Catálogo de semiconductores

Alumna: Rebeca Mena Flores Sección: 5-9

Diodo Rectificador

Características• Trabajan tanto en polarización inversa

como en directa. • Diseñados especialmente para convertir

CA en CC.• Se dividen en diodos de señal y diodos

de potencia.

precio 1N4004 ¢501N4007 ¢100

Diodo ZenerCaracterísticas• si se le aplica una corriente

 del ánodo al cátodo  (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico, pero si se le suministra corriente  de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante.

• se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.

Precio 5,6 V ¢250

Diodo túnel Características• Se denominan también diodos

Esaki.• Poseen una zona de agotamiento

extremadamente delgada.• En la curva V-I tiene una región de

resistencia negativa.

Precio¢60 a ¢100

Diodo LED

características• Hechos generalmente de arseniuro

de galio fosfatado (GaAsP).• Emiten una luz continua o

intermitente cuando se polarizan directamente.

• Se utilizan principalmente como indicadores y para la construcción de visualizadores.

• Bajo ciertas condiciones, pueden también actuar como detectores de luz.

Precio ¢45 a ¢250

Fotodiodo Características• Diodo provisto de une ventana

transparente cuya corriente inversa puede ser contralada regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN.

• Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas.

Precio ¢80 a ¢100

Transistores

Dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

BJT

Características• Formado por dos uniones

PN de cristal semiconductor.• Se usan en electrónica

analógica primordialmente.• Esta formado por 3

regiones: Base, colector, emisor.• En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.Precio

¢ 250

JFET (Junction Field Effect Transistor)

Características• Se basan en el campo eléctrico

para controlar a un semiconductor.• Tiene 3 terminales llamadas: Puerta, drenador y fuente.• La puerta es la equivalente a la

base en un BJT.• Los transistores de efecto de

campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.

Precio¢80 a ¢100

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)

Características• Su nombre en realidad es

transistor de campo metal-óxido-semiconductor.

• Es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).

• Existen dos tipos en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.

Precio¢150 a ¢200

Tiristores

Dispositivo semiconductor que consta de cuatro capas parecidas a las de un diodo, es decir, con estructura pn. Tiene tres uniones, una pn, otra np, y otra pn. Así también tres terminales (ánodo, cátodo, compuerta).

SCRCaracterísticas• Esta formado por 3 uniones PN.• Su conducción entre ánodo y

cátodo es controlada por la puerta.• Es unidireccional en el caso de la

corriente.• Funciona como rectificador y

amplificador.• Es un interruptor casi ideal.• Es un amplificador eficaz.Precio

¢150 a ¢300

TRIACCaracterísticas:• Su nombre es: tríodo para corriente

alterna.• La diferencia es que este es

bidireccional.• Su disparo se realiza aplicando una

corriente a la puerta.• Funciona como interruptor estático

o electrónico.• Los de baja potencia se utilizan

como atenuador de luz.

Precio¢1300 de 4A

DIACCaracterísticas:• conduce cuando haya superado su

tensión de disparo.• La mayoría de los DIAC tiene una

tensión de disparo de 30 V.• Posee dos terminales el ánodo y el

cátodo.• Su uso específico (primordialmente)

es disparar los TRIACS.• Conduce en los dos sentidos de sus

terminales, o sea, bidireccional.

Precio¢60 a ¢150

IGBTCaracterísticas:• Su nombre es transistor bipolar de

puerta aislada.• Posee las características del FET

pero en alta corriente y baja saturación del BJT.

• Usado en aplicaciones de alta y media energía en fuentes conmutadas.

• Dispositivo de conmutación en sistemas de alta tensión.

Precio¢15 a ¢150

FIN