If3 analogicos

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Informe FINAL #3Experiencia: El Transistor Bipolar: Polarización y Ganancia

Curso: IT144Docente: Albuquerque Guerrero

Integrantes:

Alipio Rodríguez Eisson Xabier 20072518K

Quispe Guevara Luis Felipe 20091120I

Castillo Berrocal Karine 20071035F

Bendezu Zavaleta Henry 20091027I

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

1. PRESENTAR LAS MEDICIONES EFECTUADAS EN CADA CIRCUITO DIBUJANDO EN UNA HOJA COMPLETA, CON EL DISEÑO ORIGINAL.

a.- Para la Primera Experiencia (Figura 1)

Análisis en DC

Circuito Original:Rc= 3.286kRe=0.198kR1=21.51kR2=56K

Ckto.Origin

al

R2=56k R2=3.3k Rc=0

Vb 0.94 1.43 1.08 3.65

Ve 0.29 0.71 0.40 4.11

Vc 7.37 1.68 5.97 11.99

VCEQ 7.08 0.97 5.57 7.89

Ic 1.43 mA 3.13 mA 1.83 mA 20.55

ANALISIS EN AC:

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Cto original Sin C en emisor

Vi(mV) 63mv 69.3mV

Vo(mV) 2.05 v 0.52

Av 32.54 7.50

En la experiencia realizada para hallar la ganancia del Transistor,

hemos comprobado que cuando usamos el circuito original

(Ce>0) obtenemos mayor ganancia que el circuito con Ce=0,

pero también se observa que obtenemos mayor estabilidad en el

transistor con Ce=0.

CIRCUITO # 2:

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Cto original Sin C en emisor

Vi(mV) 55.3 mV 60.67 mV

Vo(mV) 0.58 v 208.17 mV

Av 10.48 3.43

2. Dibujar las rectas de carga a partir de la tabla. Llenada en una sola hoja para poder hacer comparaciones.

Ckto.Origin

al

R2=56k R2=3.3k Rc=0

VCEQ 7.08 0.97 5.57 7.89

Ic 1.43 mA 3.13 mA 1.83 mA 20.55

Ic(ma

x)

3.44 3.44 3.44

Para el caso 1 (Circuito Original)

pág. 4


RDC= RC + RE = 3.484 kVcc = 12 VIC max(DC) = Vcc/RDC = 3.44 mATenemos el Gráfico de la recta de carga :

Para el caso 2 (R2 = 56 k ) RDC= RC + RE = 2.20kPara el circuito originalICQ = 5.40 mA. VCEQ = 0.16 V.

Vcc = 12 V

IC max(DC) = Vcc/RDC = 5.45 mA

Tenemos el Gráfico de la recta de carga :

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Para el caso 3 (R2 = 3.3k )

RDC= RC + RE = 2.20k

Para el circuito original

ICQ = 0.22 mA. VCEQ = 11.58 V.

Vcc = 12 V



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Para el caso 4 (RC = 3.3k )

RDC= RC + RE = 4.31k


ICQ = 2.70 mA. VCEQ = 0.1 V.

Vcc = 12 V



pág. 7


Para el caso 5 (RC = 0k )

RDC= RC + RE = 1k


ICQ = 3.10 mA. VCEQ = 8.90 V.

Vcc = 12 V



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3. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de las rectas de carga DC.

Para el circuito originalEl punto de operación (Punto Q) en el circuito original se encuentra en centro de la recta de carga (en la región activa), el cual origina la Máxima Excursión Simétrica posible y el transistor se comporta como amplificador.

Para R2=56KEl punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo izquierdo de la recta de carga (en la región de saturación), el cual el transistor se comporta como conmutador.

Para R2=3.3KEl punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo derecho de la recta de carga (en la región de corte), el cual el transistor se comporta como conmutador.

Para Rc=3.3KEl punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo izquierdo de la recta de carga (en la región de saturación), el cual el transistor se comporta como conmutador.

Para RC=0KEl punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo derecho de la recta de carga (en la región de corte), el cual el transistor se comporta como conmutador.

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4. TRAZAR NUEVAMENTE LA RECTA DE CARGA DC Y AC, VERIFICAR LA VO MÁXIMO SIN DISTORSIÓN, EXPLICAR.

Vemos que la máxima amplitud de Vo es aproximadamente 5 V, y si calculamos es : Vo max = 2.Icq.(RC//RL) = 7,46 V

Hay un margen de error es tal vez debido al generador que hemos utilizado por ser poco calibre al aumentar el valor de la entrada Vi.

7. EXPLICAR LA CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN, LOS VALORES ESPERADOS Y LAS APLICACIONES DE ELLA.

La configuración colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de salida, que lo opuesto a las configuraciones de base común y de emisor común.Las configuraciones del circuito colector común se muestra que la resistencia de emisor esta a tierra, y el colector esta conectado a tierra aun cuando el emisor esta conectado de manera similar a la configuración de emisor común. Los limites de operación. Para cada transistor existe una región sobre las características, la cual asegurara que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de salida se exhibe una distorsión mínima.

Los limites de operación :

7.5 A. IC 200 mA.0.3 v. VCE 30 v.

VCE.IC 650 mW.

8. Observaciones y conclusiones:

La región activa directa corresponde a una polarización directa de la unión emisor base y a una polarización inversa de la unión colector.

Concluimos también que la región activa inversa corresponde a la polarización inversa de la unión emisor base y a una polarización directa de la unión colector base.

Observamos que la región de corte que hemos observado en el laboratorio es verificado teóricamente donde corresponde a una polarización inversa de ambos uniones del transistor. Donde Ic se aproxima al valor de cero.

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Y concluimos también que la región de saturación corresponde a la polarización directa de ambas uniones del transistor. Donde el valor de VCE se aproxima a cero cosa que ya lo hemos verificado en las preguntas 2 y 3 donde hemos calculado los valores de corte y de saturación para el transistor.

Observamos que los capacitadores de acoplamiento que son C1 y C2 sirven para prevenir las interacciones de DC entre etapas adyacentes, estos capacitadores son circuitos abiertos en DC y corto circuito para señales AC.

Observamos también que hay un capacitadores de paso que es Ce que sirve para poner en corto a una resistencia RE.

pág. 11


Bibliografía:

Libros:

Dispositivos y Circuitos ElectrónicosJacob Millman / Christos C. Halkias

Circuitos Electrónicos : Discretos E IntegradosDonald L. Schilling / Charles Belove

Saber Electrónica (Edición Andina)Revista mensual publicada para los distintos países.N de Colección: 10, 34

Tu Futuro es la ElectrónicaCurso Básico de Electrónica Aplicada (Colección CEKIT).28 fascículos coleccionables de publicación semanal.

Aplicaciones y Manejo del MultitesterVíctor Rolando Villanueva

ECG - Semiconductors Master Replacement Guide

Web:

http://www.detectores.com.ar/ http://en.wikipedia.org/wiki/

Bipolar_junction_transistor

pág. 12


http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-ECSE-6290_SDM-2/1BJT-2Basics.pdf

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC548B.pdf

pág. 13

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