Memorias

Objetivos

Definir las características básicas de las memorias.

Explicar como almacena una memoria los datos binarios.

Describir la operación de escritura.

Describir la operación de lectura

Describir la operación de direccionamiento

Explicar que son las memorias RAM y ROM.

Memoria

La memoria es la parte de un sistema que

almacena datos binarios en grandes

cantidades.

Las memorias semiconductoras están

formadas por matrices de elementos de

almacenamiento que pueden ser latches o

condensadores.

Unidades de datos

Normalmente las memorias almacenan datos

en unidades que tienen de uno a ocho bits.

Algunas unidades son:

Bit

Nibbles

Bytes

Palabras

Características

Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar un 1 o un 0 y se denomina Celda.

La memorias están formadas por matrices de celdas.

1

2

3

4

5

6

7

8

1 2 3 4 5 6 7 8

Matriz 8x8

Celda

Celda

Matrices

1

2

3

4

5

6

7

8

1 2 3 4 5 6 7 8

Matriz 8x8

1

2

3

4

11

12

13

14

15

16

Matriz 16x4

1

2

3

4

59

60

61

62

63

64

Matriz 16x1

Dirección y capacidad La posición de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina dirección.

La capacidad de una memoria es el número total de unidades de datos que puede almacenar.

1

2

3

4

5

6

7

8

1 2 3 4 5 6 7 8

La dirección del bit resaltada en oscuro

corresponde a la fila 5, columna 4

1

2

5

4

3

6

7

8

La dirección del byte resaltada en oscuro

corresponde a la fila 3

Operaciones básicas

Puesto que una memoria almacena datos binarios,

los datos deben introducirse en la memoria y deben

recuperarse cuando se necesiten.

La operación de escritura coloca los datos en una

posición de memoria específica de la memoria.

La operación de lectura extrae los datos de una

dirección específica de la memoria.

Diagrama en bloques de una

memoria

Decodificador

de

direcciones

Matriz de

MemoriaBus de direcciones Bus de datos

Lectura Escritura

Operación de escritura

1 1 0 0 0 0 1 0

1 0 1 0 0 0 1 1

0 1 0 0 1 0 1 0

1 1 1 0 0 0 1 1

1 1 1 0 1 0 0 0

1 0 0 0 1 1 0 1

0 1 1 1 0 0 1 0

1 0 0 0 0 0 0 0

Matriz de memoria organizada en bytes

101

0

1

2

3

4

5

6

7

Registro de

direcciones

Bus de

direcciones

10001101

Registro de

datos

Escritura

Bus de datos

1 2

3

De

co

dific

ad

or

de

dire

ccio

ne

s

Operación de lectura

1 1 0 0 0 0 1 0

1 0 1 0 0 0 1 1

0 1 0 0 1 0 1 0

1 1 0 0 0 0 0 1

1 1 1 0 1 0 0 0

1 0 0 0 1 1 0 1

0 1 1 1 0 0 1 0

1 0 0 0 0 0 0 0

Matriz de memoria organizada en bytes

011

0

1

2

3

4

5

6

7

Registro de

direcciones

11000001

Registro de

datos

Lectura

Bus de datos

1

3

2

De

co

dific

ad

or

de

dire

ccio

ne

s

Clasificación

Las memorias pueden clasificarse

atendiendo a diversos parámetros:

Por el modo de acceso

Por el modo de almacenamiento

Por el tipo de soporte

Por su función o jerarquía

Clasificación

Por el modo de acceso :

Memorias de Acceso Aleatorio.

Memoria de acceso secuencial o serie.

Memoria asociativa.

Clasificación

Por el modo de almacenamiento:

Volátiles

No Volátiles

Clasificación

Por el tipo de soporte:

Semiconductoras

Magnéticas

De papel

Clasificación

Por su función o jerarquía:

Tampón o borrador (LIFO, FIFO)

Central o principal

De masas

Memorias RAM

DRAM

Dinámica

SRAM

Estática

RAM

Memorias SRAM

SRAM

síncrona

por ráfagas

SRAM

asíncrona

SRAM

Celdas de

almacenamiento

mediante flip-flop

Célula típica de SRAM

+VCC

Selección de bit

Datos Datos

Matriz típica de RAM

Buffers de entrada/salida de datos y control

Selección fila 0

Selección fila 1

Selección fila 2

Selección fila n

E/S datos

Bit 0E/S datos

Bit 1

E/S datos

Bit 2

E/S datos

Bit 3

Memorias DRAM

BEDO DRAM

EDO de ráfagas

Asíncrona

EDO DRAM

Salida de datos

extendida

Asíncrona

SDRAM

síncrona

FPM DRAM

Modo página

rápido

Asíncrona

DRAM

Celdas de

almacenamiento

mediante

condensador.

Debe refrescarse.

Célula típica de DRAM

Columna (línea de bit)

Fila

Escritura de un 1

Fila

Refresco

Columna

DOUT

R/W

DIN

Buffer de

entrada

Buffer de

salida/

amplificador

Líneas de bit

BAJO

ALTO

BAJO

ON

+1-

ALTOALTO

Escritura de un 0

Fila

Refresco

Columna

DOUT

R/W

DIN

Buffer de

entrada

Buffer de

salida/

amplificador

Líneas de bit

BAJO

ALTO

BAJO

ON

0

BAJOBAJO

Lectura de un 1

Fila

Refresco

Columna

DOUT

R/W

DIN

Buffer de

entrada

Buffer de

salida/

amplificador

Líneas de bit

BAJO

ALTO

ON

Refresco

Buffer

+1-

ALTO

ALTO

ALTO

Refresco de un 1 almacenado

Fila

Refresco

Columna

DOUT

R/W

DIN

Buffer de

entrada

Buffer de

salida/

amplificador

Líneas de bit

ALTO

ON

Refresco

Buffer

+1-

ALTO

ALTO

ALTO

ALTO

Memorias ROM

ROM

máscara

ROM

También son

memorias de

acceso aleatorio

ROM

programable

(PROM)

PROM

borrable

(EPROM)

EPROMmediante

ultravioleta

(UV

EPROM)

PROMborrable

electricamente

(EEPROM)

Almacenamiento magnético

Cinta

QIC

(Travan)

8 mm

DAT

DLT

Acceso serie

Disco ZIP

extraíble

Disquete

1,44 MBDisco Jazz

extraíble

Disco

Duro

Disco

magnético

Acceso aleatorio

Almacenamiento óptico

Discomagnético-

óptico

CD-ROM CD-R

CD-RW WORMDVD-

ROM

Expansión de memoria

4K

2 bits

12 K

8 bits

01

G3

G2

G1

G0

B0

B1

B2

B3

De

co

dific

ad

or

de

dire

ccio

ne

s

Co

dig

o b

ina

rio

ap

lica

do

a la

s

lín

ea

s d

e e

ntr

ad

as

de

dire

ccio

ne

s

Salidas Código

GRAY