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JOSE DANIEL ALVAREZ ROBERTO MORA ELECTRONICA DE POTENCIA
description
trabajo de potencia II
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J O S E D A N I E L A L V A R E Z
R O B E R T O M O R A
ELECTRONICA DE POTENCIA
DIODO DE POTENCIA
Elemento que permite el flujo de corriente en un solo sentido.
Permite mayores corrientes
Soporta voltajes inversos elevados
Funcionan como interruptores en una sola dirección
Diferentes clases de diodos dependiendo sus tiempos de recuperación
DIODO DE POTENCIA
VENTAJAS
Alta tensiones de ruptura
Corrientes elevadas de conducción
Dependiendo la aplicación existe una gran gama de diodos
DIODO DE POTENCIA
DESVENTAJAS
En existe tiempos de transición o también llamados de recuperación (pequeños o altos) y estos dependen del tipo de diodo que estemos utilizando
Tiristores
Semiconductor que trabaja en estado de conmutación (ON-OFF)
Dependiendo la aplicación se clasifican en :
SCR
TRIAC
GTO
SCR
Es un tipo de tiristor que trabaja en ON-OFF en forma unidireccional en el semiciclo positivo (180 grados) que controla altas potencias
Soporta altas tensiones inversas Permite circulación de altas corrientes Contiene un pin más que el diodo de señal llamado gate que permite el
control del SCR Para conducir necesita polarización directa y que exista un disparo en el
gate Para que deje de conducir la corriente tiene q disminuir mas allá del valor
mínimo de mantenimiento Diferentes tipos de disparo
Tensión excesiva Impulso de puerta Derivada de tensión Temperatura Luz
SCR
VENTAJAS
Soporta altas tensiones inversas
Disparo por corriente
No es complejo el circuito de mando
SCR
DESVENTAJAS
Altas pérdidas en conmutación
TRIAC
Tiristor que funciona en ambas direcciones (360 grados)
Conexión de dos diodos en paralelo
Fácilmente trabaja en corriente
TRIAC
VENTAJAS
Fácilmente trabaja en corriente alterna
Puede encenderlo tanto con corrientes positivas como negativas
TRIAC
DESVENTAJAS
Trabaja en baja frecuencia y baja tensión
GTO
Es un tipo de tiristor que tiene la capacidad de bloquear externamente
Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y voltajes en el orden de los KV
Mecanismo de disparo similar al del SCR
Un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones inversas
Es mas caro que un SCR
Rango de tensiones y corrientes son más pequeños con respecto al SCR
GTO
VENTAJAS
Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y voltajes en el orden de los KV
GTO
DESVENTAJAS
Altas pérdidas en conmutación
Alta complejidad del circuito de mando
Es mas caro que un SCR
Transistor Bipolar de Potencia
Es un transistor de potencia que funciona como interruptor controlado por corriente
Fáciles de controlar por el terminal de base
Poca ganancia con v/i grandes
Baja caída de tensión en saturación
Solo interesa hacerlos funcionar en 2 estados corte y saturación
Utiliza para frecuencias y potencias medias
Bastante económicos
Transistor Bipolar de Potencia
VENTAJAS
Baja caída de tensión en saturación
Bastante económicos
Fáciles de controlar por el terminal de base
Transistor Bipolar de Potencia
DESVENTAJAS
Poca ganancia con v/i grandes
Alta complejidad del circuito de mandoAS
MOSFET
Transistores controlados por tensión
Facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta
Existen de canal n y p. Los n son los más comunes
Los de canal n presentan menores perdidas y mayor velocidad de conmutación
Potencia que se puede manejar es bastante reducida
Resistencia en conducción varia mucho con la temperatura
MOSFET
VENTAJAS
Los de canal n presentan menores perdidas y mayor velocidad de conmutación
Muy bajas pérdidas en conmutación
MOSFET
DESVENTAJAS
Potencia que se puede manejar es bastante reducida
Resistencia en conducción varia mucho con la temperatura
IGBT
Transistor hibrido que aprovecha características del MOSFET
Funciona a centenas de Khz en componentes para corrientes en el orden de las decenas de amperios
Soporta tensiones elevadas
El control es similar al de los MOSFET
La velocidad de trabajo no es tan elevada como la de los MOSFETs
El accionamiento se hace por tensión
Alta impedancia de entrada
Bajas perdidas de conducción en estado activo
IGBT
VENTAJAS
Tiene muy baja complejidad de circuito
Alta impedancia de entrada
Bajas perdidas de conducción en estado activo
IGBT
DESVENTAJAS
Baja potencia del circuito de mando
Altas perdidas en conmutacion
