UNIVERSIDAD PRIVADA
TELESUP CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA
ESTUDIANTE: CRISTIAN ALONSO
PERALTA GUZMÁN
SEDE: TRUJILLO
Transistor JEFT
Número de Parte: BC548
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5
Tensión colector-base (Ucb): 30
Tensión colector-emisor (Uce): 30
Tensión emisor-base (Ueb): 5
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia —ancho de banda (ft): 300
Capacitancia de salida (Cc), pF: 6
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Empaquetado / Estuche: TO92
Fuente: http://www.goldmine-elec-
products.com/prodinfo.asp?numb
er=G15045
TRANSISTOR MOFET
Número de Parte: IRF840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125
Tensión drenaje-fuente (Uds): 500
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
Corriente continua de drenaje (Id): 8
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 1500
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.85
Empaquetado / Estuche: TO220 http://www.electronicrepai
rguide.com/mosfet-
testing.html
TRANSISTOR IGBT
Número de Parte: RJH60F5DPK
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc):
Tensión colector-emisor (Uce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 1.37V
Tensión emisor-compuerta (Ueg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 80A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación: 85
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO3P
http://http://www.tme.eu/e
n/katalog/igbt-
transistors_112840/
TRANSISTOR TDT
Número de Parte: IRFP064N
Tipo de TDET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200
Tensión drenaje-fuente (Uds): 55
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
Corriente continua de drenaje (Id): 110
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr):
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 4000
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.008
Empaquetado / Estuche: TO247
httphttp://www.ebay.com/it
m/2SA1012-
TRANSISTOR-A1012-
2SA-1012-TO-220-
/321448250761
TRANSISTOR DE
POTENCIA Número de Parte: 2N222 POTENCIA
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.07
Tensión colector-base (Ucb): 15
Tensión colector-emisor (Uce): 12
Tensión emisor-base (Ueb): 0
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 85
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia —ancho de banda (ft): 0.4
Capacitancia de salida (Cc), pF: 70
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Empaquetado / Estuche: TO1http://david-electronica-
itca.blogspot.com/p/comp
onentes-de-la-
electronica.html
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