Curso:Circuitos electrnicos ITema:Transistor bipolar de juntura, polarizacionTipo de informe:Informe PrevioPROFESOR: E.MoralesINTEGRANTES:Martnez Gmez Alvaro Andr

2014

1. Defina a un transistor bipolar. Explique su funcionamiento y sus principales caractersticas. Dar caractersticas de 4 transistores. Averiguar los precios respectivos del mercado de artculos electrnicos.

Definicin: Eltransistor de unin bipolar(delinglsBipolar Junction Transistor, o sus siglasBJT) GART es undispositivo electrnicodeestado slidoconsistente en dosuniones PNmuy cercanas entre s, que permite controlar el paso de lacorrientea travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecospositivos yelectronesnegativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos suimpedanciade entrada bastante baja.

Funcionamiento: En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-colector en inversa.1Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base estdopadacon material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Aqu tenemos 4 tipos de transistores , de los cuales el primero tiene un costo de $0.30 , en segundo $3.50 , el tercero $0.50 , y el cuarto que es el enchapado cuesta $1.50.

2.Dar conceptos y destaque la importancia de Punto de operacin Q , recta de carga DC , recta de carga AC, polarizacin del transistor,Estabilizacion del punto Q , alfa , beta , Icbo , Vceo, Vcbo , V ebo.

es la corriente de colector. es la corriente de base. es la corriente de emisor. es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998) es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500) es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20) es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015a 1012amperios) es el voltaje trmico(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K). es la tensin base-emisor. es la tensin base-colector. Punto Q , punto de trabajo del transistor.

Recta de Carga Ac: La Recta de Carga Dinmica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente de AC. Est formada por la sucesin de los pares de valores (vCE, iC). Notar que a diferencia del caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna ms continua) tanto de tensin como de corriente. Para obtener la ecuacinmate mtica de esta recta f(vCE,iC) = 0, analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna.Recta de Carga Dc: La Recta de Carga Esttica representa la sucesin de los infinitos puntos de funcionamiento que puede tener el transistor. Su ecuacin se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente en continua. La Recta de Carga Esttica est formada por los pares de valores (VCE, IC) que podra tener el transistor con esa malla de salida. Para obtener su ecuacin matemtica f(VCE,IC) = 0, planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito equivalente en DC.

3.Explique las 3 formas bsicas de polarizacin de un transistor:

Polarizacin fija.

Es la polarizacin o circuitoms inestablede los 3 porque el punto de reposo vara con el(BETA-ganancia del transistor) y con la temperatura.No nos conviene porque si debemos cambiar el transistor por otro igualse movera el punto de reposodebido a que la ganancia del nuevo no va a ser exactamente igual al del que sacamos.

Polarizacin Colector-base

Esta polarizacin esms estable que la anteriorpero tiene unarealimentacin,es decir toma tensin de la salida a travs de Rb y la vuelve a ingresar por la base. Esto produce interferencias en audio del amplificador.

Auto polarizacin

Este circuito es el ms utilizado de los tres, el punto de reposo apenas depende de( ganancia del transistor), por eso es ms estable si debemos cambiarlo.Para que el punto de reposo no vare debe hacerse R1 unas 10 veces mayor a R2 y se coloca una resistencia de emisor (RE).

4. Es cierto que a mayor valor de Re mejor es la estabilidad? Que limita el valor de Re?Si , en cuanto ms grande sea la fraccin de la tensin mejor es su estabilidad.La resistencia emisor , tiene que ser 10 veces menor o menos que la resistencia colector, para que el transistor trabaje en la recta de carga.

BIBLIOGRAFIA

https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-analogicos/transparencias/tema-3http://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-bjt.shtmlhttp://onepiece.wocial.com/general/1598052/logra_tocar_luffy_enelhttp://www.buenastareas.com/ensayos/Construccion-De-La-Recta-De-Carga/6325421.htmlhttp://mx.answers.yahoo.com/question/index?qid=20101121132211AAF7nq0