Los circuitos integrados

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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

PROCESO DE FABRICACIÓN

ÍNDICE

I. Fabricación de la obleaII. Oxidación térmica III. Proceso de dopadoIV. Fotolitografía V. Eliminación de película delgada VI.Deposición de película delgada VII.Secuencia

de procesos CMOS (flujo de procesos)

FABRICACIÓN DE LA OBLEA

La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos:• Refinado del silicio.• Crecimiento del cristal: Método de Czochralski.• Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede

incrementarse con el diámetro de la oblea).

ÍNDICE

OXIDACIÓN TÉRMICA

Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se formará una capa delgada de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie expuesta.

ÍNDICE

PROCESO DE DOPADO

La difusión de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al gradiente de la concentración de dopantes presentes y a la energía térmica del proceso

ÍNDICE

FOTOLITOGRAFÍA

Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que deben ser afectadas por un proceso de fabricación determinado.

ÍNDICE

ELIMINACIÓN DE PELÍCULA DELGADA

ÍNDICE

DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA

Son los métodos utilizados para depositar películas delgadas de materiales como aislante, conductor o semiconductor en la superficie de la oblea

ÍNDICE

SECUENCIA DE PROCESOS CMOS (FLUJO DE PROCESOS)

ALEJANDRA JUÁREZ SANTIAGO

ELABORADO POR: