TRANSISTORESFICHAS TÉCNICAS

Nombre: Carlos Alberto Oporto A.Ciclo : IVODE : Arequipa

INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICAFÍSICA ELECTRÓNICA

TRANSISTOREl transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso

diario.

TRANSISTOR JFETEs un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores

eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de

los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de

entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los

terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del

transistor presentará una curva cara

TRANSISTOR MOSFETEs un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales

electrónicas ,es el transistor más utilizado en la industria

microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el

transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.

Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están

basados en transistores MOSFET.

TRANSISTOR IGBTEs adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha

sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada,

control de la tracción en motores y cocina de inducción.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la

capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la

corriente de base para mantenerse en conducción.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La

tensión de control de puerta es de unos 15 V.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPOEl transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que

controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de

entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una

unión PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-

Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está

separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias

al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y

electrones negativos)

Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,

separados por una región muy estrecha.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en

directa, mientras que la base-colector en inversa.

El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de

saturación y estado de actividad.

BIBLIOGRAFÍA:

http://www.microelectronicash.com/http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asphttp://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335