ELECTRONICA BASICACOLABORATIVO 2Trabajo Colaborativo

JACSON JULIAN RODRIGUEZ G

cd. 80547878

Grupo 201419-5UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA

ZIPAQUIRA

NOVIEMBRE 10 2014

1.5. Explicar detalladamente el funcionamiento de los MOSFET de empobrecimiento y de enriquecimiento.EL MOSFET de empobrecimiento tiene un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta.

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente.

El MOSFET de enriquecimiento La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores. Se basa en un canal entre el drenador y surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta.

Mosfet de enriquesimiento (a) canal N, Mosfet de enriquesimiento canal (p)

Observa como la linea del canal en estos transistores se representa como una lnea puntiada.