Transistor de potencia Mosfet (30V | HS8K11)

Los transistores tipo mosfet o metal oxido semiconductor (MOS) son transistores de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción.

La mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología mosfet.

Descripción:Transistor de potencia / MOSFET30V | HS8K11

HS8K11 es MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación.

Características:Baja en resistencia. Planchas de plomo. Pb - libre ; RoHS obediente. Libre de halógenos .

Especificaciones Código del paquete: HSML3030L10 Número de terminales: 10 Polaridad: + Nch Nch Drenaje-fuente Voltaje: VDE [ V ] 30 Escurrir actual: ID [ A] 7.0 RDS (on) [ Ω ] VGS = 4.5V ( Typ . ) : 0,0208

Ficha técnica

TRANSISTOR NPN BIPOLAR S8050

Este transistor es un dispositivo electrónico en estado sólido, consiste en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la energía a través de sus terminales

Ficha

técnica

TRANSISTOR NPN BIPOLAR S8050

Certificado RoHS.Características:• Tipo: Bipolar.• Polaridad: NPN.• S8050.

Transistor N-FET 25V<20MA

TO92

Los transistores tipo Fet se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Ficha

técnica

Descripción:El 2N3819 es un bajo costo, para todos los fines JFET que ofrece muy buena rendimiento a medio-altas frecuencias.Cuenta con bajo nivel de ruido y las fugas y las garantías de alta ganancia a 100 MHz.Su TO-226AA (TO-92) paquete es compatible con diversas en cinta y las opciones de carrete para el montaje automático (véase el Información de embalaje).Para productos similares en el TO-206AF (A-72) y A-236 (SOT-23) paquetes.

Características:Excelente alta frecuencia de ganancia:GPS 11 dB @ 400 MHzMuy bajo ruido: 3 dB @ 400 MHzMuy baja distorsiónAlto AC / DC Switch Off-AislamientoHigh Gain: AV = 60 @ 100 ADe banda ancha de alta gananciaMuy alta sensibilidad del sistemaDe alta calidad de amplificaciónDe alta capacidad de conmutación de alta velocidadAlto Bajo Nivel de Amplificación de SeñalDe alta frecuencia Amplificador / mezcladorOsciladorMuestra-y-HoldMuy baja capacitancia Switches

Especificaciones:Fuente de tensión: -25 VCorriente actual: 10 mATemperatura de almacenamiento: -55 a 150 ºCTemperature de juntura: -55 a 150 CTemperatura de plomo: 300 ºCPotencia de disipación: 350 mW

Transistor bipolar de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es exactamente igual al de los transistores comunes, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

-Bipolar.

-Unipolar o FET

-IGBT.tipo NPN TO-220

Ficha

técnica

Transistor bipolar de potencia, tipo NPN, Ic 3 A max.continua, Vceo 100 V min., hFE 25 min @ Ic 1 A, fT 3 MHz min., Pd 40 W. Encapsulado TO-220 AB. Usos: Propósito general.

Consumo nominal: (no aplica)Consumo en espera: (no aplica)Color: negroPeso: 2.6 grm

Transistor -

NPN

Los transistores NPN son en su gran mayoría los más utilizados en el mercado tecnológico, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los huecos en los semiconductores.

P2N2222A

Ficha

técnica

Descripción: Este es el P2N2222A, un BJT NPN de silicio (Bipolar Junction Transistor). Este pequeño transistor puede ayudarle en su proyecto al ser utilizado para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificación o aplicaciones de conmutación. El P2N2222A está específicamente una potencia de 40V y 600mA máx.