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El panel solar Gadir a-SiR está fabricado utilizando silicio amorfo. Empleando las técnicas de fabricación más modernas, que presentan ventajas evidentes con respecto a otras tecnologías. Uso más eficiente del silicio: En su fabricación se emplea un 99% menos de silicio respecto de las cantidades utilizadas para la fabricación de módulos cristalinos. Esto se traduce en un retorno energético de los paneles producidos significativamente más alto que el de cualquier otra tecnología. Mayor producción de energía: Debido a su bajo coeficiente de temperatura y a un mejor rendimiento en condiciones de luz difusa los paneles de silicio amorfo, a igualdad de potencia instalada, presentan una mayor producción de energía. Estas características hacen que este panel sea especialmente apropiado para su instalación en regiones con climas templados, así como en cubiertas y fachadas que no presenten una orientación óptima con respecto al sol. El panel Gadir a-SiR se fabrica bajo rigurosos controles de calidad en una fábrica puntera con tecnología proporcionada por la empresa suiza OERLIKON, aplicando una tecnología basada en la deposición plasmática de una fina capa de Silicio Amorfo. 2 años de garantía, a contar desde la fecha de entrega libres de defectos en los materiales o de fábrica. Garantía de potencia: 90% de su valor nominal durante los 10 primeros años y del 80% de acuerdo con los términos de la garantía. Certificación TÜV, IEC 61646, IEC 61730 y seguridad clase II. garantías la fábrica La planta, ubicada en la Bahía de Cádiz, ESPAÑA, funciona desde otoño de 2009, con una producción anual programada de 40 MW. módulo fotovoltaico Gadir a-SiR de capa fina DE00005.01 0 0 0 0 0 2 5 8 5 4 Qualified, IEC 61646 Safety tested, IEC 61730 Periodic Inspection

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Page 1: módulo fotovoltaico Gadir a-SiR de capa fina SIR FICHA MODULO... · de una fina capa de Silicio Amorfo. • 2 años de garantía, a contar desde la fecha de entrega libres de defectos

El panel solar Gadir a-SiR está fabricado utilizando silicio amorfo. Empleando las técnicas de fabricación más modernas,

que presentan ventajas evidentes con respecto a otras tecnologías.

Uso más eficiente del silicio: En su fabricación se emplea un 99%

menos de silicio respecto de las cantidades utilizadas para la fabricación

de módulos cristalinos. Esto se traduce en un retorno energético de los

paneles producidos significativamente más alto que el de cualquier otra

tecnología.

Mayor producción de energía: Debido a su bajo

coeficiente de temperatura y a un mejor rendimiento en

condiciones de luz difusa los paneles de silicio amorfo,

a igualdad de potencia instalada, presentan una mayor

producción de energía.

Estas características hacen que este panel sea

especialmente apropiado para su instalación en

regiones con climas templados, así como en

cubiertas y fachadas que no presenten una

orientación óptima con respecto al sol.

El panel Gadir a-SiR se fabrica bajo

rigurosos controles de calidad en

una fábrica puntera con tecnología

proporcionada por la empresa suiza

OERLIKON, aplicando una tecnología

basada en la deposición plasmática

de una fina capa de Silicio Amorfo.

•2 años de garantía, a contar desde la fecha de entrega libres de defectos en los materiales o de fábrica.

•Garantía de potencia: 90% de su valor nominal durante los 10 primeros años y del 80% de acuerdo con los términos de la garantía.

•Certificación TÜv, IEC 61646, IEC 61730 y seguridad clase II.

garantías

lafábrica

La planta, ubicada en la Bahía de Cádiz, ESPAÑA, funciona

desde otoño de 2009, con una producción anual programada

de 40 MW.

módulo fotovoltaico Gadir a-SiR de capa fina

DE00005.01

0000025854

Qualified, IEC 61646Safety tested, IEC 61730Periodic Inspection

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Cristal delantero

Tipo de célula

Encapsulado

Cristal trasero

Marco

Vidrio flotante 3,0-3,4 mm

Unión simple a-SI PIN con reflector

Polivinil de Butiral (PVB)

Vidrio templado pintado de 3,2 mm

Sin marco

característicasdelpanel

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Corr

ient

e (A

)

0 20 40 60 80 100 120 140

Tensión (V)

Irrad. 1000 W/m2

Cell Temp = 10ºC Pmpp= 84 WCell Temp = 25ºC Pmpp= 82 WCell Temp = 40ºC Pmpp= 79 WCell Temp = 55ºC Pmpp= 76 WCell Temp = 70ºC Pmpp= 73 W

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.00 20 40 60 80 100 120 140

Temp Cell= 25º CIrrad. Incidente = 1000 W/m2

Irrad. Incidente = 800 W/m2

Irrad. Incidente = 600 W/m2

Irrad. Incidente = 400 W/m2

Irrad. Incidente = 200 W/m2

Corr

ient

e (A

)

Tensión (V)

estructuradelpanel

Características eléctricas*

Potencia máxima (Pmax)

Tensión para máxima potencia (Vpm)

Corriente para máxima potencia (Ipm)

Tensión en circuito abierto (Voc)

Corriente en cortocircuito (Isc)

Tensión máxima del sistema (Vdc)* En condiciones STC: 1.000W / m2;

AM=1,5; T=25°C

Características térmicas

Rango de temperatura

Coeficiente de temperatura de Isc

Coeficiente de temperatura de Vsc

Coeficiente de temperatura de Pmpp

Coeficiente de temperatura de Impp

Coeficiente de temperatura de Vmpp

Dimensiones y peso

Longitud

Anchura

Grosor

Peso

1.300 ± 1 mm

1.100 ± 1 mm

7,2 mm

25,5 kg

CADMOS + GADIR SOLAR • C/ velázquez 19, 2ºD. 28001 Madrid. Spain • T +34 956 01 39 30 . f +34 956 01 39 32 • [email protected]

1100 ±1.0

1300

±1.

0

15

15

523.5 53

130.

580

0

Ø2.5

Caja de conexión

Conectores

Modelo GADIR a-SIR

GADIR a-SiR.70

GADIR a-SiR.75

GADIR a-SiR.80

GADIR a-SiR.85

GADIR a-SiR.90

GADIR a-SiR.95*

GADIR a-SiR.100*

70

75

80

85

90

95

100

92,1

94,3

96,1

97,7

99,4

101,1

103,1

0,76

0,80

0,83

0,87

0,91

0,94

0,97

129,0

132,0

134,5

136,5

137,2

137,5

137,6

0,94

1,01

1,06

1,10

1,15

1,20

1,22

91,32

97,62

103,92

110,22

116,52

123,50

129,87

96,0

101,0

104,0

107,0

109,0

111,0

112,0

0,95

0,97

1,00

1,03

1,07

1,11

1,14

136,5

138,5

141,0

142,2

142,8

143,0

143,0

0,98

1,05

1,09

1,13

1,18

1,23

1,25

Pmpp(2) Vmpp  Impp    Voc     Isc     Pmpp   Vmpp  Impp    Voc     Isc                     INI       INI      INI     inicial  inicial

(1) Garantía en condiciones STC: 1000 W/m2; AM=1,5; T=25ºC(2) Tolerancia Pmpp ±2,5 Wp.(*) Certificación TüV en curso.

(3) Las gráficas I-V muestran valores característicos.

(3) (3)

Valores Estabilizados(1) Valores Iniciales

CapaFina

CristalConexión frontal

Material PvConexión trasera

LaminaciónCristal

vISTA fRONTAL vISTA POSTERIOR

80 W

105 V

0,76A

134 V

1,0 A

1.000V

-40°…85°C

+0,04 %/K

- 0,28 %/K

- 0,21 %/K

+0,09 %/K

- 0,29 %/K

Características térmicas

Rango de temperatura

Coeficiente de temperatura de Isc

Coeficiente de temperatura de Voc

Coeficiente de temperatura de Pmpp

Coeficiente de temperatura de Impp

Coeficiente de temperatura de Vmpp

CAjA DE CONExIóN