7/24/2019 Amplificadores de Pequea Seal

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UN IVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA . G UERR ERO-SNCH EZ- RAMIREZ. AMPLIFICA DORES DE PEQUEA SEAL 1

Amplificadores de Pequea SealGuerrero Anderson D., Snchez Oscar L., Ramirez Juan D.

adguerreroc@unal.edu.coolsanchezco@unal.edu.co

Universidad Nacional de Colombia Sede Bogot

I. INTRODUCCIN

El transistor Bipolar BJT, es un dispositivo semiconductorde tres terminales empleado en muchas aplicaciones en difer-entes ramas de la electrnica. Entre una de las tantas aplica-ciones de este dispositivo est el desarrollo de amplificadorespara seales pequeas, este documento centra su enfoque alanlisis y diseo de estos amplificadores al utilizar el transistoren las tres configuraciones bsicas.

II. MARCO TERICOEl diseo de un amplificador utilizando transistores BJT

se basa en el principio de pequeas seales, este principiose aplica debido que el transistor tiene un comportamientono lineal entre la corriente y voltaje. Con el principio depequeas seales es trabaja en una pequea franja sobrela curva donde esta se puede aproximar que presenta uncomportamiento lineal.

Para realizar el diseo se debe partir de las condiciones quese impongan y resolver el circuito para determinar las variablesque cumplan con las restricciones. Para lograr amplificacin

el transistor debe estar polarizado de tal manera que la curvade la relacin entre voltaje y corriente est en la regin activa(VB 1MHz polarizando con una seal de tensin VCC < 20V.Se realizaron los respectivos del anlisis en DC y en AC paradeterminar los diferentes valores tericos.

Figura 2. Diseo del emisor comn

Av = 45.7 V /VRin = 10.7 kRout = 555.5 Ic = 1 mA

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B. Colector comn

La figura 3 muestra el circuito planteado para la configura-cion de colector comn.

Figura 3. Diseo del colector comn

C. Base comn

El diseo del amplificador en configuracin base comn

es mostrada en la Figura 4, la idea es obtener una gananciasuperior a 20V /V, con una tensin de polarizacin inferior a15 V. gm= 11.4 mA/V

Figura 4. Diseo base comn

Av = 3.36 V /VRout = 262.5 Rin = 138.6

REFERENCIAS

[1] J. R. Martnez, "Elementos de importancia en los circuitos elctricos", inFsica y qumica, Ed: Mad, S.L, Sevilla, 2003, pp. 147.