TallerIntroduccin a la construccin del diodo de uninParte I.1. Qu efecto se produce en los enlaces covalentes del cristal de Silicio (Silicio intrnseco) por el aumento de la temperatura?2. Qu es la recombinacin, en el contexto de la operacin del cristal de Silicio?3. Qu significa que n = p = ni en un cristal de Silicio?4. Calcule la cantidad de electrones libres o huecos, en un cristal de Silicio, a 250 K, 300 K y 350K.5. Segn Sedra, por qu el Silicio es llamado un semiconductor.

Parte II.1. Qu es un semiconductor dopado o semiconductor extrnseco?2. Qu es un semiconductor tipo n y un semiconductor tipo p?3. Qu significa que nn0 = ND en un sustrato tipo n?, Qu diferencia tiene esta igualdad con respecto a un sustrato de semiconductor intrnseco?, Qu importancia representa esta igualdad en las caractersticas elctricas de un semiconductor extrnseco?4. A qu es igual la concentracin de huecos en un sustrato tipo n?, deja de depender la cantidad de huecos en un sustrato tipo n de la variable temperatura?5. Considere un material de Silicio tipo n con ND de 1017 donadores/cm3. Encuentre la concentracin de electrones libres y huecos a 250 K, 300 K y 350K.6. Halle la resistividad de un material intrnseco de Silicio y de un material tipo p de Silicio con NA = 1016 aceptores/cm3. Use: ni =1.5*1010 /cm3, para el Silicio intrnseco n=1350 cm2/V*s y p=480 cm2/V*s y para el Silicio extrnseco n=1110 cm2/V*s y p=400 cm2/V*s.