Memorias resumida 2013_ii

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOSFAC. DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

NOTAS DEL CURSO DECIRCUITOS DIGITALES II

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

Profesor: Guillermo Tejada Muñoz. Fecha: setiembre del 2012

Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muñoz

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__________ DEFINICIONES ____________

Memoria semiconductora: Dispositivo LSI y VLSI que almacena gran cantidad de información en números binarios.

Celda de memoria: Dispositivo semiconductor o circuito eléctrico utilizados para almacenar un sólo bit de información ( 0 ó 1). Ejemplo: un FF, un capacitor.

Palabra de memoria: Son agrupaciones de 4 bits, 8 bits, 16 bits, etc.

Byte: es una palabra de 8 bits.

Capacidad de memoria: Número total de bits que es capaz de almacenar una memoria.

Ejemplos:.

Memoria de 1Kx32 (1024 palabras de 32 bits cada una), equivale a tener una capacidad de 1024 x 32 bits=32768 bits o celdas de memoria.

Memoria de 1Mbyte (1048526 palabras de 8 bits cada una), equivale a tener una capacidad de = 8388208 bits o celdas de memoria.

Densidad: Número de bits almacenados por unidad de espacio.

Dirección: Número binario que identifica la ubicación de una palabra.

3Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muñoz


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CÓMO CARGAR Y RETIRAR CARGA DE LA PUERTA FLOTANTE


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SRAM - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY


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CELDA SRAM


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CARACTERÍSTICAS MEMORIA SRAM


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CICLO DE LECTURA SRAM


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CICLO DE ESCRITURA SRAM


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DRAM - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY


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CARACTERÍSTICAS MEMORIA DRAM


CELDA DRAM


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ORGANIZACIÓN INTERNADEL CHIP


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CICLO DE LECTURA DRAM


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CICLO DE ESCRITURA DRAM


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Memoria 64KB con pines de datos en paralelo

Memoria 64KB con pin de dato en serie


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EJEMPLO DE CONEXIÓN CON MEMORIA SERIE


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EJERCICIOS 1. Describa, con esquemas del sustrato semiconductor, el proceso de almacenamiento y borrado de datos en una celda de memoria: FAMOS, FLOTOX y FLASH. 2. De acuerdo a la figura 1: (a) Determine el rango de direcciones que el CPU necesita enviar para leer toda la información del módulo 2 de memoria. ( b ) ¿Qué modificaciones haría en el circuito si se adicionan dos módulos? ( c ) ¿Cuántas líneas de dirección se necesitarán si las memorias fueran de 1Gigax 8?

Fig. 1 – Ejercicio 2


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3. Muestre cómo se puede organizar con módulos de memorias de 16Kx1 una capacidad de 64Kx8. 4. Utilizando memorias y otros circuitos que considere necesarios, diseñe un circuito lógico que controle tres display de 7 segmentos para que progresivamente aparezca letra por letra la palabra FIE y desaparezca del mismo modo. La secuencia se muestra en la Fig. 2. Cuando se llega a la secuencia mostrada en (a6) se debe repetir nuevamente las secuencias desde ( a1 ). Especificar el tamaño y contenido de la(s) memoria(s).


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5. Cierta memoria tiene una capacidad de 1 Gigax32bits, responder: a) ¿Cuántas palabras puede almacenar?, b) ¿Cuál es el número de Bytes de cada Palabra?, b) ¿Cuál es el número de líneas de dirección?, c) ¿Cuál es el número de líneas de datos?, d) ¿Cuántas celdas posee?. 6. Encontrar las palabras que se tienen que grabar en la PROM que se muestra en la figura 3, si se desea obtener por D2 y D5 la formas de ondas mostradas. También encontrar el valor de T de la señal del clock. (5 pts.)

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