UNIVERSIDAD DE SONORADIVISION DE INGENIERIA

INGENIERIA MECATRONICA

Electrónica Industrial

Practica 3

Saturacion del transistor BJT(Simulacion)

Integrantes:

Ramón Alberto Aragón Córdova

Christopher Norman Bell Gomez Torrez

Raul Guerrero Machiche

Julio Cesar Tapia Romero

Dra. Maria Elena Anaya PérezEncargada de la materia

Hermosillo, Sonora 28 de septiembre de 2015

Actividades.

a) Determinar los parámetros del transistor TIP41 y proponer una

resistencia de carga Rc de acuerdo a las especificaciones del DataSheet

del transistor.

b) Simular en livewire, PSIM o Multisim.

c) Entregar reporte de acuerdo a como se ha requerido.

Introduccion

Los transistores de potencia tienen características controladas de activación y

desactivación. Los transistores, que se utilizan como elementos conmutadores,

se operan en la región de saturación, lo que da como resultado en una caída de

voltaje baja en estado activo. La velocidad de conmutación de los transistores

modernos es mucho mayor que la de los tiristores, por lo que se utilizan en

forma amplia en convertidores ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en

paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Los

transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro

categorías:

1. Transistores bipolares de juntura (BJT)

2. Transistores semiconductores de metal de oxido de efecto de campo

(MOSFET)

3. Transistores de inducción estatica (SIT)

4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

Los BJT o MOSFET, SIT o IGBT se pueden tratar como interrumtores

ideales. un transistor interruptor es mucho mas simple que un tiristor

interruptor de conmutación forzada. Sin embargo, en los circuitos de

convertidores no es obvia la elección entre un BJT y un MOSFET, ya que

cualquiera de ellos puede reemplazar a un tiristor, siempre que su

especificación de voltaje y corriente cumpla con los requisitos de salida del

convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos ideales. Los

transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas

aplicaciones.

Marco teórico

En un transistor exiten tres regiones de operación: de corte, activa y de

saturación. En la región de corte, el transistor esta desactivado a la corriente

de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarización

inversa. En la región activa, el transistor actua como amplificador, donde la

corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje

colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unión colectora base

tiene polarización inversa, y la base emisor polarización directa. En la región

de saturación, la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje

colector-emisor sea bajo, y el transistor actua como interruptor.

Figura 1. Caracteristicas de los transistores NPN

Figura 2. Caracteristicas de transferencia.

Desarrollo.

Primero se busco la hoja de datos del transistor TIP41 y se abtuvo lo siguiente.

Se busca las especificaciones que se tienen en saturación y se observa que

Ic = 6Acd, Ib = 600 mAdc, Vce(sat) = 1.5V y hfe= 15-75

Figura 3. Caracteristicas del transistor TIP41.

Figura 4. Region de saturacion del colector.

Figura 5. Simulacion en Livewire.