Transistores bipolares de union
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BJT
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IDEAS PREVIAS
Bulbo mas utilizado entre 1904 y 1947.Fleming 1904- Lee De Forest 1906.1947: Walter H Brattain y Joseph BardeenIndustrias Bell Telephone Laboratories.
William Shockley (1987)
John Bardeen (1991)Dos premios Nobel
Walter Brattain (1987)
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VENTAJASMas pequeño y ligeroNo requerimiento de calentamientoNo disipación de calor.Resistente.Consume menos potencia.Voltajes de operación más bajos.Dispositivos de tres o mas terminales.
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NPN PNP
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PARAMETROS
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PARAMETROS
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CONSTRUCCION Transistor de Unión Bipolar- Bipolar Junction
Transistor.El Transistor es un dispositivo de 3 patillas:
base (B), colector (C) y emisor (E). Base (B):ligeramente dopadaColector (C): muy poco dopada.Emisor (E): fuertemente dopada.Diferentes espesores
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CONSTRUCCION
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IDEAS PREVIAS
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IDEAS PREVIAS
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ZONA ACTIVA
Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcción del transistor.)Aunque en la practica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce, para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada de la corriente Ib.
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ZONA DE CORTE
Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0.Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor.En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “como una llave abierta”.
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ZONA DE SATURACION
Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . IbLa tensión Vce permanece prácticamente constante en un valor llamado Vsat,para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistortrabaja “como una llave cerrada”.
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REGIONES DE OPERACION
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BASE COMUN
IE = IC + IB
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BASE COMUN
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COLECTOR COMUN
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EMISOR COMUN
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EMISOR COMUN
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LIMITES DE OPERACION
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PRUEBA DEL TRANSISTOR