TIPOS DE MEMORIA Y FUNCIONAMIENTO

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO «SANTIAGO MARIÑO»SEDE – BARCELONA

ESCUELA – ING. ELECTRONICA

Profesor:Carlos Hernández

Bachiller:Alfaro, Luis. C.I 26.070.463

Sección: EV

Barcelona, marzo del 2016.

MEMORIAS

RAM MEMORIA DE LECTURA/ESCRITURA

DinámicaEstática

ROMMEMORIA DE SOLO LECTURA

Memorias borrablesMemorias

permanentes

EPROMEEPROMFLASH

ROM borrableM-RomPROM

ROM permanente

Memoria RAM

se actualiza constantemente

mientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos

cuando el ordenador se apaga.

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador entonces efectúa accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos.

RAM (Random Access Memory), o memoria de acceso aleatorio sus velocidades de lectura y escritura son muy similares, son utilizadas en proceso de alta velocidad donde los datos pueden perderse al momento de cortar la energía. Las Non volátil RAM son menorías RAM que incorporan una batería que previene la pérdida de los datos, pero obviamente tiene un límite la batería.

Funcionamiento

Memoria ROMLa memoria ROM viene incorporada a la motherboard y es utilizada por la PC para dar inicio a la BIOS, lo cual es básicamente un programa que posee las instrucciones

adecuadas para guiar a la computadora durante el arranque.

Necesita recorrer todos los datos hasta hallar la información que está buscandoSe utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.

Almacena en forma permanente los

microprogramas que realizan las funciones

primarias de la PC.Es permanente; lo que

contiene no desaparece al apagar el ordenador.

El usuario puede leer ( y ejecutar ) los programas

de la memoria ROM, pero nunca puede escribir en la

memoria ROM otros programas de los ya

existentes. os programas

almacenados en los chips ROM son inmodificables.

FUNCIONAMIENTO

Memoria EPROMLas EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.

MEMORIA EEPROM

• las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS)

Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.

• Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.

• La EEPROM también se conoce como “non-volatile memory” o memoria no volátil y es debido a que cuando se desconecta la energía, los datos almacenados en la EEPROM no serán eliminados quedando intacto

Al ser una pieza que se puede gestionar por estos impulsos eléctricos, podemos realizar todas estas operaciones de reprogramación sin tener que desconectarla de la placa a la cual va conectada.

Memoria FLASH

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG (Floating

Gate), modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría CG (control Gate) en

caso de estar activo

Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente:

usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un

túnel de ‘soltado’.

las memorias flash basadas en NOR permiten lectura de

acceso aleatorio

Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de

electrones que almacenan.

permiten un número limitado de escrituras y borrados,

generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda,

de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje

necesario para su borrado.

La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.

Memoria PROM

tiene un solo modo de funcionamiento ya que es de sólo lectura

• los contenidos pueden ser leídos pero no modificados por un programa de usuario.

Sus contenidos no se construyen, como la ROM

• directamente en el procesador cuando éste se fabrica, sino que se crean por medio de un tipo especial “programación”

El proceso de programación es destructivo

• una vez grabada, es como si fuese una ROM normal.

También se podría decir, que la PROM es un tipo de memoria de sólo lectura (ROM) que permite ser grabada con datos mediante un hardware especial llamado programador de PROM.Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. Las operaciones muy importantes o largas que se habían estado ejecutando mediante programas, se pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una pastilla de memoria programable sólo de lectura.