiónGI Ganancia en intensidad

Esquema Básico

Circuitos analógicos

Se SSA

Señal deEntrada

V ó I

Señal deSalidaV ó I

GANANCIAGANANCIA

AA

Page 54: Semiconductores IES Astures

Ze - Impedancia de entradaZs - Impedancia de salida

Esquema Básico

Circuitos analógicos

Ze ZSA

Otros ParámetrosImportantes

Otros ParámetrosImportantes

Los amplificadores son circuitos básicos en la transmisiónde señales electrónicas, pues permiten elevar el nivel de las

mismas, bien para transmitirlas o bien para recuperarseñales con unos niveles muy bajos de tensión.

Page 55: Semiconductores IES Astures

Cadena de Amplificación

Circuitos analógicos

Transductorde entrada

Transductorde entrada

A1 A2Transductor

de salidaTransductor

de salida

Aunque la señal que manejan los amplificadores es electrónica,las señales inicial y final pueden ser cualquier tipo de señal física(presión, temperatura, humedad, óptica, etc.). Los transductoresse encargan de hacer las correspondientes conversiones. Estopermite usar la electrónica en el procesamiento de cualquiermagnitud física.

Pueden colocarse tantos ampli-ficadores como sea necesario

Pueden colocarse tantos ampli-ficadores como sea necesario

Page 56: Semiconductores IES Astures

Adaptación de impedancias

Circuitos analógicos

Transductorde entrada

Transductorde entrada

A1 A2Transductor

de salidaTransductor

de salida

Zs1 Ze2

Zs1 = Ze2

Page 57: Semiconductores IES Astures

Concepto

Circuitos analógicos

Consiste en combinar una muestra de la señal desalida de un proceso con la entrada, para modificarlas características del proceso en la forma deseada

Page 58: Semiconductores IES Astures

Ejemplo de Sistema Realimentado

Circuitos analógicos

Mando adistancia GRUA Posición de

la carretilla

3º piso

La señal de salida vienedada por la posición dela carretilla. La señal de

entrada está determinadapor el piso al que se

desea subir la carretilla.El operario, con su vista,compara ambas señales y

si no coinciden, actúasobre el mando a distanciahasta hacerlas coincidir.

Page 59: Semiconductores IES Astures

Circuito Básico

Circuitos analógicos

B

+-

A

MEZCLADORDE SEÑALES AMPLIFICADOR

RED DEREALIMENTACIÓN

Page 60: Semiconductores IES Astures

Análisis

Circuitos analógicos

B

+-

A

Se’ = Se - B * Ss

B * Ss

SeSs

Ss = Se’ · A

Ss = (Se - B·Ss) ·A

A1 + A · B

Ss

Se=

Característica detransferencia del sistema Ar

=

Page 61: Semiconductores IES Astures

Tipos de Realimentación

Circuitos analógicos

NEGATIVA Ar < A

Page 62: Semiconductores IES Astures

Tipos de Realimentación

Circuitos analógicos

POSITIVA Ar > A

Esta Realimentación favorece los cambios bruscos

El sistema es muy inestable

Interesa cuando se desean obtener transiciones muybruscas de una señal, como por ejemplo al generar unaonda cuadrada: V

t

Page 63: Semiconductores IES Astures

Tipos de Realimentación

Circuitos analógicos

OSCILADORES Ar = A

El sistema puede proporcionar una señal de salida sintener señal de entradaInteresa esta realimentación para los generadores deseñal. Se usa en los osciladores.

Ss =∞Ss = 0

=Ss

Se∞

Page 64: Semiconductores IES Astures

Amplificador Operacional

Circuitos analógicos

-Vcc

+Vcc

V1-V2

-

+

+Vcc

-Vcc

V1

V2 V0

Ref

Page 65: Semiconductores IES Astures

Usos del Amplificador Operacional

Circuitos analógicos

Ve= -R1·i1

Vs= -R2·i2

Vs

Ve=

-R2

R1i1=i2

R1R2

i1

i2

Ve Vs

-

+

R2

Vs

-

+Ve

-Vcc

+VccVe

Vs

Page 66: Semiconductores IES Astures

Tipos de Generadores

Circuitos analógicos

Señal de entrada

OsciladorV

t

Señal de salidasenoidal

Page 67: Semiconductores IES Astures

Multivibradores

Circuitos analógicos

Aestable

V

t

El circuito bascula solo del nivel bajoal alto, y viceversa.Pueden regularse los tiempos en ambos estados.No tiene ningún estado estable.

Page 68: Semiconductores IES Astures

Multivibradores

Circuitos analógicos

V

t

El circuito sólo cambia de un estado alotro.Para salir del segundo estado precisauna señal externa.Tiene un solo estado estable.

Monoestable

Señales de Cambio

Page 69: Semiconductores IES Astures

Multivibradores

Circuitos analógicos

V

t

Para salir de cualquiera de los dosestados precisa una señal externa.Tiene dos estados estables.

Biestable

Señales de Cambio