Taller Semiconductor Es
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Taller Repaso de Semiconductores 1. Qué es un Semiconductor intrínseco.? 2. Encuentre los valores de la concentración de portadores intrínsecos ni para el silicio a -70 °C, 0°C, 20°C, 100°C y 125 °C. A cada temperatura ¿qué fracción de los átomos está ionizada ? Un cristal de silicio tiene aproximadamente 5 x 10²² átomos/cm³ Use la siguiente formula: n² i = BT³ e −E g /kT B = 5.4 x 10³¹ /K³cm⁶ Eg = 1.12 eV k = 8.62 x 10 eV/K ⁻⁵ T = Expresado en grados kelvin 3. Una muestra de Si esta dopada con As (arsénico) 10¹ átomos /cm³. Diga si el material es silicio tipo ⁷ n o p. 4. En una capa de silicio contaminada con fósforo y concentración de impurezas de 10¹ átomos /cm , ⁷ ⁶ Determine si el silicio es tipo p o n encuentre la concentración de huecos y electrones a 25 °C en equilibrio térmico. Use la siguientes formulas: n² i = BT³ e −E g /kT B = 5.4 x 10³¹ /K³cm⁶ Eg = 1.12 eV k = 8.62 x 10 eV/K ⁻⁵ T = Expresado en grados kelvin Si el material es silicio tipo n la concentración de átomos donadores N D se puede aproximar a la concentración de electrones libres en silicio en equilibrio térmico. n n0 ≈ N d p n0 = n² i n no
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Taller Repaso de Semiconductores 1. Qu es un Semiconductor intrnseco.?2. Encuentre los valores de la concentracin de portadores intrnsecos nipara el silicio a -70 C 0C 20C 100C ! 12" C. # cada temperatura $%u &raccin de los 'tomos est' ioni(ada ? )n cristal de silicio tiene apro*imadamente " * 10++ 'tomos,cm-)se la si.uiente &ormula/ni=BT eEg/kT0 1 ".2 * 10-3 ,4-cmE. 1 1.12 e56 1 7.82 * 10e5,4 9 1E*presado en .rados 6elvin:. )na muestra de Si esta dopada con #s ;arsnico< 103'tomos ,cm-. =i.a si elmaterial es silicio tipo n o p. 2. En una capa de silicio contaminada con &s&oro ! concentracin de impure(as de 103'tomos ,cm =etermine si el silicio es tipo p o n encuentre la concentracin de >uecos ! electrones a 2" C en e%uili?rio trmico. )se la si.uientes &ormulas/ni=BT eEg/kT0 1 ".2 * 10-3 ,4-cmE. 1 1.12 e56 1 7.82 * 10e5,4 9 1E*presado en .rados 6elvinSi el material essiliciotiponlaconcentracinde'tomosdonadores@=sepuedeapro*imarala concentracin de electrones li?res en silicio en e%uili?rio trmico.nn0Ndpn0=ninnoAaconcentracindelaimpure(aaceptantes@#sepuedeapro*imaralaconcentracinde>uecos ma!oritarios en silicio tipo ppn0Nann0=nipnoBibliografa B1C Sedra #. 4ennet> C. Circuitos Dicroelectrnicos Dc EraF Gill
